首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
采用密度泛函理论研究了纳米粒子对硬墙边双亲分子密度分布的影响。通过组合Rosenfeld的基本度量理论和Schmidt的密度泛函理论,将系统的巨势表示为双亲分子局域密度和纳米粒子局域密度的泛函。结果发现,纳米粒子的加入会促使双亲分子大量向硬墙边聚集。当双亲分子体积分数比较小的时候,纳米粒子的加入会导致双亲分子在硬墙边的分布出现由耗尽到吸附的转变。随着纳米粒子数目的增加,双亲分子在硬墙边的取向具有更强的选择性。  相似文献   

2.
基于密度泛函理论和周期平板模型,通过Nt-T,Nt-T-O-T,Nt-B-O-T,Nt-B-Nc-T和Nt-T-Nc-T五种吸附结构研究了N2O分子在Pt(111)表面的吸附,发现Nt-T位是最稳定的吸附位,且吸附主要是通过末端Nt原子与表面作用.从吸附结构分析了N2O分子在Pt表面可能的解离过程.  相似文献   

3.
在Tarazona的内禀自由能的权重密度近似的基础上,我们提出了一个新的权重函数和一新的内禀自由能密度泛函.应用这一泛函,我们计算了硬球—硬壁介面的密度分布。得到了与模拟结果更好的符合。  相似文献   

4.
基于周期性密度泛函理论,研究了N2O和CO2气体在N/Fe共掺杂锐钛矿TiO2(101)面最稳定结构的吸附,并与其在洁净TiO2(101)面的结果进行了对比.详细比较了三原子气体不同吸附位、不同吸附端在Fe位及N位吸附的吸附能、键长和键角的变化.结果表明:N2O在Fe位吸附较清洁表面强,为化学吸附;CO2在改性表面的吸附较清洁表面弱.  相似文献   

5.
采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法,在周期边界条件下的k空间中,对最外表面终止层为单层Al的α-Al2O3(0001)表面结构进行了弛豫与电子结构计算研究.通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化,表明表面能级分裂主要来自于O的2p轨道电子态变化,α-Al2O3(0001)表面明显地表现出O的表面态.通过电子局域函数图,进一步分析了表面成键与表面电子分布特性.  相似文献   

6.
采用密度泛函理论,在B3LYP/Lanl2DZ水平下,对团簇Ti3B2进行全参数优化计算。通过分析团簇Ti3B2的自旋密度分布及各轨道态密度发现:构型1(3)原子的自旋密度分布均匀,内部原子间成键强弱均匀,对称性好,稳定性最好;Ti原子为体系中未成对电子的主要贡献者;构型1(3)和2(5)中,p轨道对未成对电子的贡献较大,不可忽略;各轨道中未成对电子主要是由Ti-3d轨道贡献且其对团簇磁性起主要贡献作用。  相似文献   

7.
从分子水平上研究半透膜的性质在生命科学、化学以及化学工程中有着重要的作用。该文采用密度泛函理论研究了带电半透膜附近各种离子的分布情况,其中除静电作用外,膜与其附近的离子之间的色散能用方阱势能函数来表示。研究表明用密度泛函理论预测的不同膜面电荷密度和不同离子直径比情况下离子在半透膜附近密度分布与M on teC arlo模拟数据符合得很好。密度泛函理论预测结果表明,膜面电荷密度越大,被吸附到膜中的离子越多,膜面电荷对大离子密度分布的影响要大于小离子。  相似文献   

8.
应用量子化学密度泛函理论,Y型分子筛上对Al原子的分布及其对分子筛酸强度的影响进行了研究。计算采用GGA-BLYP的泛函对30T簇模型进行了研究。计算结果表明,随着Si/Al的增加,Al原子多数分布在六元环的对称位置,且根据去质子能的大小,可以看出Al原子含量与酸强度有关,酸强度随Al原子含量增加而有所降低。  相似文献   

9.
采用密度泛函理论,在Slab模型下,研究了CO_2在Ni_5Ga_3合金(010)面上的吸附确定了CO_2在Ni_5Ga_3(010)面上的吸附位点、吸附构型和吸附能,并对吸附成因进行了仔细分析.计算结果表明,CO_2在富Ni面上的吸附较贫Ni面上稳定,η~2-CO*结构是CO_2的优势吸附构型.电子结构分析结果显示,CO_2的4σ_g,3σ_u,1π_g,2π_u轨道与表面Ni原子d_(xz)和d_z~2轨道之间的相互作用是CO_2能够稳定吸附于表面的主要因素.  相似文献   

10.
基于密度泛函理论(DFT)的第一原理超级原胞模型,计算了ZnO(101-0)非极性表面的结构.计算结果表明,顶层zn原子明显向体内弛豫0.0328nm,第2层zn原子的弛豫远离体材料0.0237 nm,使得它类似于表面原子.顶层O原子的弛豫仅为0.0146nm.导致表面Zn-0二聚体有强烈扭转.扭转角达9.2..计算结果与其他理论计算结论和实验结论吻合的很好.此外,还计算分析了ZnO的态密度.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号