虚拟三极管伏安特性测试仪的设计

在传统的三极管参数测试实验中,通常需要使用多种测量仪器来测量三极管的伏安特性曲线和其他参数。为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计了一种三极管伏安特性测试仪。可以在PCI-1200数据采集卡和PC机所构建的平台上实现三极管主要参数的测量。通过对2SC9014三极管进行实际测量,证明其能够满足测试实验要求。     

介质层对真空微电子三极管特性的影响研究

用粒子模拟程序MACIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性，其发射电流由Folwer-Nordheim公式得出．研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响，发现介质层的位置对发射特性有较大的影响．对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表明，当介质孔半径从0．4μm增加到2．0μm时，发射电流将从0．198μA减小到0．115μA，前人的研究工作中常常忽略了介质层对电子发射特性的影内．同时还得到了电流—电压特性和电子轨迹图等模拟结果．     

CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响

酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外 可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.     

中波广播发射机的中和与调整

本文介绍了中波广播发射机高频放大器中三极管板栅极间电容Cag的危害以及消除这种危害所采取的措施。对中和调整部分讲述较为具体、实际,有一定的实用价值。     

改进的三极管特性测试实验

介绍了一种测试三极管特性的新的实验方法,与旧方法的对比表明新方法更快速、准确、实用。     

HATCN作为阳极缓冲层掺杂剂的有机太阳能电池的性能研究

将有机小分子材料HATCN掺杂于酞菁铜(CuPc)中,制备出有机太阳能电池ITO/HATCN:CuPc/CuPc/C60/BCP/Al.在光强为100 mW/cm2的太阳能模拟器照射下,当HATCN的掺杂浓度为5%时,器件性能最好,开路电压(Voc)为0.48 V,短路电流密度(Jsc)为5.66 mA/cm2,填充因子(FF)为0.48,能量转化效率(PCE)为1.30%.与未掺杂的器件ITO/CuPc/C60/BCP/Al相比,PCE提高了59%,这主要归因于HATCN具有较好的载流子传输性能和非常低的LUMO能级.     

基于LabVIEW的三极管特性测试仪的设计

本文讨论以虚拟仪器的方式来实现三极管伏安特性的测试。主要通过在LabVIEW环境下编写出信号发生、数据采集、波形显示等程序,并在前面板中设计测试界面,完成对相应电路中三极管各极电流与集射电压信号的精确采集。通过框图程序对数据进行处理,直观地显示出输入\输出特性曲线及其他参数。     

基于神经网络的三极管温度特性模型研究

温度对三极管的性能影响较大,使得电路中的静态工作点出现不稳定现象.采用神经网络技术分析实际环境温度对三极管放大特性的影响,并通过实测数据和利用线性均差法得到的数据建立三极管温度特性的神经网络模型.利用该模型可预测温度对放大倍数的影响,掌握电路系统的温度漂移,从而为优化系统性能提供设计依据.     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

一种分子整流器件及其工艺研究

设计并合成了一类D-π-A型具有整流特性的有机材料MR-1（对-二甲胺基苯基乙烯三腈）,MR-2（对-二苯胺基苯基乙烯三腈）,以其制成的整流器件Cu／MR-1／Ag整流比可达10000,其他器件M／MR-X,X/M（M为Ag或Cu）的整流比高的可达100;实验发现,溶液吸附法只能在气-液交界处得到整流结果,加电场有利于形成有序取向分子膜．     

Bi2Se3纳米片生长及晶体管制备

本文通过化学气相沉积的方法,成功地在云母衬底上制备了高质量的Bi₂Se₃纳米片。通过湿法转移的技术,将纳米片转移到SiO₂衬底上。通过光刻技术,我们制备了基于单个Bi₂Se₃纳米片的晶体管,并通过施加底栅电压,对Bi₂Se₃纳米片晶体管进行了有效的调控。研究表明,当Bi₂Se₃纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi₂Se₃纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差。     

一种新型的a-Si:H静电感应晶体管

我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10~(16)cm~(-3)ev~(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周.     

影响HEMT高频特性的因素分析

在已建立模型的基础上,分析了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的几个重要参数（栅长、栅宽、掺杂ＡｌＧａＡｓ的厚度、未掺杂ＡｌＧａＡｓ层的厚度、ＡｌＧａＡｓ层掺杂浓度、栅压、漏压）对其高频特性的影响。     

槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析

运用半导体物理理论和功率器件模拟软件（SILVACO-TCAD）,研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响。结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65 μm和2.5 μm,掺杂浓度分别为1×10¹⁵和5×10¹⁵cm^-3时,得到击穿电压为3400 V,阈值电压为8 V。     

OTS修饰的酞菁锌薄膜晶体管

制备并提纯了酞菁锌(ZnPc)有机场效应晶体管,该薄膜器件以具有大π键的ZnPc作为载流子传输有源层,以自制的热生长SiO2膜层作为晶体管的栅绝缘层,经长链两亲分子十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰以后,具有复合双绝缘层的结构.测试结果显示:以此为基础制备的器件具有良好的I-V输出特性,OTS/SiO2复合双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

MOS/双极高压复合结构中可控硅效应的抑制

本文分析了具有偏置栅又有延伸源场极的高压MOS结构和双极型器件复合结构中产生可控硅效应的机理,从而得出如何在材料、几何结构和工艺参数上采取措施,抑制和防止可控硅效应的产生。     

Ultralow-power organic complementary circuits

The prospect of using low-temperature processable organic semiconductors to implement transistors, circuits, displays and sensors on arbitrary substrates, such as glass or plastics, offers enormous potential for a wide range of electronic products. Of particular interest are portable devices that can be powered by small batteries or by near-field radio-frequency coupling. The main problem with existing approaches is the large power consumption of conventional organic circuits, which makes battery-powered applications problematic, if not impossible. Here we demonstrate an organic circuit with very low power consumption that uses a self-assembled monolayer gate dielectric and two different air-stable molecular semiconductors (pentacene and hexadecafluorocopperphthalocyanine, F16CuPc). The monolayer dielectric is grown on patterned metal gates at room temperature and is optimized to provide a large gate capacitance and low gate leakage currents. By combining low-voltage p-channel and n-channel organic thin-film transistors in a complementary circuit design, the static currents are reduced to below 100 pA per logic gate. We have fabricated complementary inverters, NAND gates, and ring oscillators that operate with supply voltages between 1.5 and 3 V and have a static power consumption of less than 1 nW per logic gate. These organic circuits are thus well suited for battery-powered systems such as portable display devices and large-surface sensor networks as well as for radio-frequency identification tags with extended operating range.     

Self-interstitials generated on silicon bulk surface

Pentacene for p-channel organic field effect transistors(OTFTs) and perfluoropentacene for n-channel OTFTs have attracted strong attentions to be used as CMOS type organic semiconductor materials for flexible organic displays.n-channel OTFTs with different gate insulators of polyimide(PI) and SiO_2 and perfluoropentacene as a semiconductor layer were fabricated,and their instability of the transistor characteristics measured in air,vacuum and oxygen was investigated.The results show that both of the tran...