乙酰螺旋霉素片包衣工艺的改进研究

目前,市场上的乙酰螺旋霉素（Acetylspiramycin）制剂多为糖衣片,糖衣片存在生产周期长、能源消耗大、粉尘危害严重等问题。为了克服这些问题并进一步提高产品质量,我们试想在原工艺的基础上,将乙酰螺旋霉素片糖衣包衣改为薄膜包衣。采用薄膜包衣工艺后,     

薄膜包衣实践技术探讨

薄膜包衣技术是目前国内医药行业迅速发展的制剂技术,但其技术含量高,成品质量检测比较困难。本文根据笔者多年来参与薄膜包衣质量控制的经验,就如何处理薄膜包衣生产过程中常出问题及解决方法,进行了分析探讨。期望通过与同行们相互交流达到提到薄膜包衣的目的。     

浅谈影响中药片剂薄膜包衣效果的因素

近年来,由于薄膜包衣技术以其包衣工艺缩短,操作简单,干燥速度快,包衣材料用量少等等优势,在中国医药市场应用日趋广泛,有较多的中药片剂也使用了这种包衣技术,获得了一定的效益,同时也发现了一些潜在的问题,为了解决中药片剂在包薄膜衣时外观质量不稳定,时常出现片面粗糙,麻面,无光泽等技术问题,作者根据自身生产经验,总结出有关的影响因素,和各位行业同仁一同探讨、解决问题,以推动包衣技术在中药片剂中的广泛应用。     

复方甘草片的薄膜包衣处方研究

为提高复方甘草片的稳定性并改善其气味,优化了复方甘草片的薄膜包衣溶液组成.应用正交试验法,选择成膜材料、增塑剂和溶剂浓度作为考察因素,以外观变化、崩解时限、加速条件下片剂增重量作为指标,选用正交表L9（34）进行试验,筛选出薄膜包衣溶液的最佳质量百分数组成即羟丙甲纤维素5.36%,聚丙烯酸树酯1.84%,增塑剂0.12%,乙醇75%.结果表明：按最佳包衣液组成制备的复方甘草薄膜包衣片具有较好稳定性,且无明显特殊臭味.     

混合粉包衣防止含药材粉糖衣片裂片的研究

采用以淀粉一滑石粉混合粉作为糖衣片粉衣层用料的包衣工艺，通过对不同比例混合粉与全滑石粉包衣样品的生产过程和加速试验情况进行研究结果表明以舍淀粉为20～30％的淀粉一滑石粉混合粉作为糖衣片包衣中粉衣层用料的工艺，有利于防止含生药材粉的糖衣片品种在贮存中裂片的发生。     

济泰片

“济泰片”来源于清代鄂东四大名医之一的杨际泰先生在清代道光、同治年间独创的戒断鸦片毒瘾的古代秘方，经上海中药制药技术有限公司（国家中药制药工程技术研究中心）针对现代毒品特点进行了反复的科研攻关。“济泰片”采用了创新集成的工艺新技术，包括挥发油提取、乙醇梯度渗漉与动态水提取技术，充分提取原料药材有效组分，并应用挥发油包合技术、一步制粒技术工艺、新辅料应用及片剂水性薄膜包衣等制剂新技术。     

合成金刚石薄膜生长工艺的研究

采用一种快速生长金刚石薄膜的直流等离子体弧焰合成法，进行生长金刚石薄膜的实验。讨论了生长金刚石薄膜时各种工艺条件对成膜形态的影响。ＳＥＭ照片与拉曼光谱分析表明，在工艺条件合适时，可快速生长金刚石薄膜。     

移相器微波传输薄膜的研制

对移相器微波传输薄膜的理论设计进行了详细的分析，优化了膜系的制备工艺参数，并对薄膜样品进行了性能测试和对比分析，结果表明，Cu-Ti微波传输薄膜的性能优良。     

种子包衣机存在的问题与改进措施

为了更好的推广种子包衣技术，提高各类种子的包衣合格率，对国产包衣机的生产现状和在设计、结构、性能等各方面存在的问题进行分析和研究，为我国包衣机机型的更新换代，赶上世界先进水平提供可靠的技术依据。     

安徽技术项目展示

药用肠溶性丙烯酸树脂 内容简介 丙烯酸树脂是一类安全、无毒的薄膜包衣材料,与天然薄膜材料相比具有包衣工时缩短、成本降低、操作方便等优点,同时具有防潮、防氧、隔离等作用,有利于药物的质量稳定,可改变糖衣剂的裂片发霉等质量问题,是一种新型高性能的药用辅料。国外已开发并形成系列产品,国内近年来也有类似产品问世,但     

P（L）ZT铁电薄膜裂纹特性分析

对铁电薄膜热处理过程中产生的裂纹的特性进行了分析。通过实验，研究了裂纹与铁电薄膜微细图形的尺寸、图形形状，以及衬底材料的关系，确定了铁电薄膜无裂纹设计规则及无裂纹工艺。     

不透X线标志物的制备及质量研究

为解决不透X线标志物供应不足的问题,研究制备一种高载药量硫酸钡包衣微丸作为不透X线标志物,探索其用于结肠传输功能检查,为慢传输型便秘的临床诊断及治疗提供参考依据。首先,采用挤出滚圆法制备硫酸钡微丸丸芯,通过粉末层积法在丸芯外包裹药物层,得到硫酸钡微丸。其次,结合流化床包衣技术制备硫酸钡包衣微丸,以体外稳定性、圆整度、收率等为指标,利用单因素试验和正交试验优化包衣处方和工艺参数。最后,通过透射电镜进行外观形态观察,并对硫酸钡包衣微丸的显影性和影响因素进行考察。结果表明,硫酸钡包衣微丸包衣液以3%乙基纤维素乙醇溶液为主要材料,包衣增重7.5%;所得的优化包衣参数为包衣液流速为6 Hz、雾化压力为3 MPa、进风温度为70 ℃、风机频率为30 Hz;制备的硫酸钡包衣微丸抗腐蚀性强,在酸碱中稳定,由内而外显影密度增强,显影效果清晰,在高温、高湿和光照条件下性质稳定。所研制的高载药量硫酸钡包衣微丸性质良好、处方合理、制备工艺稳定可行,可为临床提供一种新的成像清晰、质量稳定、价格低廉的不透X线标志物。     

富氮SiOxNy膜的电子注入特性

通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变。测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系。结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微机结构，对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论。     

探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜

介绍溶胶－凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程，探讨影响稳定溶胶配制的原材料，溶剂及溶液的pH值选取，分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理，理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响，提出优化溶胶－凝胶技术的关键措施。利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆，通过甩胶沉积在α-Al2O3基片上的PZT薄膜的微观表面形貌和相结构进行了观察。     

YSZ薄膜的制备及特性研究

用真空双源法制备 Ｙｔｔｒｉａｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｚｉｒｃｏｎｉａ（ Ｙ Ｓ Ｚ）薄膜，研究了 Ｙ Ｓ Ｚ薄膜制备工艺对形貌、特性的影响．实验发现，在 ６００ ℃的条件下进行热处理，可形成超微晶薄膜，且晶粒细密均匀     

纳米硅薄膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜，根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。     

GeSb2Te4相变薄膜表面形貌的分形特征

在Si（111）基底上用磁控溅射法以不同射频功率制备GeSb2Te4薄膜，利用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形计算，得到表面形貌的分形维．结果表明，分形维的大小与薄膜表面质量成正比，而表面粗糙度不能全面描述薄膜表面形貌；溅射功率对薄膜表面微观结构有直接影响，在一定范围内，增大溅射功率可以提高薄膜表面质量，但超过一定值后，又会降低薄膜表面质量．并指出利用分形维可以优化溅射工艺参数．     

压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化

针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题，利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理，提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法．该方法采用下压力约束薄膜，使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布，从而削弱了覆盖膜的不对称性，获得了相应的薄膜厚度．采用旋涂厚度为1．1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验，发现下压力大于0．48MPa时，薄膜结构具有较好的对称性，下压力为1．12MPa时，对准信号的对比度达到最大．试验结果表明，压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性，利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响，而且对准精度可满足100nm压印光刻的要求．     

薄膜沉积过程的分子动力学模拟

应用嵌入原子势作为势函数，对薄膜沉积过程进行分子动力学模拟，来模拟不同工艺条件下的成膜过程、薄膜质量及各参数变化对成膜的影响．结果表明，衬底温度越高，则原子在薄膜表面的扩散能力越强，薄膜内部的空位密度越小．但衬底温度对薄膜质量的影响只在一定范围内比较明显；原子自身携带的能量越高，则其扩散能力也越强，特别是在衬底温度较低时，这项影响越大；随着原子入射角的增大，薄膜表面的纤维状生长及阴影响应越明显，薄膜的质量则明显下降．     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。