矩形磁纳米点的磁反转及动力学特性研究

基于微磁学模拟方法研究了矩形纳米点的磁反转和动力学特性.获得了矩形纳米点的磁反转过程、自旋波本征动力学特性,以及两者间的内在联系.矩形纳米点的磁反转过程从边缘畴壁的失稳开始,伴随着边缘畴壁移出纳米点外微磁结构从"Flower"态转变为"C"态,随着"C"态边缘畴向磁体中央扩展形成大角畴壁,最后伴随着畴壁移出纳米点外实现反转.磁反转过程中微磁结构相变总是伴随着某种自旋波模式的软化;对称的边缘模式(S-EM)模式软化诱发微磁结构从"Flower"态向"C"态演化,在反转场附近,局域于Y形畴壁的Y-D畴壁模式自旋波的软化激发矩形纳米点不可逆磁反转.     

磁晶各向异性对反铁磁耦合纳米体系磁特性的影响

采用微磁学方法研究了磁性层的磁晶各向异性对反铁磁耦合三层纳米体系磁特性的影响.结果表明:随着磁性层磁晶各向异性的增大,反铁磁耦合三层纳米体系具有4种不同类型的磁滞回线,上、下磁性层的反转场逐渐减小,而饱和场先减小后增大.当磁晶各向异性较小时,反磁化过程为反磁化核的形成与传播过程;当磁晶各向异性很大时,反磁化过程为先形成多畴微磁结构,再逐渐反转的过程.     

铁磁微晶尺寸与其矫顽力及磁化机制

用磁畴组态能量比较方法,导出外磁场场强为H时的铁磁微晶(即尺寸小于L_0的铁磁性单晶体;L_0为外磁场H为零时,单畴粒子尺寸的临界值)临界尺寸表达式,给出了与微晶尺寸L_s相关的矫顽强度H(L_s);并以SmCo_5材料为例,对H(L_s)做了定量估计。得出:在L_s小于L_0而大于L_c时,微晶也与尺寸大于L_0o的粒子类似,反磁化经历多畴过程;当L_s≤L_c时,反磁化才按Stoner-Wohlforth机制进行。认为用RECo_5材料制做具有_MH_C=2k/M_s的高级磁体是可能的。     

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Ｎｅｅｌ壁状态转变等一系列过程     

微观磁化理論(綜合評述)

引言在研究磁化理论时,人们可以从三个不同观点出发: 第一种是宏观的观点,即以B,H等概念为基础,研究磁化—磁滞曲线,磁导率等等。第二种观点是磁畴理论的观点,即从自发磁化Is,磁畴,畴壁与畴壁能,可逆与不可逆的畴壁位移和畴转等概念来研究问题。Landau-Liftshitz的磁畴理论采用了畴壁这一模型。在畴壁内Is随位置而连续地转变其方向。这种观点深入到畴壁内部,但     

不同温度下Nd2Fe14B永磁体畴壁中磁矩的转向公式

考虑二级磁晶各向异性常数,精确地推导出了自旋重取向温度以上的Nd2Fe14B磁体180°畴壁中磁矩的转向公式和自旋重取向温度以下的Nd2Fe14B磁体畴壁中磁矩的转向公式.这些公式也适用于具有类似Nd2Fe14B结构和性质的其它永磁体.     

不同温度下Nd_2Fe_(14)B永磁体畴壁中磁矩的转向公式

考虑二级磁晶各向异性常数 ,精确地推导出了自旋重取向温度以上的Nd2 Fe14 B磁体 180°畴壁中磁矩的转向公式和自旋重取向温度以下的Nd2 Fe14 B磁体畴壁中磁矩的转向公式。这些公式也适用于具有类似Nd2 Fe14 B结构和性质的其它永磁体。     

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了９８ＭＰａ应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带纵向驱动微磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律,说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应,大于特征频率时是磁阻抗效应,且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。     

反铁磁耦合纳米体系磁特性的微磁学研究

采用微磁学方法研究了磁层间反铁磁耦合强度对SyAF纳米体系磁特性的影响.当SyAF纳米体系上、下磁层间的反铁磁耦合强度不同时,SyAF纳米体系具有两种不同类型的磁滞回线.当磁层间反铁磁耦合强度较小时,体系的矫顽力随反铁磁耦合强度的增大而增大,反磁化机制为反磁化核的形成与传播的反转过程.而当磁层间反铁耦合强度较大时(0.2×10-3J.m-2),体系的矫顽力基本不随反铁磁耦合强度变化,并且在剩磁态为稳定的单畴结构,反磁化机制为类一致反转过程.这类SyAF纳米体系更适合于作为磁信息器件中自旋阀的自由层.     

坡莫合金薄膜的准静态反磁化

一、引言利用克尔磁光效应和毕特粉纹技术的磁畴观测,以及近年发展的电子显微镜方法,前人对具有单轴各向异性的坡莫合金薄膜的准静态反磁化过程已进行了不少的研究。所得结果显示,在实际的坡莫合金薄膜中、反磁化过程并不是按Stoner-Wohlfarth模型的一致转动。实际上,如样品在磁场与易轴作较高角时反磁化,则首先发生“部分转动”,形成“锁住结构”;又电子显微镜的观察表明,即使在场强非常小时,仍会有某些局部的磁化向量发生不可逆转动,与此相联系的有所谓“波结构磁滞”;此外还发现,在某些样品中,当场和易轴间的夹角很高时,也会发生“锁住图案”,Smith认为这是因为样品中存在着“负K区”。由此可见,实际磁膜的反磁化过程是很复杂的。本工作的目的是在前人工作的基础上对坡莫合金薄膜的准静态反磁化过程进行更详细一些的探讨,着重研究锁住结构的性质和它在不同条件下的变化;并将用磁转矩的方法测量样品的波结构磁滞和各