化学氧化聚吡咯的结构及导电性的研究

本文通过元素分析、X射线光电子能谱(xps)、富里哀变换红外光谱(FTIR)及固体~(13)C核磁共振(~(13)C NMR)等测试方法,对化学氧化聚吡咯的导电性及化学结构作了详细探讨。实验结果表明,在氧化态的聚吡咯中,平均每四个吡咯环带有一个负离子(Cl~-),大分子链上的正电荷分布在氮原子上,各吡咯环主要以α-α相连接。经还原剂处理后。聚吡咯的电导率下降了7个数量级,这与大分子链上正电荷的变化有关。     

导电性吡咯腈纶结构与性能

通过富里哀红外光谱(FTIR)、元素分析、扫描电镜(SEM)、热重量分析(TGA)等测定方法,对导电性吡咯腈纶结构进行了分析,并对该纤维的导电性和物理机械性能等进行了研究。试验结果表明,该导电纤维是一个聚吡咯(PPy)与聚丙烯腈(PAN)的共混体系,所制得的纤维,除了具有导电性,其物理机械性能基本上与普通腈纶相同。该纤维是一种新的具有广泛应用前景的导电纤维材料。     

新型锗掺杂聚吡咯络合物的电子结构

应用本组改进加速的ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算和确定了ＧｅＣｌ２及其掺杂聚吡咯络合物的结构参数，从而给出了稳定形态的电子结构，比较合理的解释了成键情况，并对其络合物（ＰＰＧＣ）的合成和应用价值进行了理论上的评估，对以往仅是Ｌｅｗｉｓ酸阴离子掺杂的看法，提出了重要的补正。此类研究尚未见报道。     

聚噻吩并[3,4-c]呋喃的电子结构及导电性研究

采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化了聚噻吩并[3,4-c]呋喃的单体和低聚物的电子结构,聚合物采用PBC方法和LSDA方法计算了性质特征,全部的优化都采用6-31G*基组计算.找出了单体、低聚体和聚合物电子结构的关系,并对其能带结构与态密度进行了分析与探讨.研究表明,并环分子的导电性能比单环分子更好.其能隙仅有0.19 eV,可以作为潜在的导电聚合物材料.     

吡咯杀虫剂的电子结构与杀虫活性研究

1　引言化学家和生物学家在研究新的农药时 ,都面临着这样一个问题 ,即农药的化学结构与生物活性的相关性 自 1 96 4年Ｈａｎｓｃｈ和Ｆｕｊｉｔａ提出多参数法[1] ,同年Ｆｒｅｅ和Ｗｉｌｓｏｎ提出了相加模型法[2 ] ,以及稍后发展起来的分子轨道法以来 ,农药化学结构与生物活性的定量关系的研究发展到了一个新的阶段 近年来 ,人们进一步应用分子图形学、分子力学及量子化学对农药分子结构与性能的关系进行了研究[3 ,4] ,认为一般情况下 ,农药分子与受体作用的活性区多集中在分子的负电区 ,负电性较大的基团使分子的抑制率提高[3 ] 同时 …     

化学法合成导电聚吡咯的研究现状

本文综述了近年来化学法合成导电聚吡咯的研究状况，重点介绍其在结构、导电机制及制备复合导电材料等方面的进展情况．     

TiH_2电子结构和导电性的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的全势全电子线性缀加平面波方法,对储氢材料TiH2的电子结构进行了理论分析.计算得到的能带结构和态密度表明该化合物具有金属性的特点,但是Ti—H键有明显的共价键特征.因此可以理解其导电性小于金属Ti,这与实验观测符合得很好.     

吡咯异构体的杀虫活性与电子结构比较

用ＰＭ３法计算了吡咯异构体的电子结构,用分子中原子的净电荷、键级以及能量讨论了两咱异构体杀虫活性的差异。     

GaAs/Alx Ga1-x As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.     

碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型

本文提出了退火过程中碲镉汞电子结构变化的理论模型,并根据此理论模型建立了理论公式.由理论公式经计算得出的理论曲线与实验曲线很好地吻合,从而证明了理论模型的正确性.     

聚吡咯修饰电极测定抗坏血酸的研究

对掺铁氰根聚吡咯电极的聚合、伏安行为、电催化效应及其在抗坏血酸测定中的应用进行了研究.该膜电极性能稳定,对抗坏血酸催化效果好,抗坏血酸浓度在5×10-6~6×10-3 mol/l范围内有很好的线性关系,用于测定果汁饮料中抗坏血酸获得满意结果.     

GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究

用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 ,形成共振表面态     

Pt掺杂锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质第一性原理研究

为了研究Pt掺杂对锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质的影响,本文采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对未掺杂和Pt掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质做第一性原理计算。得到了掺杂前后的品格结构常数、结合能电子态密度分布、能带结构、介电函数虚部、光吸收系数等性质,定性地分析了掺杂前后能带结构和光学性质的变化。研究结果表明,Pt掺杂锐钛矿型TiO2带隙中能产生新的能带,而且能带位置明显下移,掺杂后不但能使TiO2的吸收带产生红移,而且在可见光区具有较大的吸收系数,表现出较高的光催化活性,理论与实验基本吻合。     

顺式环氧琥珀酸的结构和性质的理论研究

采用DMol3程序对顺式环氧琥珀酸(ESA)的结构和相关性质(振动频率、热力学性质、反应活性及稳定性)进行了理论研究.得到了分子的几何优化构型和各原子上的电荷分布以及前线分子轨道能级.计算结果表明:ESA分子容易得到电子,且环氧基上氧原子是亲电反应的作用点.     

LiCoO2的体态几何与电子结构的理论研究

采用基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,选择GGA交换关联势,使用自洽投影缀加平面波方法,对锂离子电池正极材料LiCO2的原子几何结构与电子结构进行了理论研究．给出了其结构——总体态密度与分波态密度、电荷密度分布以及能带结构等,并对三种超晶胞模型进行了简要对比研究,计算结果表明：三种模型在计算上是等价的;完全驰豫后所得的晶体结构、晶格常数、电子结构及能带结构等都与其他方法的计算结果以及实验值符合良好。     

配合物Ru(bpy)2(SCN)2的电子结构及相关性质的理论研究

运用RHF/LanL2DZ理论方法优化了配合物Ru(bpy)2(SCN)2基态的几何结构,研究了配合物的结构参数、光谱性质、电荷布居,为该类配合物的合成及分析光电催化作用机理提供了理论参考.     

新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究

在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12S i31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous S ilicon,PS)(001)表面最外层的S i—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构S i—H键长为0.148 nm、H—S i—H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性.