弱相互作用Bose气体在势阱中Bose-Einstein凝聚临界温度

研究了弱相互作用 Bose 气体在指数势场中凝聚在最小动量态上的Bose-Einstein凝聚的临界温度, 以及相对于理想Bose气体临界温度的偏差. 相互作用对临界温度的影响归结为s分波散射长度与临界温度下的De Broglie波长之比α/λ_c. 当α/λ_c<<1/(2p)²时, 相互作用可以忽略. 所给出的三维简谐势场下的临界温度偏差与最近对简谐势阱中⁸⁷Rb Bose气体临界温度测量结果较好符合.     

高温高密度氦流体物态方程

用二级轻气炮作为冲击压缩加载手段和多通道瞬态辐射高温计作为主要测量工具, 测量了冲击压缩下氦气(初始温度293 K, 初始压力为0.6, 1.2和5.0 MPa)的Hugoniot曲线和高达15000 K的冲击温度. 发现用Saha方程和Debye- Hückel修正模型计算初始压力为5 MPa的氦气物态方程与实验数据有较好的符合程度. 理论计算的氦气(初始压力P₀ = 5.0 MPa, 初始温度T₀ = 293 K)在低压条件下冲击波速度与粒子速度关系D = C₀ + λu (u<10 km/s, λ = 1.32)与Nellis液氦实验数据拟合的D-u曲线近似平行(λ = 1.36), 这表明氦流体的Hugoniot参数λ不依赖于初始密度ρ₀;当冲击温度约大于18000 K(冲击压缩氦气电离度达到10^-3量级)后, 气氦D-u曲线很快过渡到λ = 1.2另外一条曲线, 达到了压缩氦气的极限值.     

三量子位Heisenberg XXX链中杂质对纠缠的影响

研究了含杂质三量子位Heisenberg XXX 链中的纠缠现象,并给出了纠缠C的解析表达式.结果发现对杂质格点与正常格点间的纠缠,C只存在于J1＞J(当J＞0时)和J1＞0(当J＜0时)两个区域,且在这两个区域内纠缠C和纠缠存在的临界温度Tc均随着J1的增大而增大;当J1(≥)|J|时,C=0.5,Tc=3.41448 J1.对正常格点间的纠缠,C只存在于J＞0且-2J＜J1＜J,在该区域内随着J1的增大,纠缠C和纠缠存在的临界温度Tc均先增大而后逐渐减小为零,当J1=0时它们分别达到最大值Cmax=(e4J/T-3)/(e4J/T+3)和Tcmax=4J/ln3.     

Formation, structure and properties of GeCn± and Ge2Cn± binary clusters

The binary cluster ions Ge₂C_n⁺/Ge₂C_n^- and GeC_n⁺ have been produced by laser ablation. The parity effect is present in the negative ions Ge₂C_n^-, though it is not very prominent. While the experiments tell that the parity effect is totally not shown in the positive ions Ge₂C_n⁺. An extensive theoretical investigation on GeCn/GeC_n⁺/GeC_n^-(n=1-10) and Ge₂Cn/Ge₂C_n⁺/Ge₂C_n^-(n=1-9) has been carried out by density functional theory at B3LPY level. The calculation shows that the low-lying states of GeC_n/GeC_n⁺/GeC_n^-(n=1-10) and Ge₂C_n/Ge₂C_n⁺/Ge₂C_n^-(n=1-9) are linear structure with germanium atoms locating at terminals respectively. The electronic distributions, ionization potential (IP_ad), elec-tron affinity (EA) and increasing bonding energy reveal that the parity effect of neutral species is much stronger than that of ions, which is attributed to the valence π-electrons. It is explained that the differences between experiments and cal-culations are due to the kinetic factor in the formation of Ge₂C_n^±.     

酰胺基西夫碱化合物的合成及其相态行为

设计合成了一系列通式为CH₃CONH—C₆H₄N=CH—C₆H₄—OC_nH_2n+1(n=1,2,4,6,12)的含酰胺基的西夫碱化合物。通过熔点测定、¹H-NMR和IR等方法，对化合物的结构进行了表征。并通过DSC检测，考察了柔性链上碳原子数对介晶相态的影响。结果表明，当碳原子数n≥ 4时，随着碳原子数的增加，介晶相清亮点温度 (T_cl)逐渐降低，介晶相温度区间 (ΔT)逐渐变窄。     

短寿命β-放射性核12B磁矩精确测量

通过对核反应¹¹B(d, p) ¹²B的入射束流能量和¹²B反冲核的反冲角度的选择产生极化的β放射性核¹²B(I^π=1⁺, T_1/2=20.18 ms). 在中国第一台β-NMR和β-NQR谱仪上, 我们利用β-NMR技术测量了短寿命核¹²B的磁矩. 通过精确的奈特位移修正后, 得到¹²B的核磁矩μ ＝(0.99993 ± 0.00048) nm, g因子g =(0.99993 ± 0.00048).     

LiF修饰阴极的双层有机电致发光器件发光效率

考虑LiF绝缘缓冲层对电子注入势垒的影响, 给出了LiF/金属复合电极注入势垒的表达式; 基于载流子的注入和复合过程, 建立了双层有机电致发光器件发光效率的理论模型; 讨论了器件效率随电压、注入势垒、内界面势垒、有机层厚度的变化关系. 结果表明: (ⅰ) 当δ_e/δ_h < 2时, 金属/有机物(M/O)界面属于欧姆接触, 当δ_e/δ_h = 2时, M/O界面成为接触限制, 当δ_e/δ_h = 2(Φ_h ≈ 0.2 eV, Φ_e ≈ 0.3 eV)时, M/O界面存在从欧姆接触向接触限制的转变; (ⅱ) η_EL随δ'_e/δ'_h的增大而减小, 但δ'_e/δ'_h>2.5 (H'_h ≈0.2 eV,H'_e >0.4 eV), η_EL的变化趋势变得平缓, 这时载流子注入对器件的η_EL起支配作用; (ⅲ) 逐渐增加L_h/L比值, 较低电压下hR呈下降趋势, 较高电压下η_R则呈上升趋势. 当电压超过启动电压后, 对于给定的L_h/L, 随电压的增大, η_EL是先增加后降低, 且随着L_h/L的增加, η_EL的这种变化趋势更加明显. 这些都与报道的理论及实验结果相符.     

二维Coulomb散射的|m|分波处理与Regge极点

研究了二维Coulomb散射的对称性和|m|分波分析. 作为能量E的函数, 把|m|分波散射波幅f _|m|(q)解析延拓到负E(复k)平面, 发现束缚能量本征值(E < 0)恰好位于f_|m|(q)在正虚k轴上的极点. 此外, 作为|m|的函数, 把f_|m|(q)解析延拓到复|m|平面, 发现束缚能量本征值正好处于f _|m|(q )在正实|m|轴上的极点.     

La0.7-xGdxSr0.3MnO3体系的输运行为

研究了La位Gd掺杂对La_0.7-xGd_xSr_0.3MnO₃ ( x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, 0.70)体系的电输运性质和磁阻效应的影响. 实验结果表明: 高掺杂时的输运性质发生异常, 在x= 0.50时, 发现了在ABO₃结构中很少出现过的在T_c附近发生绝缘-金属相变之后又发生从金属到绝缘相变的现象; 对x = 0.60, 0.70体系在远离T_c的温区就表现为绝缘体. 这些反常行为归因于不同的磁背景, 即体系由长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变.     

PCln (n=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数

 基于Gaussian03计算软件,选用高角动量基函数6-311++g(df,pd),分别使用密度泛函理论UB3LYP和UB3P86,以及组态相互作用方法UCCSD-FC和UQCISD-FC,对PCl分子和PCl⁺,PCl^-离子基态进行了几何优化,进一步对其进行了频率计算和单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到了PCl^<em>n(n=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.与实验及理论结果比较表明,对PCl,PCl⁺分子离子基态光谱常数 (B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)的计算结果达到了很高的精度.文章还首次给出PCl^-分子离子基态光谱参数(B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)和PClⁿ(n=-1,0,+1)力常数(f₂,f₃,f₄)的理论数据,为PClⁿ(n=-1,0,+1)分子离子的更深层次研究和应用提供重要的理论基础.     

直流脉冲放电产生SO分子束:A'3→X3∑-跃迁

采用直流脉冲高压对SO₂/He(配比1:99,总压强3.0×10⁵Pa)混合气体放电产生SO超声分子束,SO自由基由电离其前体SO₂再解离而形成．发射光谱中350~500 nm波长范围的电子振动谱标识为SO(A'³→X³∑^-)跃迁,通过对实验谱线拟合,获得了该跃迁的带源ν₀₀ = 29524(8) cm^-1,SO(A'³Δ)的光谱常数ω'_e = 742(6) cm^-1, ω'_eχ'_e = 5.9(2.0) cm^-1, 以及基电子态的光谱常数ω'_e = 1165(5) cm-1, ω'_eχ'_e = 6.4(0.5) cm^_-1.     

Kinetics of C2(a3Πu) radical reactions with NO, N2O, O2, H2 and NH3

Pulsed laser photolysis/laser-induced fluorescence (LP-LIF) is utilized to measure rate constants for C₂(a³Π_u) reactions with NO, N₂O, O₂, H₂ and NH₃. Multiphoton dissociation of C₂Cl₄ at 266 nm is employed for the generation of C₂(a³Π_u) radicals. The C₂(a³Π_u) concentration is monitored by the fluorescence of the (0, 0) band of the (d³Π_g&#8596;a³Π_u) transition at 516.5 nm. C₂(a³Π_u) removal rate constants for the reactions are determined as k_NO = (5.46 ± 0.10) × 10^-11 cm³ molecule^-1 s^-1 , k_N2O = (1.63 ± 0.20) × 10^-13 cm³ molecule^-1 s^-1 , k_N2O = (1.58 ± 0.16) × 10^-11 cm³ molecule^-1 s^-1, k_O2 = (5.92 ± 1.00) × 10^-14 cm³ molecule^-1 s^-1, k_H2< 1.0× 10^-14 cm³ molecule^-1 s^-1. Based on the data analysis and theoretical calculation, we suggest that the C₂(a³Π_u) reactions with H₂ and NH₃ proceed via the hydrogen abstraction mechanism, barriers exist at the entrance channel of the reactions of C₂(a³Π_u) with H₂ and NH₃.     

压力对固体氩中杂质钠原子吸收光谱的影响

利用等温等压系综Monte Carlo方法, 在低温下(T = 10 K)研究了压力的变化(0~2.4 GPa)对固氩掺钠体系中杂质钠原子吸收光谱的影响. 对于替代数为n_v = 1和2两种掺杂体系, 压力的增加都没有改变钠原子俘获点周围的局域对称性, 只是减小了钠氩、氩氩之间的距离, 使得体系更加致密. 但压力的增大导致了钠原子的吸收谱逐渐变宽, 峰位以及质心谱移向低能方向移动, 即出现红移. 对局域结构属于高对称俘获点n_v =1的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为高对称三体线形. 随着压力的增加, 吸收谱开始变宽并移动, 吸收谱重叠成单峰形状. 对局域结构属于低对称性俘获点n_v =2的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为单峰加双峰的吸收线形. 随着压力的增大, 单双峰之间的劈裂增大, 双峰重合成单峰形状.     

铅原子6pnd J = 2受扰Rydberg系列能级的多通道量子亏损理论

利用多通道量子亏损理论(MQDT)分析了铅原子奇宇称6pnd J = 2 Rydberg系列能级, 计算出6pnd (6 ≤n ≤ 63) J= 2 Rydberg系列能级的能量位置, 得到了最优化的MQDT参数. 利用这些参数计算了每个能级的通道混合系数, 并根据混合系数确定了每个能级的原子态符号. 计算结果表明, 在所研究的能量范围内, 6p6d (3/2)[5/2]₂o和6p6d (3/2)[3/2]₂o两个干扰态附近的能级出现强烈的通道混合现象. 采用与文献中不同的五通道计算模型, 确定了其他文献中没有报道的铅原子的21个6pnd (1/2)[3/2]₂o能级的位置, 并确定了铅原子能量在59788 cm^-1以下的所有奇宇称6pnd J= 2 Rydberg态的能级符号, 计算结果清楚地显示出各通道间的通道混合和相互作用情况.     

高氯酸银-苯配合物结构的重新测定和从头计算

在低温下对高氯酸银-苯配合物AgClO₄&;#8226;C₆H₆的晶体结构进行了重新测定，晶体属斜方晶系，空间群Cmcm（#63）.晶胞参数：a=8.154 0(6)×10^-10 m， b=7.918(4)×10^-10 m， c=11.717(1)×10^-10 m，V=756.4(4)×10-³⁰m³, Z = 4, 精度偏离因子R=0.023, Rw =0.050.根据该配合物晶体结构特征和从头计算的研究结果, 与前人报道的结构数据进行了对比, 指出两次测定在结构上的差异.据此, 提出了目前在中外教科书中有关苯在与银离子配位时发生严重变形的描述有待更正的必要性.     

一种最优的紧框构造算法

设{φ_m} _m=1^M是C^N中一组不全为零的向量. 本文提出了一种通过增添N-d₁个向量使其构成 C^N 的一个紧框的最优算法, 其中 d₁由{φ_m} _m=1^M 确定.     

带电杂质对磁场中3个电子量子点的影响

研究了在磁场B中受杂质影响的二维3个电子量子点基态的特性. 杂质被固定在z轴上且与量子点平面的距离为d. 计算了基态角动量L₀和自旋S₀随B和d的演化, 归纳结果于(L₀, S₀)相图中, 而且探讨了电子的空间分布(量子点的大小、几何结构)和光吸收. (L₀, S₀)图表明: 当d和(或)B变化时, L₀和S₀能够发生跃迁. 我们发现由于对称性限制, 每种对称几何结构只能访问具有特定L₀和S₀的一组态.     

汤川势的束缚态和临界行为

用两种算法研究汤川势V(r) = -λexp(-αr)/r的束缚态: 一种是用解Schrödinger方程数值计算方法, 另一种是我们提出的Monte Carlo-Hamiltonian法. 此系统有一临界参数α=α_c, 大于此值系统就不存在束缚态. 我们研究α_c对λ和角动量量子数l的依赖关系, 发现在原子单位下, α_c(l) =λ[A₁exp(-l/B₁) + A₂(-l/B₂)], 其中A₁= 1.020(18), B₁ = 0.443(14), A₂ = 0.170(17), B₂ = 2.490(180).     

近金属表面的Rydberg氢原子的动力学性质

用相空间分析方法和闭合轨道理论研究了近金属表面氢Rydberg原子的动力学性质. 由氢Rydberg原子与金属表面相互作用的Hamilton量, 通过坐标变换发现, 电子运动的相空间可以分为振动区和转动区, 从Poincaré截面和闭合轨道都能很清楚地说明这一点. 选取主量子数n = 20的氢原子, 其动力学行为敏感地依赖于原子与金属表面间的距离 d: 在d较大时, 原子与金属表面间的相互作用表现为经典的van der Waals力, 系统是可积的; d变小时, 存在一个临界值d_c. 当d>d_c时, 系统是近可积的, 接近于规则运动; d<d_c时, 系统是不可积的, 运动是混沌的, 轨道是不稳定的, 电子有可能被金属表面俘获.     

全纯函数的一个正规族(英)

设F为单位圆盘⊿上的 一个全纯函数族，M,N为两个正实数. 如果对于任意的 f∈F,f的零点重级≧ m$, 且f(z)=0=> |f^(m)(z)| _^≦M , f^(m)(z)=1 => |f(z)| ≧N则F在⊿上正规.