新型钙钛矿材料及器件

正2019年8月13日,主题为"新型钙钛矿材料及器件"的钙钛矿国际研讨会在成都举行。此次会议由WILEY出版集团、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、InfoMat期刊共同主办。会议重点围绕新型钙钛矿材料与器件的最新研究进展及其在光电、能源等领域的应用展开研讨。会议邀请了国内外相关领域近50名著名学者与会,共同推进相关领域的科技创新。电子科技大学副校长胡俊全主持会议开幕式。     

分子器件中国科学家谈科学

分子器件将使人们的生活空间扩展到微观的层次,将改变社会的方方面面,尤其会引起生物、医学、材料、电子等领域的根本性变化。分子器件的概念涉及两方面的内涵:基于分子材料的器件和基于分子尺度的器件。基于分子材料的器件涉及到各种薄膜器件、单晶器件、自组装器件等。基于分子尺度的器件是目前国际科技界竞争最为激烈的领域之一。分子器件的发展有两种趋势:一是将无机材料合成为有机材料,增强分子的柔软性;二是注重单分子的功能,力争实现超高性能器件。     

T型量子器件的理论研究

对两种Ｔ型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究。通过求解电子波函数分析了器件的输运性质，证明了器件中栅极对电导的调制效应，即器件的晶体管功能。同时，对多模效应的研究表明，多模的相关会减弱器件的干涉效应，从而影响器件的功能。     

碳纳米管光伏器件的研究进展

碳纳米管（CNT）具有优异的电学特性和独特的一维纳米结构,是制作光伏器件的良好材料.文中介绍了单根/多根CNT光伏器件、CNT薄膜光伏器件、CNT 有机光伏器件、杯状叠层CNT光伏器件等典型CNT光伏器件,并阐述了这些CNT光伏器件的结构及特性,分析了CNT在器件中的作用.     

向射频器件提供偏置的压控集成电路

双极射频晶体管这类准线性件需要配用偏置电路。准线性器件以导通角为180～360°的共发射极电路为特点,环境温度及工作条件的变化会引起工作点漂移,偏置电路的作用是提供器件所需的电流,以对这种漂移进行补偿。 发生温度波动时,使器件受到保护,否则更     

掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制

首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程.     

RF-MEMS器件及其关键工艺技术

综合介绍目前无线通讯产品中使用的各种类型RF-MEMS器件,统一说明RF-MEMS器件的基本工作原理,并分析RF-MEMS器件加工的关键工艺技术及设计制作时应注意的问题。     

有线电视器件设计安装浅谈

有些有线电视设计人员在设计器件的安装位置时,只考虑到了技术要求,而没有考虑到便于有线电视器件实际安装及后期维修、调试等.本文从实践的角度出发,阐述了有线电视网络中各类器件安装位置存在的各种问题,分析了由于安装位置不当所造成的危害与影响,并提出了设计各类器件安装位置的具体要求及注意事项.     

压电和声波理论及器件技术

正2015年全国压电和声波理论及器件技术研讨会(2015 Symposium on Piezoelectricity,Acoustic Waves,and Device Applications,SPAWDA2015)于2015年10月30日~11月2日在山东济南召开。会议由中国力学学会(CSTAM)、中国声学学会(ASC)和IEEE超声、铁电体与频率控制学会(UFFCs)主办,山东大学晶体材料国家重点实验室和物理学院联合承办。会议议题包括:压电和铁电材料(陶瓷、晶体、薄膜和微纳米等)、压电理论(包括微纳米压电理论)、声波理论(表面波和声体波等)、压电器件设计与分析(谐振器、传感器、换能器、MEMS/NEMS等压电器件)、超声学、压电器件的加工与制造技术(包括     

用可编程逻辑器件设计语言“ABEL”开发GAL器件

可编程逻辑器件ＰＬＤ是七十年代发展起来的新型逻辑器件，近几年发展十分迅速。而ＰＬＤ中的一种－ＣＡＬ器件由于其性能及价格优良，在我国应用发展更是日益广泛。本文通过几个实例简要叙述怎样用可编程逻辑器件语言－“ＡＢＥＬ”开发可编程逻辑器件ＧＡＬ。     

可编程逻辑器件PLD及其开发

PLD是可以由用户在系统现场进行编程的逻辑器件.通过对器件编程使之实现所需要的逻辑功能,从而给数字电子系统设计带来了革命性的变化.讨论了可编程逻辑器件的发展及各类器件的特点,着重介绍了PLD器件的开发过程.     

GaN基高电子迁移率晶体管器件的可靠性及退化机制研究进展

GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件在航天、通讯、雷达、电动汽车等领域具有广泛的应用,近年来成为电力电子器件的研究热点。在实际应用中,GaN基HEMT器件随着使用时间的延长会发生退化甚至失效的情况,器件的可靠性问题仍是进一步提高HEMT器件应用的绊脚石。因此,研究器件的可靠性及退化机制对于进一步优化器件性能具有极其重要的意义。将从影响器件可靠性的几个关键因素如高电场应力、高温存储、高温电场和重离子辐照等进行阐述,主要对近几年文献里报道的几种失效机制及相应的失效现象进行了综述和总结,最后讨论了进一步优化器件可靠性的措施,对进一步提高HEMT器件的应用起促进作用。     

远程荧光LED器件光学性能研究

远程荧光器件实现了芯片与荧光粉层分离,有效缓解了传统封装方法中的散热性差的问题,有良好的应用前景,是当前研究的热点。本文利用静电纺丝工艺将荧光粉均匀分散在PVA溶液喷丝形成的空间网络结构中,研制了LED远程荧光片,制备了远程LED器件。研究了荧光粉配比、静电纺丝过程中的电压及纺丝时间对远程荧光LED器件光学特性的影响。实验表明静电纺丝工艺中电压决定纺丝成功与否,一定的电压范围内聚合物溶液才会喷射细流,纺丝时间和荧光粉配比都对器件的显色指数和相关色温有影响。     

有机发光器件光输出效率分析

本文对以MEH-PPV为发光层发光器件的光输出特性进行了研究,在考虑发光层的吸收及不同的波长情况下对器件的光输出进行了数值模拟,并在此基础上对器件进行改进.经过比较,改进后的器件提高了光的透射率和最大发光角.将此方法与Garbuzov等人设计的器件进行结合,计算得出结合后的器件比原器件的光能输出提高了约30%.     

热固性支架封装LED器件性能研究

介绍了EMC支架封装器件的主要性能及相关试验分析。试验结果表明,EMC支架封装LED器件的性能显著优于热塑性支架封装LED器件。     

PLA器件的应用

本文讨论了PLA器件的特点及在组合逻辑和时序逻辑设计中的应用.     

电子全息显示器件的驱动电路设计

“全息显示”是人们追求的一种理想的显示效果,但目前的显示器件尚不能提供真正的三维动态显示,因此需要一种新型的满足立体显示的显示器件——电子全息显示器件。为此,我们参照平板显示器件的驱动电路系统及电子全息显示器件的特性为其设计了驱动电路。     

电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响

掺杂对电致发光器件的电学性能和光学性能有着至关重要的影响。本文在总结分析实验结果的基础上 ,提出了一个发光效率随掺杂浓度而变化的理论模型 ,系统地论述了掺杂浓度对器件的电导率及发光效率的影响     

IGBT器件的一种失效模式及其克服方法

由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的原因，理论分析的结果与实验测试值相吻合．通过改进ＩＧＢＴ器件的驱动电路提出了消除电流尖峰的方法     

电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响

掺杂对电致发光器件的电学性能和光学性能有着至关重要的影响。本在总结分析实验结果的基础上，提出了一个发光效率随掺杂浓度而变化的理论模型，系统地论述了掺杂浓度对器件的电导率及发光效率的影响。