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通过化学气相沉积方法成功制备出大面积(厘米级)单层硫化钼(MoS_2)薄膜,并利用光学显微镜、拉曼显微镜、原子力显微镜等技术手段进行了有效的表征.将所制备的薄膜样品通过磁控溅射的方法镀上电极,并对其光探测性能进行了研究.研究结果表明:薄膜的结晶程度(晶粒尺寸)对薄膜光响应速率和光电导具有极大影响;薄膜的光电导对光源的波长具有一定的依赖性;在一些特定的波段,薄膜会呈现负光电导性(NPC). 相似文献
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设计了一种针对脉冲激光信号的幅度、脉宽测量系统.首先利用光电二极管和跨导放大电路进行光电转化和电流-电压(I-V)放大,然后经由现场可编程逻辑阵列(FPGA)控制的高速ADC进行模拟-数字转换,最后对采集的数据进行运算处理,得到脉冲激光的幅度和脉宽值.结果表明系统可以达到测量脉冲激光信号的幅度和脉宽的目的,测量结果准确稳定. 相似文献
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研究了长量子线系统在一真磁叠作用下的霍尔电导,结果发现了台阶状的霍尔电导,随费米能的增加,将出现了霍尔电导的淬灭及负的强振荡性的霍尔电导。 相似文献
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针对霍尔传感器运行时的故障,提出了永磁无刷直流电机(Brushless DC motor, BLDC)的容错控制运行方式,并验证其可靠性。根据霍尔传感器的故障后时间间隔的异常判断故障类型,在正确判断故障基础上采用霍尔传感器容错运行方式可以使电机保持稳定运行。Matlab/Simulink仿真结果表明,此方法可有效地判断霍尔传感器的故障类型,并可以使电机在霍尔传感器故障的情况下稳定运行。 相似文献
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《黑龙江大学自然科学学报》2016,(5)
选取L-二-2-噻吩甲酰酒石酸为配体与DyCl_3·6H_2O在室温下反应,合成了一个配位聚合物{[Dy_2L_3(CH_3OH)_4(H_2O)_2]·1.5H_2O}_(2n)。X-射线单晶衍射结果表明,该化合物结晶于P21空间群,镝离子与配体中的羧酸群组桥联,形成了一维梯形链状结构。室温下的固态荧光测试表明,该配合物表现出配体和稀土离子共发光的特性。磁学性质测试结果表明,配合物具有慢弛豫特性。 相似文献
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介绍了提拉法生长高质量掺杂硅酸铋Bi12SiO20(BSO)晶体的主要设备、仪器与工艺条件,并在实验的基础上,分析了BSO晶体在加工过程中开裂的原因,并提出了解决的办法。 相似文献
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本文利用硝酸锌作为锌源、硒粉作为硒源,采用水热法在不添加任何表面活性剂的情况下制备了ZnSe微米晶.利用差热(TG-DTA)分析仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行热稳定性、结构、形貌和光学性能表征.差热结果表明ZnSe微米晶在常温下具有一定的稳定性,在500至600℃之间存在一个很强的放热峰.XRD和SEM研究结果表明,ZnSe微米晶具有闪锌矿结构并且其尺寸大约为4.5μm.从ZnSe微米晶的光致发光谱图中可以看出样品在467 nm处存在一个较强的近带边发射峰,同时存在一个从540 nm至630 nm的很弱的与缺陷相关的发射带,这说明产物的结晶状况良好且具有良好的光致发光性能. 相似文献
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循环场技术(Field-Cycling Technique)被成功地用于核四极双共振来测量晶体中的缺陷,大大提高测量的灵敏度,并用来测量Li3N中的缺陷.缺陷的四极能级劈裂和双共振的过程在文中进行了分析.文末对测得的Li3N的吸收线进行了扼要的讨论. 相似文献
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在氟化物熔体中,详细地探讨了锆的电结晶长大机理.稳态极化结果表明锆在该熔体中的电结晶过程与电极材料的性质密切相关,在玻态碳电极上表现出电成核步骤对沉积过程的影响.计时电流实验发现锆的电结晶步骤为瞬间成核长大过程.电沉积实验表明锆结晶层按"螺位错"晶体生长方式长大,XRD分析证实其优越生长方向为Zr<110>.不同的电积工艺条件对应不同的电沉积过程,而且能得到具有不同织构方向的沉积层. 相似文献
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选用(NH4)3PO4作添加剂,生长了不同添加量的LAP晶体,实验发现:添加(NH4)3PO4后,扩大了晶体生长的过饱和温区,抑制杂晶的生长,提高了晶体利用率。 相似文献
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碲锡铅(Pb1-xSnxTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器. 相似文献
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首次报导了五磷酸镨晶体中的缺陷的X表貌研究结果,这些缺陷是铁弹畴,反相畴界,生长层和生长区界面,探讨了它们的成因及其克服办法。 相似文献
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利用制浆造纸废料木质素磺酸钠为结构导向剂,采用直接沉淀法制备了纳米氧化锌材料。使用XRD、SEM和氮气吸附-脱附实验对所合成的氧化锌进行了表征。XRD分析结果揭示产物为高结晶度的多晶六方纤维锌矿氧化锌;SEM和氮气吸附-脱附实验分析表明使用的木质素磺酸钠的量不同,制备的氧化锌形貌和比表面积不同,在一定范围内增加木质素磺酸钠用量可以增加ZnO的比表面积。 相似文献