电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响

根据成核-生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目,从而达到提高潜影形成效率的目的.     

纳米硫化镍增感的卤化银感光特性

利用微波吸收介电谱检测技术,在超短脉冲激光作用下,检测了纳米硫化镍增感的AgBr立方体乳剂中光电子的时间分辨谱,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同化学增感条件下的时间行为.还对乳剂的感光性能进行了研究,得出了感光度与反差系数随增感条件的变化曲线,结合乳剂的光电性能和感光性能,对增感条件与乳剂性能的关系,以及微观和宏观两种不同角度下结论的一致性进行了探讨.     

共价性对卤化银性质的影响

为了定量说明卤化银（ＡｇＸ）性质受其共价笥的影响，采用分子轨道理论（ＭＯＴ）和线性回归法对此加以讨论探讨成键原子轨道（ＢＡＯ）之间能级着（△Ｅ）与ＡｇＸ性质的定量变化规律，分别求得ＡｇＸ的键长、日 格能、生成热、溶解度、深度积、络合反应平衡常数的变化规律线性关系式，即：ｙ＝ａ＋ｂ△Ｅ，其中ｙ代表ＡｇＸ的性质，ａ，ｂ分别为特征常数，所得６个线笥回归方程的线性相关系数绝对值变化区间为０．９８１０～０．     

卤素转换感光乳剂的研究

在不同pAg下制备氯化银乳剂,在一定浓度的溴化钾溶液下进行卤素转换。随着pAg的降低,卤素转换乳剂的感光度有所下降,反差系数则增长。实验证明转换反应属自动催化反应类型,并具有诱导阶段。当pAg在5.0—7.5范围内,反应级数均在3.0左右。而活化能为3.68×10~4—4.56×10~4J/mol。因此,pAg的变化对转换反应的动力学性质无明显影响。本文还研究了明胶含量对卤素转换过程的影响,随着明胶含量的增加,反应的阻碍作用增大,反应亦趋复杂。     

菁染料吸附对卤化银晶体中光电子特性的影响

利用微波吸收非接触测量技术检测了尺寸为微米量级卤化银晶体的光电子衰减特性,通过分析自由光电子衰减谱的变化,发现掺入有机染料可实现AgBrI-T颗粒和AgCl立方体微晶中所积累的自由光电子加速衰减;染料在不同晶体界面的吸附聚集程度是影响光电子衰减的重要原因.     

卤化银晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法,结合自包容子程序,计算了卤化银晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度。结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。     

卤化银选择电极对干扰离子的动力学响应

用活度阶梯法研究了ＡｇＩ和 ＡｇＢｒ电极对干扰离子的瞬时响应信号。对于非单一瞬时信号,所测定的平衡电位选择性系数符合相应化合物的溶度积比值,证实瞬时信号产生的机理是离子交换反应。离子交换产物的溶度积越小,离子水合焓差越小,瞬时信号负峰高度越大,水合焓差还可以解释正负峰高度比,这些都证明瞬时信号峰电位是决定于离子交换速度而不是离子扩散速度。瞬时信号是非单一型还是单一型决定于平衡时离子交换产物的摩尔分数和干扰离子浓度,也与两离子的水合焓差有关。     

卤化银在水中溶解变化规律的研究

热力学原理是讨论物质溶解度的有效方法之一，运用热力学原理对一定条件下卤化银在水中的溶解度变化规律进行了解释，分析了引起卤化根在水中溶解度发生变化的各种因素，说明使卤化银在水中的溶解度由氟化银到碘化银依次减小的最主要因素不是离子极化，而是卤素离子水化能。     

缓冲层对银薄膜光电特性的影响

研究铜、铝作为银薄膜的缓冲层对银薄膜的光电学性质的影响.利用热蒸发技术在BK-7玻璃基底上沉积Ag(220 nm)/Al(20 nm)和Ag(220 nm)/Cu(20 nm)薄膜,沉积薄膜在温度为400、500℃的大气条件下退火处理1 h.样品的表面形貌用原子力显微镜观测,光学和电学性质分别用分光光度计和vander Pauw方法测量.实验结果表明,相对于同等条件下制备的纯银薄膜,附加缓冲层大大提高了退火态薄膜的光电性质,改善了银薄膜的热稳定性.不同的缓冲层对银薄膜光电性质影响程度不同:在同一退火温度下,在可见光谱区域,Ag/Al薄膜的反射率大于Ag/Cu薄膜;Ag/Cu薄膜的电阻率ρ小于Ag/Al薄膜,且在退火温度为500℃时Ag/Cu薄膜的ρ最小.     

卤原子的价层轨道能量对卤素某些性质的影响

卤族元素因其原子具有特殊的ns2np5价电子层结构,故表现出典型的非金属性.从卤原子价层轨道能量与卤族元素某些性质间的联系着手,用卤素原子的-EAVO来定量解释卤素某些性质表现出的规律性.     

卤素对铈催化B-Z振荡反应的影响

结合FKN模型研究了卤素F-,Cl-,I-离子对以铈催化的B Z振荡反应的影响机理,结果表明,F-,Cl-,I-对B Z反应体系有显著的抑制作用,但它们对B Z反应的影响机理各不相同.F-与反应体系中的Ce3 反应生成CeF3(Ksp=8 0×10-16)对反应产生抑制作用,Cl-,I-则与反应的中间体(HOBr或HBrO2)反应干扰振荡行为.     

银配合物催化下查尔酮的胺卤化反应

通过对催化剂、溶剂等因素的研究,优化了查尔酮与N,N-二氯对甲苯磺酰胺的胺卤化反应条件.在氮气保护下,用配合物对甲苯磺酸银(1,10-啡咯啉)为催化剂,二氯甲烷为介质,查尔酮与N,N-二氯对甲苯磺酰胺室温下反应24 h,得到化合物3-氯-1,3-二苯基-2-对甲苯磺酰胺基-1-丙酮,产率88.5%,顺反选择性为95∶1.     

金属基砂轮参数对机械损坏以及银层破坏的影响研究

机械设备的损坏与银层的破坏会直接影响项目的工作效率,对企业的经济效益也会造成一定的损失。为此,金属基砂轮参数设置的好坏对机械损坏以及银层的破坏具有至关重要的作用。首先对金属基砂轮的滚轮的磨削转速和进给速度进行参数的设定,然后分别分析机械损坏以及银层破坏的影响,最后结果证明,采用正确的参数设定方法,可以有效的维护设备的使用寿命,对工程的技术操作具有指导性的意义。     

阻尼对灵敏度分析的影响研究

所有的结构都呈现一定形式的阻尼,系统按阻尼值的大小可以分为过阻尼系统、临界阻尼系统和欠阻尼系统。过阻尼系统的响应只含有衰减成分,没有振荡趋势。欠阻尼系统的响应是一种衰减振荡,而临界阻尼系统则是这两种系统之间的一种分界。通过变化阻尼值的大小,研究灵敏度算法中阻尼的影响,研究结果表明,阻尼的变化在没有引起模态跳跃和密集的情况下,对灵敏度分析的计算结果的影响较小。     

卤素掺杂对多壁碳纳米管导电性能的影响

通过气体吸附,制备了掺氯、溴、碘的多壁碳纳米管材料.与未掺杂多壁碳纳米管(MWNTs)相比,掺氯MWNTs电导率提高到原来的5倍以上,掺溴MWNTs电导率提高到原来的3倍左右,掺碘对MWNTs电导率基本无影响.用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)分析研究了卤素和MWNTs间的相互作用.同时研究了载流子浓度和迁移率对复合材料电导率的影响,结果表明:卤素的电负性越强,掺杂后多壁碳纳米管的载流子平均自由程提高越多,载流子迁移率提高越大;卤素与MWNT s之间的相互作用越强,产生的载流子越多,掺杂后的MWNTs载流子浓度提高越大.     

银钯内电极浆料对片式多层陶瓷电容器性能的影响

分别制备了三种不同烧结收缩特性,以及两种由不同粒径无机添加剂组成的电极浆料。研究了电极浆料与介质烧结收缩匹配性、电极厚度、无机添加剂粒径对多层陶瓷电容器(MLCC)性能的影响。结果显示电极浆料与介质的烧结收缩越接近,产品无损检测缺陷越少。电极越厚产品耐焊后越容易出现瓷体裂纹;而电极越薄电压处理后越容易出现电容量精度偏差超标。无机添加剂粒径过大会造成产品电容量变小。     

化学增感中心促进卤化银潜影形成的理论解释

针对化学增感中心的特点,采用经典近似,从理论角度分析了硫加金化学增感中心的存在有利于卤化银感光材料潜影的形成,并借助于理想模型,通过简化因子计算了硫加金增感中心的有效电荷数z(0.42)、光电子在增感中心上的停留时间τ(1.4ns)及捕获中心的半径R(0.59nm)和截面积S(1.1×10-14cm2)等相关参数。     

直接正性卤化银成像体系的形成要素及调控方法

研究了直接正性照相乳剂性能改善的调控方法，发现卤化银晶体的结构特征具有重要影响，多层结构乳剂显示出最佳的感光特性。灰化过程的控制影响到灰雾中心的形态和分布，灰化方式的变化能有效地调控影像最大密度和感光敏度。有机减感染料在直接正性照相乳剂中的应用大大改善了其反转速度。碘在卤化银颗粒表面的存在便直接正性照相乳剂的感光敏度有明显的增加。     

分压箱对电位差计灵敏度的影响

采用实验的方法,研究了直流分压箱的电阻值对电位差计灵敏度的影响.结果表明,当电位差计的灵敏度达到10时,实验结果接近实际值.这对科学设计和选择直流分压箱的电阻值提供了一种参考依据.     

冻结距离对温度场影响的灵敏度分析

人工冻结法凿井中冻结距离对冻结壁温度场的影响范围和影响程度一直未有明确的结论,在冻结工程实测数据的基础上,通过建立附加动量BP网络的灵敏度计算模型,分析得出了不同冻结时间段下不同冻结深度的黏土层和砂层的冻结距离对温度场的影响定量分析结果,对于进一步辨识多圈管冻结壁温度场的计算模型、进行多圈管冻结设计参数的合理选取等具有一定的参考价值。