Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性,对光致发光谱的温度地详细的研究,光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致,从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式,研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明,光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.     

褥垫层厚度对复合地基承载力的影响

针对褥垫层厚度对复合地基承载力的影响,建立三维复合地基数值计算模型,其桩群为CFG桩,采用MIDAS/GTS有限元计算软件模拟不同褥垫层厚度下,复合地基的受力特征和地基沉降变形大小,并根据复合地基承载力特性对褥垫层厚度进行优化,得出使复合地基承载力最佳的褥垫层厚度,为实际工程提供数据参考。     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备

利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结,并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。     

轧制应变速率参数ε的精确计算方法

该文采用精确接触弧参数方程，设定运动许可速度场与应变速率场，经参量积分与积分中值定理提出一个精确计算轧制应变速率ε的计算公式，经测试实例与目前各惯用公式进行了比较。     

利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％;势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.     

圆形基坑无支护直立开挖的临界高度计算

对圆形基坑无支护直立开挖的临界高度进行了计算，并与平面问题的临界高度进行了比较，结果表明：圆形基坑无支护的临界直立高度比平面问题时大，且半径越小影响越明显；粘聚力和内摩擦角也产生有利影响。     

对有限元法计算悬臂转子临界转速的修正

针对悬臂转子的圆盘一般具有较大宽度的特点，应用Lagrange方法推出了宽圆盘单元的单元方程并编制了相应的有限元计算程序，仿真计算表明：圆盘宽度对一阶临界转速有较大影响，不计圆盘宽度得到的结果比计入时偏大，但对三阶以上临界转速的影响不大。     

水平流体层中声波频散方程式根的计算与分析

研究了水平流体层中声波频散方程式实根的分布．计算结果表明，在一定频率下频散方程存在一个或多个实根，由实根分布可以预测在水平流体层中导波的传播机制．     

加工硬化对薄膜/基底体系临界压痕极限的影响

使用有限元法模拟了具有加工硬化的薄膜/基底体系在Berkovich压痕下的力学响应,讨论了薄膜与基底屈服强度比、薄膜/基底的加工硬化和压头尖端半径对临界压痕极限的影响.研究发现：薄膜的加工硬化使临界压痕极限减少,而基底加工硬化没有产生明显的影响;同时,随着压头尖端半径的增大,临界压痕深度减少.     

气体浓度检测技术的现状和应用

分析了气体浓度检测技术的研究现状,介绍了目前国内外较为常见的7种气体浓度检测方法的检测原理、适用范围及其优缺点,并对气体浓度检测技术的发展前景进行了分析和展望.     

临界状态下中立型时滞差分方程解的振动性

考虑中立型时滞差分方程　　△ (xn-pnxn-k) qnxn-l =0 ,n =0 ,1,2 ,… ( )其中pn,qn(n =0 ,1,2 ,… )是实数且pn≥ 0 ,qn≥ 0 ,k和l是非负整数 ,获得了临界状态下方程 ( )所有解振动的一个充分条件 .     

一类非局部反应扩散方程的临界爆破指标

用试验函数法和上下解方法研究一类来源于燃烧理论的非局部反应扩散方程的临界爆破指标的存在性,并且讨论了临界爆破指标属于爆破的情形.     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(x nm)/NPB(40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0 nm、1.0 nm、1.5 nm、2.0 nm变化,其它层保持不变.当x=2 nm时,其器件性能最好,在15 V时亮度达到最大,为5 876 cd/m2.器件的开启电压较低,在5 V的驱动电压下亮度达到10.5 cd/m2,器件在8 V电压时电流效率达到最大,为3.22 cd/A;且器件的色坐标稳定,在5 V到13 V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

声雷达探测边界层高度的研究

边界层高度的确定是目前边界层气象学研究的重要课题,在大气环境保护工作中极为重要.本文通过南京气象学院观测场的声雷达探测资料对边界层高度的时变模式进行检验研究.