随机晶场作用的铁磁自旋系统的临界特性

在伊辛模型的框架内考虑随机晶场作用的铁磁自旋系统的临界特性用有效场理论推导平方格子的磁化表达式 ,重点研究系统的临界特性 ,在某些晶场和随机浓度的范围内呈现出一些新的临界特性 ,我们详细讨论随机浓度对临界特性的影响 ,并给出了相图和磁化曲线     

基于无序Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料临界性质研究

在有效场理论的框架内,基于无序Blume-Emery-Griffiths模型研究铁磁材料的临界性质,模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度的增加而扩大,晶场的两种不同随机行为显著地影响一级相变区和重入相变.     

稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性

运用切断近似的方法，在有效场框架下，对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel（BC）模型的相变进行了研究。具体分析了三种键无规分布的BC模型。分别探讨了系统三临界点（TCP）随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征，对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较，并给出相应的相图。     

二模外场下键稀疏铁磁混合Blume-Capel模型的磁化

利用有效场理论和切断近似,研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1／2和1的Blume-Capel模型的磁化．在M-T空间中,重入磁化现象出现在适当的晶场范围内,键稀疏的引入可在两个不同的晶场区出现重入磁化．在M-H空间中,磁化趋于零时临界磁场在整个晶场范围内表现出振荡行为．而键稀疏对这种行为有弱化作用,并导致磁有序区减小．     

Blume-Capel模型的相变特性研究

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键尤规Blume-Capd模型(BCM)的相网进行了研究,具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种尤序因子的变化关系及相变曲线呈现的新特征,给出了相应的相图.     

简立方晶格键和座稀疏横向伊辛系统的临界特性

本文在有限集团近似的框架内分别研究了自旋１／２简立方晶格键和座稀疏横和同伊辛自旋系统的临界特性。     

正负晶场作用的键稀疏BC模型的相变特性

在有效场框架下,对正负晶场作用的键稀疏BC模型(BCM)的相变进行了研究.具体分析了三临界点(TCP)随正负晶场和键稀疏这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出了相应的相图.     

稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性

运用切断近似的方法,在有效场框架下,对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel（BC）模型的相变进行了研究.具体分析了三种键无规分布的BC模型.分别探讨了系统三临界点（TCP）随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较,并给出相应的相图.     

稀疏晶场作用的键无规BCM的相变特性和自发磁化

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键无规BC模型(BCM)的相图进行了研究。具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出相应的相图,并给出自发磁化曲线。     

外场作用下稀疏晶场分布和对称晶场分布的BC模型相变特点研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,对有外场作用的Blume-Capel模型的相图进行研究,探讨外场对2种晶场分布形式(稀疏晶场分布和对称晶场分布)的BC模型相图的影响,并给出相应的相图.在晶场稀疏分布情况下,外场的存在,系统的三临界点(TCP)存在的晶场稀疏浓度范围变大;有序相的区域变大;系统基态晶场简并模式数减小.而对于对称晶场分布情况,外场的存在,三临界点存在的晶场随机浓度范围和系统基态晶场简并模式均没有发生变化.     

Dzyaloshinskii-Moriya作用对Blume-Capel模型热力学性质的影响

应用二自旋集团平均场近似的方法,研究了蜂窝格子上具有Dzyaloshinskii--Moriya（DM）作用的Blume—Capel模型的临界性质,得到了该系统的相图。结果表明,此系统存在三临界点,并且三临界点不是随DM作用参量单调变化。系统的这种临界行为可以解释为交换耦合作用、晶体场作用和DM作用三者之间相互竞争的结果。     

具有Dzyaloshinskii-Moriya作用和晶体场作用的Heisenberg模型的临界性质

利用平均场近似的方法,研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)作用和纵向晶体场作用的自旋S=1的Heisenberg 模型的临界性质,得到了该系统的相图.研究结果表明:所研究系统存在三临界点,并且约化晶体场作用参量和约化 DM作用参量分别连续变化时,系统的三临界温度不随相应参量单调变化,约化三临界温度分别存在一个最小值.系统的这种临界性质可以解释为系统的交换耦合作用、晶体场作用DM作用之间相互竞争的结果.     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.