等离子体环境中正电子与氦原子碰撞电子偶素形成过程理论

正负电子偶素(Positronium, Ps)的形成是正电子-原子碰撞过程中独有的物理过程。为了探究正电子与氦原子散射过程中正负电子偶素形成的问题,应用屏蔽近似模型下的光学势理论方法研究了等离子体环境中正电子-氦原子碰撞的电子偶素形成过程,计算了0～100 eV入射能量区域内总的正负电子偶素形成截面(1s+2s)。在计算等离子体环境中靶原子体系的能级及波函数时,应用屏蔽的氦原子模型势描述了屏蔽效应对粒子间相互作用的影响。电子偶素形成截面计算结果与已有的其他理论、实验结果对比并进行了分析。验证了在中低入射能量下,屏蔽模型下的光学势理论方法对于处理正电子-氦原子散射问题具有有效性。     

低能正电子与氦原子的弹性散射

对电子与氦原子相互作用的模型势进行了修正.用修正前后的模型势计算低能电子被氦原子散射使得S分波相移与实验结果一致,把同样的模型势(忽略交换势)应用到低能正电子被氦原子散射,得到了低能正电子的分波相移、弹性散射截面、动量转移截面.结果表明,用修正后的模型势所得到的结果与实验值符合得很好.从而说明对模型势的修正是合理的.     

正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算

正电子与原子碰撞问题是原子分子物理的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多方面都有着密切关系.正负电子偶素形成问题是正电子与原子散射中一种特殊的物理过程,为了研究正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题,利用光学势的理论方法分别计算了能量范围2～30 eV的正电子散射铷原子、铯原子基态下(n=1)的正负电子...     

用STO波函数研究正电子与氪、氙、氡的弹性散射

用模型势方法 ,采用STO波函数 ,计算了正电子与Kr,Xe ,Rn的相互作用势 ,进而用分波法系统计算了低能正电子与氪、氙、氡原子弹性散射角在 2 0°～ 16 0°的微分截面 ,结果与现有的理论计算及实验数值吻合 ,并总结了低能正电子与稀有气体原子散射角分布的规律     

德拜势下正电子与碱金属原子(Na、K、Rb、Cs)碰撞的电子偶素形成过程

应用光学势方法研究了德拜等离子体环境下,能量在2～60 eV正电子与碱金属原子碰撞过程中的电子偶素(Ps)形成.通过碱金属原子的模型势对其进行德拜等离子体环境下的修正来描述靶原子体系的波函数,由Debye-Hückel势描述粒子间(电子与原子实之间)的相互作用.计算了不同屏蔽因子下的电子偶素形成截面,研究了屏蔽库仑势对...     

低能电子与Li^＋离子弹性散射相移的计算

本文采用萄清泉等人设计的五参数原子解析波函数,对电子在L_1~+离子场中的库仑势,极化势,交换势进行了计算。并且通过计算机计算了慢电子与L_1~+离子弹性散射相移δ_1,并与其他计算结果进行了比较。     

双模激光场中原子势场研究

应用一阶玻恩近似理论,分别利用Yukawa势、静电屏蔽势及光学模型势对双模激光场中电子-氩原子散射的微分散射截面进行了研究计算.从计算结果可以看出,极化和交换效应在散射过程中起着重要作用,同时也表明光学模型势能够准确的描述激光场中的原子势场.     

慢电子与氧原子碰撞的理论计算

对等效势模型中的极化势进行了修正,使其在近区描述的入射电子对靶原子的极化作用更符合实际.计算了电子与氧原子碰撞的弹性总截面、动量转移截面和微分截面,结果有较大改进,与其他的实验和理论值符合得很好.     

低能电子与Xe原子弹性碰撞的研究

本文利用新的关联极化势公式，并考虑相对论效应，在０．４～３０ｅＶ能量范围内，对低能电子与隋性气体重原子氙弹性碰撞相移和总截面进行了计算和研究，获得了满意的结果。     

计算正电子与钾原子碰撞的总散射截面

应用耦合通道光学势方法计算低能正电子同钾原子碰撞的总散射截面． 在 Ｐ 空间的耦合积分方程中包括 ８ 个能量最低的散射通道, 用 Ｑ 空间的复光学势描述的正负电子偶素所形成的通道和电离通道, 被附加到 Ｐ 空间的通道耦合中． 计算结果表明, 电离和正负电子偶素的形成在正电子和钾原子碰撞散射体系中起着重要的作用．     

用PAT和SAXS研究羧酸型聚酯聚氨酯离聚体的微畴结构

本文用羧酸型聚酯聚氨酯离聚体和它的金属盐材料作正电子湮没(PAT),小角X射线散射(SAXS)以及比重法测量材料密度的实验,实验的结果表明,随着金属离子价数的增加,反离子半径增大,微畴体积增大,材料中的自由体积减小。本文还讨论了PAT和SAXS实验应用范围,并表明PAT是研究羧酸型盐聚酯聚氨酯离聚体微畴结构的有意义的方法。     

Design of a Compton Polarimeter for BEPC

Introduction　　TherehavebeenmanystudiesofJ/Ψ,Ψ,Ds,andτleptonsincetheopeningoftheBeijingElectron-positronCollider(BEPC)whichhasreceivedworld-widerecognition.Theaccuratemeasurementoftheτleptonmassisperhapsthemostnoteworthy.ThenextrunatBEPCmayincludeastudyofthepolarizationoftheelectronbeam.ThefirststepinthepolarizationstudyatBEPCistomeasurethetransversepolarizationandtooptimizethebeamorbitparameterstoachievemaximumpolarization,soastoprovideusefulinformationforfurtherstudiesoflongitudi…     

用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷

本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。     

S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

Evidence of Positron Trapping into Defects in Zn-Doped GaAs

0　IntroductionPositronlifetimespectroscopy ,whichisdirectlysensitivetovacancy typedefects,isanestablishedmethodforstudyingthedefectinsemiconductor[1 ] .Uptonow ,manyworkshavebeenreportedonn typeGaAsandsemi insulating (SI) typeGaAsusingthistechnique.Ithasbeenprovedthatpositronanni hilationspectroscopyisaefficientmethodtodetectdefectsinsemiconductor[2 ,3] .However,muchlessstudiesconcernedwithp typematerialshasbeendone .Thereisadiscrepancyonpositrontrappingintodefectsin p \|typeGaAs.Somestu…     

高温超导体的正电子湮没研究(续)

本文在文献的基础上,进一步测量稀土系YBaCu_xO_y在T_c附近的正电子寿命谱,同时测量了成分相同非超导样品,实验结果证实超导寿命谱在T_c附近有跃变发生,伴随无规则振荡现象,至于非超导样品,τ-T曲线形式则无跃变发生.还测量了非稀土系高T_c超导体BiSrCaCu_xO_y在相变温区的正电子寿命谱,也发现在T_c附近有跃变、无规则振荡,但振荡区域比稀土系样品要宽.样品YBaCuO中,Y,Ba,Cu的氧化物按1:2:3配比,以不同的氧含量,得到T_c=90 K的超导样品Ⅰ和非超导样品Ⅱ.样品BiSrCaCu_xO_y中,按配比Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2,以适量氧含量,得到T_c=83 K的超导体Ⅲ,所有样品均为圆片,直径约为15mm,厚为1.5mm.放射源为强度8×10~5Bq的~(20)Na正电子源,衬底为Mylar膜.两片相同的样品夹住正电子源,置于样品架中.测量在空气中进行,测量所用的寿命谱仪为标准的块一块符合系统,对~(60)Co