Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

BF^＋对^29Si^＋注入GaAs层的影响

研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF~+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。     

MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.     

Si^＋和S^＋注入SI—GaAs白光快速退火特性

研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si~+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si~+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.     

Si^＋／As^＋双离子注入SI—GaAs对注入层电激活均匀性改？…

研究了单（Ｓｉ＾＋）双（Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋）离子注入半绝缘砷化镓电激活的均匀性,结果表明,ＬＥＣＳｉ－ＧａＡｓ衬底中深电子陷阱能级均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响,当ＳＩ－ＧａＡｓ中碳含量小于５＊１０＾１５ｃｍ＾－３时,对注入层电激活影响不大,采用多重能量Ｓｉ＾＋注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子注入可改善ＬＥＣ ＳＩ－ＧａＡｓ衬底中ＥＬ２横向不均匀分布对电     

Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

Mn^＋注入GaAs中Ga—Mn二十面体准晶的形成

利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＾＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成。能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点，这些具有２／ｍ３５↑－对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５↑－／／〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３↑－／／