浅析新型纳米半导体包覆材料的制备及其光催化性能

文章首先以氧化锌为例介绍了新型半导体包裹材料的性能并分析了半导体光催化技术的催化机理、特点,然后阐述了氧化锌纳米半导体材料包覆材料的两种制备方法,最后通过实验分析的形式研究了氧化锌纳米半导体材料包覆材料的光催化性能。     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

纳米金刚石半导体薄膜传感器的研究与模拟

金刚石具有很强的抗辐射性、耐腐蚀性能,被誉为发展前途广阔的第三代半导体材料。本文将从纳米金刚石半导体薄膜的研究现状出发,并详细分析了使用纳米金刚石薄膜压力传感器,并通过实验的方式制作与完成整个传感器的模拟实验。     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

纳米CdS合成方法及应用研究进展

硫化镉作为一种重要的纳米半导体材料,在光吸收、光催化和传感器等方面有着广泛的应用.文章主要介绍了纳米硫化镉的合成方法及优缺点,并对纳米硫化镉的应用进行了综述.     

非水相合成在非氧化物半导体纳米晶材料制备中的应用进展

半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相合成相对于已报道的其它方法而言,具有很多优点,如:单分散性好,粒径容易控制、产物的结晶度高等,而越来越被研究者关注.本文对近几年关于半导体纳米晶材料的非水相合成方法进行了综述.     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望

从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发，报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况，并对今后材料研究的主攻方向发表见解．     

单晶硅的表面光电性质研究

建立了有源、无源表面光电压谱测量系统,并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究,为进一步研究复合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程,研制高性能光电转移纳米结构材料提供了实验方法。     

半导体微结构间电场的研究

分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响，并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较．结果表明：当半导体微结构间距离在１ μｍ 以上时，可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响；当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时，空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大，此时分析电场一般不能利用金属极板公式．微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关．     

自旋电子学

本书是关于自旋电子学的新著，内容涉及磁纳米结构的材料、制造和特性，磁纳米结构中的磁性和自旋控制，半导体中的磁光性质、磁电子学及器件。     

试分析纳米氧化锌的制备及其光催化性能

纳米氧化锌是一种面向21世纪的半导体材料,在陶瓷、化工医药、生物等领域得到了广泛的使用。近年来,纳米氧化锌不断得到重视,对于纳米氧化锌的研究也逐渐增多,并且在试验中制备了不同结构的氧化锌材料,并研究了纳米氧化锌的性能。纳米氧化锌的重要作用使得对于纳米氧化锌的研究具有了非常重要的现实意义。本文将主要分析纳米氧化锌的特性、性质、应用和制备办法,以及它的光催化性能。     

金属Ag表面等离子体诱导光催化机理的研究进展

等离子体光催化剂在有机污染物的降解、水的消毒、细菌的破坏以及光伏燃料电池等方面都有潜在的应用前景.本文综述了近年来金属Ag表面等离子体诱导光催化机理的重要研究进展.金属Ag诱导等离子体光催化剂光催化活性的提高大致可以分为三类：对于金属Ag纳米结构复合半导体材料,等离子体Ag纳米结构与半导体界面的直接电子转移发挥了主要作用;对于金属Ag复合AgX(X=Cl, Br, I)材料,光催化活性的提高是基于AgX与金属Ag纳米结构附近强的表面等离子体诱导电磁场的相互作用;对于三元复合等离子体光催化材料系统,光催化活性的增强可以用金属表面等离子体共振效应结合双电荷转移机制来解释复合光催化材料的光催化机制.     

影响二氧化钛光催化活性的主要因素

纳米TiO2是一种高效节能的光催化功能材料．文章探讨了纳米TiO2晶型、粒子尺寸、表面贵金属沉积、金属离子掺杂、半导体的复合、表面羟基、表面结构等因素对TiO2光催化活性的影响．     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .     

纳米半导体材料钨酸镍的制备及吸附有机染料亚甲蓝的研究

采用水热共沉淀法合成钨酸镍纳米半导体材料,通过扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD),能谱仪(EDS)对其结构和形貌进行表征.以亚甲蓝溶液作为被吸附对象进行研究,分别考察NiWO_4的加入量,pH值,亚甲蓝的初始浓度,pH值,反应时间对其吸附性能的影响.实验证实,NiWO_4对亚甲蓝溶液具有很高的吸附性能,本研究为NiWO_4纳米半导体材料对有机染料废水的处理提供了一定的思路.     

半导体介晶综述

介晶是纳米晶粒通过有机物桥连、部分通过有机物或部分自身连接以及完全通过自身连接在一起形成具有介观尺寸(1~1 000 nm)的三维有序组装体,表现出类似单晶的衍射花样。为更好地利用介晶半导体材料,概述介晶半导体材料的生长机理,即粒子介导的形成过程;总结介晶半导体光催化材料Ti O2、Zn O、WO3、Bi2WO6、Cd S/Cd Se和Pb S等在能源和环境方面具有应用潜质的制备方法;结合介晶结构分析,讨论半导体材料中缺陷的检测方法及其分布,以及缺陷对光催化性能的影响;展望介晶半导体光催化材料的应用前景。     

Ge纳米结构的制备技术与发光特性研究进展

Si基纳米发光材料与器件的研究是目前半导体光电子技术领域中的一个活跃前沿.除了Si纳米晶粒、Si量子点和Si/SiO2超晶格等Si纳米结构之外,属于同族元素的Ge纳米结构也因其所具有的优异特性,而呈现出良好的发光性能.评述了Ge纳米结构的制备方法与发光特性在近年内取得的研究进展.     

磁性材料 中国科学家谈科学

20世纪80年代以来,国内外重点研究与开发纳米磁性材料以及自旋电子学材料,取得很好的社会效应与经济效益。自旋电子学作为磁性材料研究的新领域将成为磁与半导体材料有机结合的范例。     

一种新型ZnO基微型电极的设计研究

本文提供了一种新型ZnO基微型电极的设计方案,即将半导体材料ZnO纳米棒阵列作为电极材料,它能够保证电极无毒无害的基础上实现其微型结构的设计,其关键技术在于如何控制纳米棒的尺寸和取向.文中采用不同的化学方法(水热法、化学溶液沉积法等)生长ZnO纳米棒阵列,并通过改变实验条件控制纳米棒的尺寸和取向.研究结果表明,采用冰水CBD和两步CBD法可以有效地控制纳米棒的尺寸和取向.