4f电子间的相互作用与镧系元素第3～6电离势

镧系元素的第3、4、5、6电离势随4f电子呈双颠峰变化,休格尔(J.Sugar)和里德尔(J.Reader)按电子结构能级间的能量关系,把它们写为下面的形式: I= E(4f~(q∞s))-E(4f~(q 1))=[E(4f~(q∞s))-E(4f~(q6s))] [E(4f~(q6s))-E(4f~(q5d))] [E(4f~(q5d))-(4f~(q 1))]=T δ △E SD.他们并用半经验的方法计算了第3、4、5电离势.我们在此基础上外推计算了第6电离势. 前面的工作已指出,T值与q间较好地     

镧系元素第六电离势的计算

Sugar和Reader根据光谱数据,半经验地计算了镧系元素的第一、二、三、四、五电离势,但是由于缺乏必要的光谱数据,使进一步的计算遇到了困难。近来,Sinha使用了斜体W规则计算了镧系元素的第六及其更高的电离势。我们根据前面工作铂中得到的T值与4f电子数N之间的线性关系,根据从光谱数据得到的能级间能量间隔SD、△E的规律性,以及光谱     

关于电离势计算的一个新经验公式

原子的各级电离势值,反映了基态原子、正离子中电子能级的大小,同时也是对X光谱线系的各级极限的直接说明.因此,电离势的计算是量子力学中一个重要的课题.量子力学虽然给出了一个自由多电子原子或离子的哈密顿(Hamilton)算符     

计算电子亲和势的新方法

作者注意到:(1) 在等电子系列中,利用正离子和原子的电离势值Ⅰ和核电荷数Z的关系,外推得到的负离子的电离势值均比实验值低。(2) 在等电子系列中,利用正离子和原子的屏蔽系数σ与核电荷     

多电子原子模型势理论中的矩阵元计算

最近,郑能武提出了一个近似描述多电子原子或离子体系中单电子运动的势模型。应用这一新的势模型,并根据实验光谱或电离数据确定模型势的参数后,单电子的径向波函数可用广义拉盖尔函数表示。 如果以该模型作为量子化学计算的出发点,我们还需计算各种幂次径向算符的矩阵元。本     

镧系金属结合能的计算——兼论4f电子的作用

镧系稀土元素的若干奇异特性及其在钢中的优良作用早已引起人们的注意,但要更有效更广泛地应用它,就必须从电子结构的深度揭示其物理本质。而这又是一个十分棘手的问题,因为它既要涉及未满的d壳层,又要涉及f壳层。如果说f电子还能够用Heitler-London的     

失屏、钻穿、电荷效应及电离势的计算

利用屏蔽系数计算原子电离势是被广泛引用的简便方法。Sbater方法是按z~*=z—σ计算有效核电荷,且把σ当作不随核电荷变化的常数,陈念贻、金松涛皆指出不同元素原子的相应轨道的屏蔽系数σ应该随核电荷z变化。σ从实质上来说是屏蔽效应、钻穿效应、轨道-轨     

4f屏蔽与镧系元素的第一、第二、第三电离能——SLATER法的应用和改进

镧系元素的第一、第二、第三电离能,前人曾做过很多的研究。文献[1]总结报道了用表面电离法和电子冲击法测定的第一电离能的实验值以及用一种半经验光谱法计算的第二电离能,至于镧系元素的第三电离能,大多是用经验方法间接估计。温元凯等又应用Born-Haber热化学循环于稀土元素氯化物,计算了全部镧系元素的总电离能和第三电离能。     

多电子原子或离子模型势理论中径向幂平均值的计算

在郑能武所建议的近似描述多电子原子或离子的新模型势理论中,本文作者曾根据广义拉盖尔函数的性质,克服了在平均值计算时由于拉盖尔多项式宗量不同而带来的困难,     

多电子原子或离子体系模型势理论中旋-轨耦合系数的计算

应用郑能武所建议的近似描述多电子原子及离子的模型势理论,作者曾导出了一个计算任意幂次算符r~k矩阵元的公式,使用该式可以对各类跃迁振子强度进行计算。进而,为了能方便的计算多电子原子及离子任意激发态的旋-轨耦合能,本文利用正负幂平均值之间的关系和各幂次平均值之间的关系,导出了一个计算旋-轨耦合系数的简易公式。     

镧系元素[LnCp_3L]和[LnCp_3X]~-类型结构的计算与推测

虽然人们很早就认识到配体的大小,形状等几何因素对于分子结构有着重要的影响,但这一因素在定量处理中却受到忽视。当然,可以在目前所公认的分子轨道理论的基础上再增加考虑一项由空间效应带来的“微扰”;或者将成键原子团的内层电子轨道或密度进行“几何参数化”。这二条研究空间效应的途径都不可避免地带来冗长烦琐的计算,很难使人们在大量其它     

La2-xSrxCuO4(0.03

赵彦立  许祝安  张宣嘉  焦正宽 《科学通报》2001,46(23)

β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算

用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构。计算出的β-SiC晶体结构参数。晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好，用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表达的原子与电子结构。结果表明，表面顶层原子发生键长收缩和旋转豫特性，表面阳离子Si向体内移动而阴离子C向表面外移动，这与Ⅲ-Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似，表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp^2杂化方式与其三配位C原子成键，C原子趋向于以锥型的p^3试民其三配位Si原子成键，另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变。     

分子间C-F…H-C赝氢键电子结构与性质的理论计算

采用密度泛函B3LYP(Becke,three-parameter,Lee-Yang-Parr)/6-311++G**和HF(HartreeFock)/6-311++G**方法,从理论上探讨了2-F-四氢呋喃(2-F-Tetrahydrofuran)分别与几种常见而重要的生物小分子咪唑(Iminazole)、嘧啶(Pyrimidine)、腺嘌呤(Adenine)和鸟嘌呤(Guanine)等分子间的弱相互作用,发现分子间同时存在N…H常规氢键和C-F…H-C赝氢键结构.弱相互作用能计算表明4个复合物的相对稳定性顺序为:Guanine…F>Iminazole…F>Adenine…F>Pyrimidine…F.通过对C-F…H-C赝氢键几何结构、振动频率、自然键轨道和电子密度拓扑性质的理论计算,总结了C-F…H-C赝氢键不同于常规氢键的4个特征.当分子中的F官能团作为电子供体与另一分子中的H-C-基团(电子受体)相互作用时,F会活化C-H,从而形成分子间或基团间的弱相互作用——C-F…H-C赝氢键.     

三维杂金属(3d-4f)配位聚合物: {[Ln2Cu(pydc)4(H2O)6]•2H2O}n的合成与结构

在水热条件下(160℃), 通过稀土氧化物(Ln₂O₃)、氯化铜(CuCl₂)与2,5-吡啶二甲酸(H₂pydc)反应合成了两个新颖的3d-4f配位聚合物{[Ln₂Cu(pydc)₄(H₂O)₆]•2H₂O}_n [Ln = Eu(1)和Gd(2)]. X射线晶体学研究表明, 配位聚合物(1)和(2)是同晶异质体, 都具有开放的三维网状结构. 晶体结构和热重分析结果都表明在配位聚合物内存在较强的氢键相互作用.