激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化 ;通过对电导率 -迁移率谱的研究 ,发现激光退火能够消除辐射损伤 ,并激活注入杂质 .     

激光与砷注入碲镉汞的相互作用

利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns,波长为 1 .0 6μm )对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化 .激光能量密度越大 ,激光退火的效果越明显 .要达到理想的退火效果 ,样品表面需处于熔化状态 ,重新组织晶格结构 .     

激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用ＹＡＧ脉冲激光器（脉宽为１０ｎｓ，波长为１．０６μｍ）对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化；通过对电导率－迁移率谱的研究，发现激光退火能够消除辐射损伤，并激活注入杂质。     

高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究

引言近儿午来,离子注入硅的激光退火研究,引起了人们广泛的兴趣。许多文献报导,高功率脉冲激光退火,能够消除离子注入硅引起的辐射损伤,并使非品态转变为单品。但是,对于激光退火硅样品表面的氧沾污和扩散问题却研究不多。从仅有的研究中发现,不同作者所得结果颇不一致。文献[4,5]从深能级的瞬态谱研究结果证实,经激光退火     

激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算

一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。     

单晶表面圆形吸附岛尺寸分布函数的计算方法

本文推导出根据低能电子衍射(LEED)在2π立体角内的散射通量,确定单晶表面圆形吸附岛尺寸分布函数的计算公式.它适用于其衬底表面结构为正方形网格或矩形网格的任何吸附系统.     

激光脉冲使硼在硅中扩散

几年前,苏联一个科研小组,提出采用激光对离子注入的样品进行退火处理,取代过去惯用的热退火处理,对晶格损伤的修复和杂质的电激活效果更好.同时发现在激光退火的过程伴随注入杂质离子的快速扩散而重新分布.其扩敞迅速程度,不能用固相扩散过程来解释,因为根据激光退火实验所得的扩散系数比一般固相热扩散的大     

磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究

本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~ 注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.     

衍射仪正反法及其应用

本文叙述用常规粉末衍射仪精确测定单晶与单晶外延膜的点阵参数的一个新的简便方法.(衍射仪正反法).它跟测定单晶外延膜点阵参数的诸方法相比,准确度高而且只须用常规粉末衍射仪.     

激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展

硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退火工艺是制约生产成本的一个重要环节。本文利用激光退火方法对高掺杂多晶硅衬底的非晶硅外延薄膜进行处理,实验结果表明,激光退火实现了非晶硅薄膜的晶化,电性能达到太阳能电池板的生产要求。     

1,8-萘啶氮氧化物与高氯酸铬配合物的研究

在非水溶剂中制备出1,8—萘喧氮氧化物与高氟酸铬形式的配合物单晶,确定了它的组成.进行了红外光谱、摩尔电导、磁矩、氧化还原性质、热重分析及差示扫描量热等测试,并作了x射线单晶衍射结构分析.结果表明,Cr~(3+)离子与3个配体的氧原子和氮原子配位,配位数为6.     

金屬和合金單晶體的製備方法

由于金属或合金单晶體的机械强度很低,并且常见的结晶状態是多晶状態,所以在技术和工程上是很少用单晶状態金属作原材料,而是用多晶状態.不过在我们研究金属和合金的性能时,因为多晶體是许多小单晶的集合,虽然不能说多晶體的性质就是单晶體性质的总和,但弄清楚后者却是解释前者最主要的步骤之一。因此系统地研究单晶體无论在固體物理的发展上,以及原材料性能的的改善上都有莫大的重要性.在自然界也出现天然单晶體,它们只是在极少数的场合下才能满足物理学的要求,因为一方面它们含有各种夹杂物及一系列缺陷,另一方面,它们     

热解CVD法同质外延金刚石单晶的研究

以有机低分子化合物丙酮与氢气为反应气体,用热解CVD 法在形状不规则的金刚石小颗粒上,外延出规整的立方八面体单晶金刚石颗粒,表面呈三角形或截角三角形形状,经反射高能电子衍射结构分析,确认是单晶。文中还讨论了金刚石结构中{111}面最容易显露的实验结果.     

铜单晶连铸过程中固液界面位置和形状的数值分析

为了准确地控制工艺参数 ,获得表面光洁、高质量的连铸铜单晶 ,采用数值分析方法研究铜单晶连铸时固液界面的位置和形状 .发现铸型温度 (TM)、连铸速度 (v)、冷却位置 (L)和熔体温度 (TL)影响固液界面的位置和形状 ,并且铜单晶连铸时固液界面向熔体呈凸出形状 .当固液界面位于铸型内距出口端 2～ 3 m m时 ,可获得表面光洁、晶体取向度小于 10°的连铸铜单晶 .为了获得高质量的单晶 ,固 -液界面面必须平滑 ,甚至是平界面 .计算结果与实验结果吻合很好 ,可用数值分析方法确定连铸铜单晶的工艺参数 ,为铜单晶连铸提供理论依据 .     

铜单晶铸过程中固液界面位置和形状的数值分析

为了准确地控制工艺参数,获得表面光洁、高质量的连铸铜单晶,采用数值分析方法研究铜单晶连铸时固液界面的位置和形状.发现铸型温度(TM)、连铸速度(v)、冷却位置(L)和熔体温度(TL)影响固液界面的位置和形状,并且铜单晶连铸时固液界面向熔体呈凸出形状.当固液界面位于铸型内距出口端2～3mm时,可获得表面光洁、晶体取向度小于10°的连铸铜单晶.为了获得高质量的单晶,固-液界面面必须平滑,甚至是平界面.计算结果与实验结果吻合很好,可用数值分析方法确定连铸铜单晶的工艺参数,为铜单晶连铸提供理论依据.     

芦笋原液中苹果酸单晶的提取与表征

以脱蛋白质后的芦笋浓缩液为原料,采用单晶培养的方法,从不同溶剂中获得颗粒均匀,晶习相似的单晶晶体,并利用X-射线粉末衍射(PXRD)、X-射线单晶衍射(SXRD)以及扫描电镜(SEM)等对其进行表征.通过相关计算,可得该单晶为L-苹果酸一水合物,每个晶胞中含有4个分子,属于正交晶系,P212121空间群.利用Mater...     

表面自动检查电视系统的分析与实验

一、前言 近年来,电视技术发展了一个新的分支,即《测量电视》。它可用来做在线产品表面质量的检查,或移动物体某些几何尺寸的测量和控制。前者如检查连轧线上的板材表面质量;后者如测量和控制板材的宽度、单晶炉里单晶的直径等等。因电视为电子扫描,故检查速度极高,可成百倍成千倍地提高生产率。如国外前几年用来检查冷轧钢板以每分钟五千英尺的速度做了工业实验。     

笼状热电材料p型和n型Ba8Ga16Ge30单晶之间载流子的调谐研究

本研究首次实现了p型和n型Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶之间载流子类型的相互转换.采用以对方单晶为前驱体的再合成调制方法,再次制备了Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶笼状热电材料,利用物理属性测量系统(PPMS)测量单晶样品的变温电阻率并对其载流子类型进行了评价.结果表明:p型和n型Ba_8Ga_(16)Ge_(30)(BGG)单晶之间载流子类型可以成功地进行相互转换,且n型转换为p型样品时前驱体状态及成分配比的不同可导致改性后样品电阻率及载流子浓度不同.以单晶为前驱体的晶体再生长以及载流子调节对于制备珍贵同位素替代的大块单晶具有指导意义,有益于材料内部笼内及笼上原子的非简谐振动研究,并对热电材料的再生利用也具有重要意义.     

用于高温超导单晶微波特性测量的5GHz空腔介质谐振器设计

利用superfish软件设计了一个用于超导单晶微波测量的空腔介质谐振器.该谐振器基模为TE011模,共振频率为5GHz.谐振器中心打孔,单晶样品通过一介质棒伸到孔心.谐振器谐振模式得到了实验上的验证.     

晶圆级二维单晶材料生长的研究进展

低维材料因其原子级的物理尺寸而拥有独特的物理化学性质. 以石墨烯为代表的二维材料具有优越的光学、电学、力学及热学性能,在电子、光电、能源、催化等领域具有巨大的应用潜力. 大尺寸、高质量的单晶材料是大规模高端器件的应用基础. 为此,研究者们致力于实现晶圆级二维单晶材料的制造研究. 利用化学气相沉积法(CVD)制备二维材料具有薄膜质量高、可控性强、均匀性好等优点,因此,CVD成为制备高质量二维单晶材料的首选. 文章从二维导电石墨烯、绝缘氮化硼和半导体过渡金属硫族化合物入手,总结了近年来利用CVD技术外延制造二维单晶薄膜的研究进展,讨论了大面积二维单晶材料的制备策略与生长机理,指出了目前存在的问题,对未来高质量二维单晶薄膜的制备方法进行了展望. 该综述为进一步推动二维单晶材料的规模化应用提供借鉴.