Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。     

含铜蚀刻废液的综合利用：中和沉淀后母液的处理工艺探讨

酸性蚀刻废液与碱性蚀刻废液混合沉淀铜后，母液中含有大量的氯化铵，少量的铜离子．用水合肼还原除去铜离子后，回收所得氯化铵溶液可直接用于蚀刻液的生产．通过对处理工艺探讨，找到了处理母液的最佳方法．     

新法腐蚀铜匾牌技术

腐蚀标牌是一种传统的工艺技术，在加工过程中，图文的转移均是由液体感光胶通过光化学法实现的。这种方法尽管具有图文变形小的特点，但制作工序多，生产效率低，且劳动强度大，能耗多。采用蚀刻网印铜匾工艺，可提高生产效率数倍，节约大量辅助材料和能源。传统的工艺大部分采用三氯化铁溶液进行蚀刻，因其缺点较多，现在已经不受欢迎。改革开放以来，我国双氧水工业发展很快，购买也十分容易，这就为我们探索新的蚀刻方法提供了有利条件，并用双氧水蚀刻铜牌，取得了预期效果。1蚀刻工艺1．1蚀刻波配方：28％工业过氧化氢（H2O2）16升98…     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.     

微氟循环玻璃蚀刻的工艺研究

应用正交试验和单因子实验分别确定了微氟循环蚀刻液的配比及微氟循环蚀刻的最佳工艺条件.结果表明,蚀刻的最佳工艺条件为:pH=5.5,温度为48℃,时间为2.2h.并经SEM和IR实验测试,玻璃表面蚀刻均匀,蚀刻深度为5.8μm,深度均一,表面平整,无侧蚀现象.蚀刻后废液经化学处理可实现循环使用.     

商标的混淆、联想、淡化及其相关理论之比较探析

现代社会，商品竞争逐渐异化为商标的竞争，这种竞争趋势促进了商标功能的变化，使得商标的功能从单纯的识别作用向表彰作用扩张，导致了传统的商标混淆理论向联想、淡化理论的发展。因此，商标侵权理论的发展是一个从防止商品混淆到关注全面保护商标的过程。淡化不仅侵害商标的显著性和识别性，同时亦侵害了商标所体现的商誉。     

论企业商标管理战略

当今市场经济语境下，商标愈加突现其重要作用。怎样管理好商标这一无形资产的价值，为企业创造经济效益是企业所面临的一个重要问题。本文主要论述了商标管理在企业管理中的重要性，商标管理战略的主要内容，并针对我国企业商标管理的落后现状，提出了建立适合我国企业特点的商标管理战略。     

氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅

本文介绍了氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅的实验装置及工艺参数;讨论了高频功率、电极形状、源瓶结构、蚀刻过程产生淀积物的处理以及系统气密性对蚀刻质量的影响.同时,从自由基理论出发,提出了氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅的机理,并应用此机理对功率、氟油流量、氟油和氧气的比例与蚀刻速度的关系进行了理论解释.     

阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究

采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF浓度等对多孔硅孔隙率和反射率的影响规律.结果表明:随着电流密度和蚀刻时间的增加,多孔硅表观孔隙率增加;多孔层的存在能显著降低反射率,且较小的电流密度和蚀刻时间,更有利于反射率降低;电流密度10 m A·cm-2制备的多孔硅平均反射率降低到9%,蚀刻时间10 min下制备的多孔硅平均反射率降至5%;HF浓度对反射率的影响不大.     

浅析商标许可中商标增值利益部分的分割问题

商标许可制度是商标领域的一项重要内容。对于商标许可人，无须花费过多的精力，便能得到经济回报和声誉扩张。对于商标被许可人，可借用他人的商标更好的推销自己的产品。然而，由于商标所有权与使用权的分离，商标增值超过合作预期等原因，致使增值利益难以分配。考察商标增值利益归属的现状，如何平衡好许可人与被许可人之间就商标增值利益部分的分配问题，其关键是完善商标许可的相关法律制度，引入较为精确的商标价值评估方法。     

VLSI干蚀刻终点检测技术简介

在蚀刻时会形成等鼻子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区城.一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止.这种停止刻蚀反应的检测手段被称为终点检测(endpoint).     

海外维权：中国知名商标别无选择

据国家工商总局最新不完全统计，我国有15％的知名商标在国外被抢注，近几年，中国内地著名商标在海外被侵权或恶意抢注的至少在300件以上，1999年博世·西门子公司在德国注册“HiSense”商标，该商标与海信的“Hisense”商标极为近似，双方由此展开商标纠纷，2006年4月，一位华裔律师发现，加拿大一家公司申请注册了“桂发祥十八街”商标，     

晶粒取向对微晶锌板蚀刻性能的影响

本文研究了印刷用微晶锌板(Al～0.05％(重量)、Mg～0.10％(重量)、Zn余量)的晶粒取向与蚀刻性能间的关系,对不同工艺制度生产的微晶锌板进行了x光衍射仪分析和制版蚀刻试验,其结果认为:锌板晶粒取向紊乱,则蚀刻性能良好。若出现明显的(0001)织构,将严重恶化蚀刻性能。另外,对Д.И.Лайнер等关于“冷轧锌板具有(1011)取向而导致蚀刻性能提高”的结论进行了讨论。     

域名与商标法律冲突的成因及具解决

文章从域名的法律性质出发，指出域名对商标的“网上劫持”和商标对域名的“反向劫持”是两者冲突的基本形式；其次，在分析其冲突发生原因的基础上，提出了援用商标侵权理论、商标反淡化理论、反不正当竞争理论、域名异议程序以及撤销注册不当商标等几种解决冲突的途径；最后，针对我国现状，从域名的管理与知识产权法的完善上发表了几点建议。     

地理标志证明商标侵权认定问题研究

囿于缺乏成熟的理论支持及审判经验，我国法院在审理地理标志证明商标侵权案件时，思路存在问题。为此，有必要总结司法实践地理标志证明商标侵权认定中的焦点问题，对地理标志证明商标的权利边界、侵权判断标准及正当使用方式进行分析。为正确认定地理标志证明商标是否构成侵权，应厘清证明商标与普通商标的区别，重构地理标志证明商标侵权认定的思路；厘清地理标志与证明商标的关系，反思将地理标志纳入证明商标保护模式的合理性。     

印制电路板实训室腐蚀液及废液处理方法

本文介绍了印制电路板实训室蚀刻工序常用的几种腐蚀液，讨论了各种腐蚀液废液的处理方法，并指出了废液处理的意义。     

从民族心理的视角审视商标的谐音译

随着中国加入世贸，越来越多的外国商品涌入中国。所以如何把英语商标译成恰当的汉语商标致关重要。时下，谐音译在商标翻译中成为一种时髦。在商标的翻译中。我们必须要充分考虑民族心理以确保翻译能被目的地区接受。本文就民族心理与谐音译的关系进行了初步探讨，并阐发了两者之间的关系，以期使谐音译更好地适应中华民族的心理特征，有益于商标谐音译实践的发展。