受磁场作用的量子阱激子

本文试用两种方法计算ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系，计算结果与实验相符。     

激子-声子系强耦合理论(一)

本文将Peker强耦合极化子理论加以推广,并用于处理激子-声子强耦合系统,导出了激子的基态有效哈密顿量,对某些材料的激子结合能进行了数值计算。我们的结果与实验测量值很好地符合,而且我们的结果比其它理论的结果更好。     

溴化铊和氯化铊中激子的结合能

利用巳有的电子——空穴有效作用势,引进一校正因子ε/ε_0后,用变分法计算溴化铊和氯化铊中激子的结合能,得出的结果比现有的其它理论与实验结果符合得更好。     

Alq3有机发光二极管中的激子湮灭过程及其磁场效应

在基于Alq3的有机发光二极管中,器件的电致发光包括瞬时荧光与延迟荧光两部分.二者都可以受外加磁场影响,但对磁场的依赖关系不同.由此推导出了在不同磁场强度时瞬时光强度与延迟光强度和总发光强度之间的经验公式.基于对延迟光强度磁场效应的合理估计,分别计算了器件在不同温度、不同电流下的瞬时光与延迟光强度,以及二者随外加磁场的变化.利用Merrifield关于激子湮灭的唯象理论,深入分析了在完全有序和完全无序两种体系中的三重态激子湮灭过程及其磁场效应.     

空穴阻挡层BCP对掺杂型有机发光二极管中磁电导效应的影响

通过在器件复合发光区附近插入空穴阻挡层BCP,制备了一种具有非平衡传输性能的荧光染料掺杂型发光二极管,其结构为ITO／CuPc／NPB／NPB：DCM（5wt％）／BCP／Alq3／LiF／Al,并在不同温度和电压下测量了器件的注入电流随外加磁场的变化（即磁电导效应）．实验结果表现为：当磁场处在0～40mT时,该非平衡发光器件的磁电导随磁场的增加而迅速增大（即表现为快变的正磁电导效应）．这一实验现象与具有相对平衡传输性能的发光器件中所观测到的磁电导效应一致;当磁场大于40mT时,非平衡发光器件的磁电导随磁场的进一步增加表现为缓慢下降（即缓变的负磁电导效应成分）,而平衡器件的磁电导则变为继续缓慢增加（即为缓变的正磁电导效应）．本文对非平衡传输掺杂型发光器件的体系特征进行了讨论,并基于三重态激子-电荷（T-Q）反应受外加磁场的影响对上述实验现象进行了定性解释．     

圆电流平面内磁场分布的测量

本文设计了一个测量圆电流平面内磁场分布的实验,实验结果与理论计算能很好地吻合。从而证明该实验设计是可行的。     

二维双激子束缚能的研究

用简单的几何模型计算限双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍｅ＾＊／ｍｈ＾＊从０．３２４到０．２２８之间变化，与前人的实验和理论结果符合较好。     

复合转子异步电机磁场的三维分析及参数计算

采用定子面电流沿电机轴向分布不变的假设,对复合转子异步电机的磁场进行了二维与三维解析求解,得到了描述电机磁场的各电磁量的解析表达式.基于磁场求解的结果,通过引入坡印亭向量得到了复合转子阻抗等参数的计算公式.样机的实验结果与计算结果相吻合,证明了磁场分析与参数计算的正确性.     

塞曼效应中磁场强弱的量子力学计算

本文根据狄拉克的相对论量子力学理论,对产生正常塞曼效应(帕邢—巴克效应)和反常塞曼效应的磁场强弱进行了分析,给出了划分强磁场与弱磁场的临界位计算式。计算结果表明与实验值相吻合。     

线性电磁搅拌时金属运动规律的数学模型

依据行波磁场的特点,对自行设计的实验用线性搅拌器磁场力进行了较详细地分析和计算,进而建立了行波磁场作用下液态金属运动规律的二维数学模型,其结果与物理模拟的测试结果吻合较好。     

有限深抛物量子阱中的类氢杂质态

运用三参数变分法,研究了在垂直于生长方向的磁场作用下抛物量子阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p-态跃迁能.结果表明,束缚能和跃迁能随阱宽变化有一极大值;束缚能随磁场单调增加,而跃迁能随磁场的变化出现了极小值.     

磁场中异质界面上负施主离子中心

采用变分的方法讨论了异质界面上中性施主Ｄ＾０的负施主离子Ｄ＾－的能量随垂直直于界面的磁场的变化情况，分析所选择的两种波函数适用范围。计算得到此结构中Ｄ＾－中心角动量Ｌ＝－１自旋三重态的本征能量和束缚能，找到了此三重态由非束缚态转变到束缚态对应磁场的阈值。     

电场对量子阱中激子的影响

利用变分方法计算了GaAs/Al_2Ga_(1-x)As量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的影响,计算了重空穴激子和轻空穴激子吸收峰位置随电场变化,结果与实验值符合得较好。     

磁场对方形量子阱线中类氢杂质束缚能的影响

采用无限深势阱模型,变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响,同时还讨论了施主离子位置的变化对束缚能的影响。计算结果表明外加磁场使得体吵缚能增加,杂质离子位于阱中心时,束缚能最大,位于正方形的某个角点时,束缚能最小。     

磁场对量子阱中类氢杂质性质的影响

本文在弱场极限下应用微扰变分法,在强场极限下应用绝热微扰法,计算了位于,量子阱中心的一个类氢杂质在磁场中基态的束缚能和电子跃迁能量。结果表明:电子的基态束缚能随磁场的增加或量子阱宽的减小而增大;电子跃迁能量随量子阱宽的减小而变大;在强场极限和弱场极限下,电子跃迁能量随磁场变化的规律不同。在强场极限下,电子跃迁能随磁场的增加变大。在弱场极限下,当电子初态有横向激发,末态是基态时,跃迁能量随磁场的增加变大;当电子初态只有纵向激发,末态有横向激发时,跃迁能量随磁场的增加变小,当电子初态与末态横向激发的程度相同时,跃迁能量不随磁场变化。     

磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响

利用有效质量近似，计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能，与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较，得出合理的结果；并对其物理意义进行了分析。     

铁磁海森堡薄膜的磁学性质的解析研究

使用变分累积展开方法．研究了铁磁性薄膜的磁性．给出了作为薄膜厚度函数的自发磁化强度的解析表达式．作为一个特例，给出了立方格点上自旋1／2铁磁薄膜的自发磁化曲线、磁滞回线和矫顽力的三级近似结果，并对结果作了分析和讨论．     

运用高斯函数展开逼近原子核位势

本文提出用高斯函数展开的方法拟合原子核的光学位势．用变分的方法获得线性方程组．求解这组线性方程以确定高斯函数展开的各项的系数．这样的展开高斯函数能很好地符合原子核的位势．     

磁性液体水平传感器的实验研究

制备满足磁性液体水平传感器应用要求的磁性液体,以及设计合理可行的实验模型是进行磁性液体水平传感器研究的实验基础.通过自行制备煤油基磁性液体,用于自行设计的磁性液体水平传感器实验模型,分析并探讨磁性液体水平传感器用煤油基磁性液体的制备工艺,及磁性液体水平传感器实验模型设计参数的可行性.实验证明磁性液体的制备工艺完全适用于磁性液体水平传感器的研究,实验模型的参数设计是可行的,实验结果验证了建模的理论依据.     

量子阱中屏蔽激子的束缚能

用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能．屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的．