Ni^2＋在AgCl和AgBr四角晶位中的零场分裂和g因子

用分子轨道和双自旋－轨道耦合模型,研究了Ｎｉ＾２＋在ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｂｒ对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋ＥＰＲ参数（Ｄ,ｇ）的贡献。     

压缩四角晶场中NH4Cl：Cu^2＋的g因子研究

本文推导了3d^3 离子在压缩上角晶场中的电子能级和EPRg因子的3阶段微扰公式，并用该公式研究了晶体CH3Cl中掺杂Cu^2 离子的电子吸收光谱和EPRg因子，结果较为满意。     

八配体CdF2和CaF2中掺杂Co^2＋的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶体局域结构畸变和利用Ｃｏ＾２＋离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ＾２＋离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲｇ因子，研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

AgBr：V^2＋晶体中的V^2＋—VM四角中心局域结构的研究

采用同时考虑中心ｄ＾３离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型，通过计算ＥＰＲ参量Ｄ和ｇ因子，估算出ＡｇＢｒ：Ｖ＾２＋晶体中的Ｖ＾＋－ＶＭ四角中心的局域结构参量ΔＲ，并与只考虑中心ｄ＾３离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明，当配体含有大的旋轨耦合系数时，其以ＥＰＲ参量的贡献不能忽略。     

晶体中^4A2（d^3）态离子g因子的计算

利用完全对角化方法，为晶体中＾４Ａ２态离子ｇ因子的计算提供了一条有效的途径。作为应用对红宝石激光晶体Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３进行了研究。     

立方对称下 d~5离子的 g 因子

本文推导了立方对称下 d~5离子的 g 因子的三阶微扰公式,证明了 Sato 等人的公式是错误的,并应用于计算 Mn~(2+):ZnS 的 g 因子,得到了很好的结果.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论     

二分图上有限制条件的(g,f) 因子和f 因子

设图G=(X,Y,E)是二分图, g,f是定义在V(G)上的正整值函数, 且对任意的x∈V(G)有g(x)＜f(x), 证明了: 如果图G是(mg,mf-1)-图, M是G的任一含有m条边的对集, 则存在图G的一个(g,f)-因子F, 使F包含M任意给定的一条边, 并且不包含其他的m-1条边; 二分图G是(2m-1)-边连通的(mf)-图, 则图G有一个f-因子包含任意给定的一条边, 并且不包含任意其他的m-1条边.     

Ni^2＋离子掺杂聚苯乙烯阳离子交换树脂碳化产物结构和性能

制备了Ｎｉ＾２＋离子掺杂的聚苯乙烯阳离子交换树脂，并对其进行碳化处理， 树脂碳化产物的组成和结构，同时还考察了树脂碳化产物作为二次锂离子电池碳电极材料时的电化学性能。实验结果表明：Ｎｉ＾２＋离子掺杂的聚苯乙烯阳离子交换树脂碳化产物与相同条件下处理的未掺杂离子的树脂碳化产物相比，氢、氧含量有所提高，而硫含量则有所降低；Ｎ＾２＋离子掺杂提高了聚苯乙烯阳离子交换树脂脂碳化产物的石墨化程度，并且促进了碳化     

Ni^2＋离子在CsCdCl3晶体中的占位研究

当固体中不只一个阳离子晶位时 ,金属杂质离子在这种晶体中的占位是一个很有意义的问题 ,它涉及到缺陷的形成、缺陷结构及杂质引起的材料改性 .例如 ,过渡金属离子杂质在ＬｉＮｂＯ3晶体中的占位对认识该材料光折变效应的微观机制就很有帮助 .人们通常用比较杂质离子与基质晶体离子的价态和大小 (离子半径 )来判断占位情况 .但这种方法对位于不同晶位的阳离子都具有相同的价态和类似的离子半径时 ,就难以奏效 .特别是 ,对同一种阳离子占据二个不同晶位时 ,就更困难 .例如 ,ＣｓＣｄＣｌ3晶体中的Ｃｄ2 就占有二个晶位 :Ｃｄ2 (Ⅰ )和Ｃｄ2…     

Ni^2＋—交换蒙脱石的TPR和XRD研究

对一组自制Ｎｉ＾２＋－交换蒙脱石样品中是锋物种的存在形式及焙温度影响进行了ＴＲＰ和ＸＲＤ考察。     

Cu2+基态b2g的g因子微扰公式及对Cs2CuCl4和T2CuBr4的应用

近年来 ,文 [1～ 4 ]报道了Ｃｕ2 +(3ｄ9)离子的光学、磁学和电子顺磁共振 (ＥＰＲ)等重要性质 ,但这些文献只研究了六配位八面体四角对称晶场中的 3ｄ9离子基态ａ1ｇ或ｂ1ｇ的性质 ,而在Ｃｕ2 +的有重要应用价值的化合物中 ,大量存在四配位四面体低对称的情况 .因此 ,我们利用晶体场理论推导出了斜方的 3ｄ9/ 3ｄ1离子四面体络离子 (ＡＸ4 ) ｎ - 基态ｂ2 ｇ的ＥＰＲ ｇ因子的三阶微扰式 ,并用该式研究了晶体Ｃｓ2 ＣｕＣｌ4 和Ｔ2 ＣｕＢｒ4 的ＥＰＲ ｇ因子 ,其理论计算与实验结果符合较好 .1　理论在晶体场中 ,考虑到自旋 轨道 (ＳＯ)…     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2＋杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中，不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应，而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应，与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后，理论计算值与实验观测值符合较好。     

[Zn(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu单晶的g因子理论研究

应用微扰理论,计算了[Zn(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu单晶的g因子gx、gy、gz的理论值,并用其与实验值进行比较.发现g因子的理论计算值与实验值相一致,并且理论计算值gx,gy、gz之间满足gz＞gy＞gx的关系,从理论上证实了关于[2n(picol)2(H2O)2]·H2O:Cu中Cu2+离子的基态处于d(x2)-y2的推测.     

图有哈密顿(g,f)-因子的度条件

设G是一个n阶2连通图,整数a,b满足2≤a＜b,g(x)和f(x)是定义在V(G)上的两个非负整数值函数,使得x∈V(G),满足a≤g(x)2-(a-1)(b-a)]/(a-1),[n＞(a+b-3)(a+b-2)]/(a-1), 且max｛d_G(x) ,d_G(y) ｝≥(b-1)n/(a+b-2)对G中任意两个不相邻的顶点x,y都成立。     

二分图上有限制条件的(g,f)-因子和f-因子

设图G=(X,Y,E)是二分图,g,f是定义在V(G)上的正整值函数,且对任意的x∈V(G)有g(x)＜f(x),证明了:如果图G是(mg,mf-1)-图,M是G的任一含有m条边的对集,则存在图G的一个(g,f)-因子F,使F包含M任意给定的一条边,并且不包含其他的m-1条边;二分图G是(2m-1)-边连通的(mf)-图,则图G有一个f-因子包含任意给定的一条边,并且不包含任意其他的m-1条边.     

四面体四角晶位中络离子CoX (X=Cl,Br)g因子的研究

用双自旋轨道耦合参数模型研究了四面体四角晶位中络离子ＣｏＸ＾２－４（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的ｇ因子，研究表明，配体Ｂｒ对Ｃｏ＾２＋离子ｇ因子的影响不能忽略。     

MgO：V^2＋和MgO：Cr^3＋的四角畸变与零场分裂

Ｃｒ＾３＋和Ｖ＾２＋离子分别掺进晶体ＭｇＯ时，将引起局域结构产生四角畸变，本文研究了掺杂晶体ＭｇＯ；Ｖ＾２＋和ＭｇＯ；Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算和实验观察基本一致；并指出，ＭｇＯ：Ｖ＾２＋局域结构的四角畸变程度应小于ＭｇＯ：Ｃｒ＾３＋。     

有1-因子的图和(g,f)-对等图

既是(g,f)-覆盖又是(g,f)-消去的图称为(g,f)-对等图.给出了有1-因子F的图是(g,f)-对等图、f-对等图的关于F的分支的若干充分条件,证明了如下定理:设G是一个图,F为G的1-因子,w(F)≥2且w(F)≡0(mod 2);g和f是定义在V(G)上的整数值函数并且对每个x∈V(G)都有g(x)≤f(x).若对F的每个分支C=xy,G-{x,y}是(g,f)-对等图,则G也是(g,f)-对等图.并指出定理中的条件在一定意义上是最好可能的.