硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究。

集成电路用硅片必须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺，通过调整预清洗工序流程，对免清洗硅抛光片进行清洗，主要解决免清洗片表面“腐蚀圈”问题，对其进行了分析。     

我市企业申报省科技计划项目取得新突破

近日,由临沧鑫圆锗业股份有限公司申报的“高效率太阳电池用锗单晶片及晶片产业化”项目已被列为2008年云南省重点新产品开发计划,并获得无偿资助300万元。这也是我市历年获省科技计划单项资助资金支持力度最大的项目。     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面，对键合有若丹菁的锗片进行了激光Ra-man光谱及XPS谱分析，结果表明，两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n－型锗片的In(Pt)／染料／n-Ge器件具有整流作用。     

红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长

红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73～ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现有设备能力 ,实现了红外锗晶体生长周期缩、成晶率提高、节约用料     

PIN光电探测器用反外延片工艺研究

创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。     

用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究

利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.     

若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

空间用高效率硅太阳电池前景广阔

上海航天局下达的“空间用高效率硅太阳电池”课题,由华中理工大学固体电子学系与上海新宇电源厂联合承担研制任务.该课题已于1989年通过了鉴定.所研制的单片硅太阳电池效率高达18.03%(AM1.5,100W/cm~2,28℃,全面积).该技术成果的主要工艺特点是:对PESC硅太阳电池,在国内率先采用超薄热氧化(具有再分布和钝化表面的作用)与浅结密栅相结合的先进工艺.此技术不仅为提高硅太阳电池光电转换效率和太阳电池重量比功率等提供了新的技术,而且也为民用普通硅太阳电池效率的提高指明了途径.     

我校自主研制的单晶硅太阳电池转换效率达19.57%

近日,我校华南先进光电子研究院先进材料研究所自主研制开发的背面钝化单晶太阳电池(SM156BSP),经过国家太阳能光伏产品质量监督检验中心的第三方检测机构测试,转换效率为19.57%.研究团队新开发的背面钝化太阳电池,采用新的氧化铝原子层沉积技术与激光技术制备表面钝化层,以降低太阳电池背表面复合速率,从而提高电池的转换效率.通过新技术的应用,背面钝化单晶太阳电池相比     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

MEMS用低应力硅片的研制

通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。     

金刚石车削单晶锗平面表面粗糙度扇形分布…

建立了金刚石削单晶锗切削力的分布模型，研究了车削单晶锗平面时表面粗糙度呈现扇形区分布特征的成因机制，并进行实验验证，采用飞切方法加工单晶锗时，可以制得表面粗糙度Ｒａ值为０．００７～０．００９μｍ的匀质光滑表面。     

应用于半导体工业的硅外延炉发展历程

随着半导体产业的快速发展,传统的硅抛光片已不能完全满足半导体器件的需求。硅外延片具有质量高、电学性能优越的特点,在分立器件和IC领域已被广泛应用。硅外延片质量的不断提高有赖于外延生长工艺的改进,生长工艺的进步有得益于硅外延炉设计的改进。通过对各个时期出现的硅外延炉的主要技术特点进行讨论,回顾硅外延炉50年来的发展历程,为今后外延炉设计的发展提供参考借鉴。     

有色金属研究总院又传捷报

近日,北京有色金属研究总院研制成功了我国第一根直径18英寸(450毫米)直拉硅单晶和第一根直径12英寸红外光学锗单晶。直径18英寸直拉硅单晶的研制成功,将对提高我国半导体材料工业的研究水平、推动集成电路和信息产业的发展产生积极影响,标志着我国大直径硅单晶研究进入世界领先行列。锗单晶广泛应用于国防先进武器装备以及激光加工领域。目前,国外资料报道的锗单晶最大直径在12-13英寸范围,主     

硅太阳电池成本的降低与廉价器件制作工艺的发展

本文对近几年来硅太阳电池的廉价制作工艺的进展作了总结和评论。主要内容有:a.扩散工艺的简化。b.廉价非真空的电极制作方法。c.Si片腐蚀和减反射涂层的廉价工艺。d.用MIS和SIS代特p-n结引起电池制作工艺的极大简化。     

宽光谱高效硅基薄膜太阳电池的基础研究报告

介绍高绒度MOCVD-ZnO:B透明导电薄膜用作非晶硅太阳电池前电极、非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC:H接触特性改善、非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响以及非晶硅锗电池性能的调控等方面的研究内容及结果。首先我们将自行研制的具有优异陷光效果的掺硼氧化锌BZO用作p-i-n型非晶硅太阳电池的前电极,并且将传统商业用U型掺氟二氧化锡FTO作为对比电极。结果表明相对FTO电池,尽管BZO电池的电流优势明显,但当本征层厚度较薄时其Voc和FF却较差。原因是相对于表面较为平滑的FTO,BZO表面呈大类金字塔的绒面结构会在本征层生长过程中触发阴影效应,形成大量的高缺陷材料区和漏电沟道,进而恶化电池的Voc和FF。在不修饰BZO表面形貌的情况下,通过调节非晶硅本征层的沉积温度来消弱BZO高绒度表面引起的这种不利影响,改善后的电池Voc和FF均有提升。在仅有Al背电极的情况下,当本征层厚度为200 nm时,BZO前电极非晶硅太阳电池效率达7.34%。其次,我们采用重掺杂的p型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌(ZnO:B)和窗口层p型非晶硅碳(p-aSiC)之间的非欧姆接触特性。通过优化插入层p型微晶硅的沉积参数(氢稀释比H_2/SiH_4、硼掺杂比B_2H_6/SiH_4)获得了较薄厚度下(20 nm)暗电导率高达4.2 S/cm的p型微晶硅材料。在本征层厚度约为150 nm,仅采用Al背反射电极的情况下,获得了效率6.37%的非晶硅顶电池,开路电压Voc和填充因子FF均较无插入层的电池有大幅提升。第三,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,进行了非晶硅锗薄膜太阳电池的研究。针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制。借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计,获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池。最后,介绍了针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在P/I界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度,改善内建电场分布从而提高了电池的收集效率。进一步引入I/N界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%。总之,通过以上优化措施,最后获得了效率为14.06%的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳电池。     

高纯锗的区域提纯

制备高纯锗单晶一般分为两个步骤。首先区域提纯锗至～10~(10)cm~(-3)的纯度,然后再把它拉制成净杂质浓度|N_A-N_D|≤2×10~(10)cm~(-3)的单晶。 本文主要讨论石英舟热解碳和硅烟两种涂层对提纯的影响,以期探讨高纯锗区域提纯的物理条件。