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提出了一种用PSPICE程序模拟绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性的方法。首先详细介绍了IGBT的PSPICE模型的建立,以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验证,证明了该方法的可行性。 相似文献
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实际应用中,功率变流器经常会发生过流,重复的过流冲击会造成其功率器件绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的性能退化,并形成累积损伤,最终导致失效,而突然的失效会带来经济损失和安全问题,故需对重复过流冲击下IGBT的性能退化进行研究,建立相应的在线监测方法.针对目前对IGBT在重复过流下性能退化的研究较欠缺,搭建了过流冲击的实验平台来实现IGBT的重复过流冲击实验;采集重复过流冲击过程中IGBT外部端子的电气量,并提出相应的新的性能退化指标——导通电阻.结果表明:重复过流冲击会造成IGBT的性能退化,影响其外部电气特性;提出的退化指标——导通电阻明显地表征了IGBT内部累积损伤的程度. 相似文献
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高压IGBT的驱动器应用研究 总被引:5,自引:1,他引:4
介绍了一种新一代高性能的高压IGBT的集成驱动器SCALE的工作原理、特性以及过流保护的特点,重点讨论了在实际应用中注意事项,并给出了有关的实验波形。 相似文献
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针对大电流下绝缘栅型双极晶体管(IGBT)饱和压降和集电极电流与结温之间的非线性关系带来的结温预测难题,搭建了大电流下IGBT饱和压降测试系统,获取了结温和集电极电流与饱和压降之间的非线性关系曲线,分析了关系曲线变化规律对应的物理机制.采用Matlab软件建立了误差反向传播(BP)神经网络模型和径向基函数(RBF)神经网络模型进行结温预测.与多项式数学模型预测结果对比表明:两种神经网络模型的预测相对误差和预测误差90%置信区间比多项式数学模型更小,结温预测精度更高;并且BP神经网络模型的预测精度高于RBF神经网络模型,结温预测模型选择时应优先考虑BP神经网络模型. 相似文献
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地铁车辆辅助系统中HVIGBT斩波器研制 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了在地铁一号线车辆静止辅助系统中采用高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)斩波器替代门极可关断晶闸管(GT0)斩波器,以实现静止辅助系统的国产化.对所研制的斩波主电路采用Matlab/Simulink软件进行仿真分析研究,仿真结果与实验波形相符合,说明了这种替代是正确、可行的. 相似文献
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提出一种基于磁纳米测温的绝缘栅双极晶体管(IGBT)热网络模型估计方法,可用于在线评估降维简化的IGBT热阻-热容网络模型.分析了磁纳米测温的理论模型和热网络传递模型,通过磁性纳米测温获得IGBT外壳背部的升温和降温曲线,从而估计热网络模型参数.通过设计的热网络模型参数估计系统和实验流程进行了仿真和实验,结果均验证了基... 相似文献
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详尽分析了 IGBT的特性及驱动条件 ,概述了 IGBT有效保护的要求 ,以 TEM- 2型电磁法发射机中的全桥变换电路及 GT60 M30 2型 IGBT为例 ,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究 ,并给出了 TEM- 2型发射机的驱动参数 相似文献
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详尽分析了IGBT的特性及驱动条件,概述了IGBT有效保护的要求,以TEM-2型电磁法发射机中的全桥变换电路及GT60M302型IGBT为例,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究,并给出了TEM-2型发射机的驱动参数. 相似文献
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轻型直流输电系统动态特性的电磁暂态仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
轻型直流输电系统(HVDC Light)作为一种新型的直流输电技术,采用电压源型换流器,功率开关由绝缘栅双极晶体管组成,克服了传统直流输电系统中的一些缺点,具有良好的应用前景。文章在研究了HVDC Light的工作原理和技术特点后,利用EMTDC仿真软件,着重对HVDC Light在短路情况下的电磁暂态过程进行了仿真;同时对轻型直流输电系统的调节能力、控制策略等进行了详细的分析,为进一步研究轻型直流的实验室装置奠定了基础。 相似文献
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绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析 总被引:3,自引:1,他引:3
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要失效机理,特别是键合引线失效过程,采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的结温温度场分布实时探测试验,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是键合引线翘曲与熔化,在外部特性上表现为集射极压降值增大,而热阻基本不变.提出了提高器件可靠性、延长使用寿命的方法.在加速寿命试验原理的基础上,通过开展高温下的功率循环测试,并对试验数据进行拟合,得到了加入电流等级和最高工作结温的改进寿命预测模型.通过试验数据误差分析对比,发现该模型精度较原有模型在不同测试条件下均有提高,适用范围从80 K拓宽到100K. 相似文献
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针对填埋场渗漏检测高压直流电法的传统理论模型在解析膜下介质中的电势分布规律时存在的问题,提出了将单衬层填埋场看作水平方向为无穷大的三层均匀介质,漏洞电流视为位于电流流入端的负电流源和位于电流流出端的正电流源的叠加的理论模型,对模型中各层介质的电势分布规律进行了正演解析。通过对模型解析结果的计算机模拟和中试填埋场膜上、膜下的试验比较,结果表明,模型计算的理论值与实测值吻合较好。 相似文献
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《南京理工大学学报(自然科学版)》2015,(3)
为了准确分析雷电辐射电磁场对电力设备的影响,该文基于Heidler函数的雷电流近似数值模型,推导了水平理想导体地面上雷电电磁场的近似计算公式。运用时域积分方程方法分析了雷电辐射电磁场下铁塔的电磁散射特性。结果表明,铁塔表面感应电流幅值与雷击点和铁塔的距离有关,与雷击点和铁塔的方位角无关。 相似文献
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特高压输电塔线体系的气动弹性模型设计 总被引:1,自引:0,他引:1
以向家坝-上海的±800 kV特高压直流线路为例,阐述特高压输电塔线体系的气动弹性模型设计与制作方法.通常的集中刚度法和离散刚度法制作的铁塔模型都很难满足气动弹性模型的要求.考虑铁塔模型刚度和气动反应两方面的情况,提出以半刚性模型节段加"U"型弹簧片的方法制作铁塔弹性模型.另外,对导线模型进行跨度方向上的缩聚解决了按统一比例无法满足风洞尺寸要求的问题.通过理论分析和实际检测对比,塔线体系模型的动力特性可以满足气动弹性试验的要求. 相似文献
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为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构.利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度.借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31%.在相同耐压下比导通电阻降低了34.8%. 相似文献
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《高技术通讯(英文版)》2015,(4)
According to the structural characteristics of hazardous waste landfill and the leakage current model of high voltage DC Landfill leakage detection,a sealed model is established and analyzed in detail.The detection layer of the hazardous waste landfill is considered as a sealed space and it is assumed that the source current flows through the leak entirely.The leak is regarded as a positive current resource +I located at the current entrance or a negative resource-I located at the current exit,which depends on the placement of the current supply.The electrical potential of an arbitrary in detection layer satisfies Poisson equation.The boundary condition is regarded as a natural boundary condition for the high resistivity of high density polyethylene(HDPE) membrane.Based on which a numerical calculation method is developed.Satisfactory agreement between experimental data and simulated data validates the analysis.Parametric studies show that a larger horizontal distance between the power supply electrode and leak and a smaller distance between the detector electrodes and the detected liner are helpful to leak location.More parametric curves show that parameters leaks can be detected effectively with optimum selection of field survey. 相似文献
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提出一种新型的芯片内基准电压源的设计方案,基准电压源是当代数模混合集成电路以及射频集成电路中极为重要的组成部分。为满足大规模低压CMOS集成电路中高精度比较器、数模转换器、高灵敏RF等电路对基准电压源的苛刻需要,芯片内部基准电压源大部分采用基准带隙电压源。研究并设计了一种低功耗、超低温度系数和较高的电源抑制比的高性能低压CMOS带隙基准电压源。其综合了一级温度补偿、电流反馈技术、偏置电路温度补偿技术、RC相位裕度补偿技术。该电路采用台积电(TSMC)0.18μm工艺,并利用Specture进行仿真,仿真结果表明了该设计方案的合理性以及可行性,适用于在低电压下电源抑制比较高的低功耗领域应用。 相似文献
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目的 研究一种新型的功率器件--绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的静态模型.方法 分析并建立IGBT的Pspice静态模型,分析模型的结构和参数的配置并对模型进行了仿真,将仿真出的转移特性和输出特性与实际器件进行了比较.结果 /结论所建立的功率器件IGBT的静态模型是正确的,在对其器件或系统的仿真中具有较高的使用价值. 相似文献
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采用先进的高压侧电压控制改善电压稳定性 总被引:6,自引:0,他引:6
为提高电力系统电压稳定性,研究了一种通过为常规发电机励磁系统增加补偿控制的先进的高压侧电压控制(HSVC). 介绍了HSVC的原理、特性和优点.与常规的励磁控制方法相比,采用HSVC能够控制升压变压器高压侧电压为给定值,维持输电系统在较高的电压水平. HSVC可以显著地改善电压稳定性,其某些性能优于静止无功补偿器.不同于以往的电力系统电压调节器(PSVR), HSVC的实现不需要从升压变压器高压侧反馈任何信号,所以实现方便并经济. 相似文献