1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

MAGNETIC RELAXATION AT EARLY TIMES AND FLUX DIFFUSION BARRIER V（J，B，T） FOR Ti－1223 DOPED WITH Pb AND Ba BY COMPLEX AC SUSCEPTIBILITY MEASUREMENTS

ＭＡＧＮＥＴＩＣＲＥＬＡＸＡＴＩＯＮＡＴＥＡＲＬＹＴＩＭＥＳＡＮＤＦＬＵＸＤＩＦＦＵＳＩＯＮＢＡＲＲＩＥＲＶ（Ｊ，Ｂ，Ｔ）ＦＯＲＴｉ－１２２３ＤＯＰＥＤＷＩＴＨＰｂＡＮＤＢａＢＹＣＯＭＰＬＥＸＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳＤ...     

THE MOTION PROPERTIES OF THE STARS CONFINED TO THE SYMMETRIC AXIS OF AN OSCILLATION KUZMIN DISK

ＴＨＥＭＯＴＩＯＮＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳＯＦＴＨＥＳＴＡＲＳＣＯＮＦＩＮＥＤＴＯＴＨＥＳＹＭＭＥＴＲＩＣＡＸＩＳＯＦＡＮＯＳＣＩＬＬＡＴＩＯＮＫＵＺＭＩＮＤＩＳＫＦｕＹａｎｎｉｎｇ１，２）ＳｕｎＹｉｓｕｉ１）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｓｔｒｏｎ...     

高岭土－二甲亚砜夹层复合物的形成机理

运用红外吸收光谱（ＩＲ）和Ｘ射线衍射图谱（ＸＲＤ）等手段，研究高岭土－二甲亚砜（ＤＭＳＯ）夹层复合物的形成机理．ＩＲ谱初步确定ＤＭＳＯ分子与高岭土的外羟基之间形成氢键，ＸＲＤ谱表明ＤＭＳＯ分子进入高岭土层间后，使层间距增加了４．１×１０－１０ｍ．在ＤＭＳＯ中添加少量水可促进夹层反应的进行，增大夹入量。ＤＭＳＯ分子在高岭土层间以高度取向的形式存在．     

Al_2O_3／Al Lanxide材料的组成和显微结构的研究

通过Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和光学显微镜分析了ＡＩ－Ｍｇ－Ｓｉ合金直接氧化形成的Ａｌ２Ｏ３／ＡｌＬａｎｘｉｄｅ材料的组成和显微结构，并探讨了它们与母合金组成及氧化生长方式的关系。     

n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法

磷透过热生长氧化层扩散的方法，可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤（即“死层”）双晶Ｘ射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点，用此方法制备的常规结深的太阳电池，其相对光谱响应４００～６００ｎｍ波段内平均提高了５０％，在ＡＭＯ（２５℃）条件下，其光电转换效率也从常规电池的１１．８％提高到１２．３％，转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。     

APPROXIMATE SOLUTIONS OF SOME BOUNDARY VALUE PROBLEMS FOR PARABOLIC EQUATIONS AND THEIR ERROR ESTIMATES

ＡＰＰＲＯＸＩＭＡＴＥＳＯＬＵＴＩＯＮＳＯＦＳＯＭＥＢＯＵＮＤＡＲＹＶＡＬＵＥＰＲＯＢＬＥＭＳＦＯＲＰＡＲＡＢＯＬＩＣＥＱＵＡＴＩＯＮＳＡＮＤＴＨＥＩＲＥＲＲＯＲＥＳＴＩＭＡＴＥＳＨｕＭｉｎｄｅ（胡敏德）；ＷｅｎＧｕｏｃｈｕｎ（闻国椿）（Ｌｏｇｉｓｔ...     

无限层薄膜（Sr,Ca）CuO2的相分析

采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）方法在４００￣６７０℃和７￣７０Ｐａ氧压下制备了（Ｓｒ,Ｃａ）ＣｕＯ２无限层薄膜。通过薄膜的Ｘ光衍射（ＸＲＤ）测量来进行薄膜的相分析。Ａ２ＣｕＯ３＋δ（Ａ代表Ｓｒ,Ｃａ）相在ＳｒＴｉＯ３,ＬａＡｌＯ３,ＣａＮｄＡｌＯ４和ＭｇＯ衬底上在４００￣６００℃极易生成,而无限层ＡＣｕＯ２＋δ相只能在高于４７０℃和相配的ＳｒＴｉＯ３和ＬａＡｌＯ３衬底上生成。在ＳｒＴｉＯ３衬底上当温度     

SMAI法制备的Ni—Ag／SiO2双金属催化剂的结构表征

应用溶剂化金属原子浸渍（ＳＭＡＩ）和普通浸渍（ＣＩ）法制备了三种不同摩尔比的ＳｉＯ２负载Ｎｉ－Ａｇ双金属催化剂，ＸＲＤ和磁测定结果表明ＳＭＡＩ催化剂中Ｎｉ和Ａｇ的粒度均小于金属含量相同的ＣＩ催化剂，ＳＭＡＩ催化剂中Ｎｉ和Ａｇ未形成合金，而ＣＩ催化剂中Ｎｉ和Ａｇ形成了合金，ＳＭＡＩ和ＣＩ催化剂都具有超顺磁性，ＸＰＳ测定结果提示，ＳＭＡＩ催化剂中零价，Ｎｉ和Ａｇ的含量高于ＣＩ催化剂，ＳＭＡＩ催化剂中Ｎ     

ON THE EXPONENT SET OF PRIMITIVE LOCALLY SEMICOMPLETE DIGRAPHS

ＯＮＴＨＥＥＸＰＯＮＥＮＴＳＥＴＯＦＰＲＩＭＩＴＩＶＥＬＯＣＡＬＬＹＳＥＭＩＣＯＭＰＬＥＴＥＤＩＧＲＡＰＨＳ￥ＺｈａｎｇＫｅｍｉｎｇ１）；ＢｕＹｕｅｈｕａ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｃｍａｔｉｅｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎ...     

Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation

In this paper, we investigated the dose window of forming a continuous buried oxide (BOX) layer by single implantation at the implantation energy of 200 keV. Then, an improved two-step implantation process with second implantation dose of 3×10¹⁵ cm^?2 was developed to fabricate high quality separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon on insulator (SOI) wafers. Compared with traditional single implantation, the implantation dose is reduced by 18.2%. In addition, the thickness and uniformity of the BOX layers were evaluated by spectroscopic ellipsometry. Defect-free top Si as well as atomic-scale sharp top Si/buried oxide interfaces were observed by transmission electron microscopy, indicating a high crystal quality and a perfect structure of the SOI fabricated by two step implantation. The top Si/BOX interface morphology of the SOI wafers fabricated by single or two-step implantation was also investigated by atomic force microscopy.     

真空冶金法提纯锑掺杂单晶硅埚底料的实验研究

采用真空定向凝固技术,在不同真空定向凝固条件下,对拉制锑掺杂的单晶后的埚底料进行提纯并得到铸锭.对不同生长条件下铸锭的生长形貌进行分析.同时,通过ICP-AES测定了铸锭纵向的杂质元素的分布.结果表明,杂质Sb从底端到中上端由于定向凝固的作用呈现浓度升高,从中上端到顶端由于真空蒸馏的作用呈现浓度降低.     

晶硅定向凝固过程中熔液流动对溶质分布的影响

定向凝固方法是目前生产太阳能用晶体硅的主要方法。晶硅电池片的质量是影响晶硅电池效率的重要因素之一,而晶硅电池片的质量与硅锭中的溶质含量及分布情况密切相关。该文对定向凝固熔炉中心区域(包括硅、坩埚及石墨支架)建立了二维瞬态分析模型,研究了定向凝固过程中热场分布、溶质分布、液硅流动情况,并分析了熔液流动对溶质分布的影响。结果表明:随时间推进固液界面从平直变成略凹;径向温度梯度产生自然对流浮力,驱动熔液流动形成一个大涡,并随时间流动强度越来越大;在长晶初始阶段,存在明显的溶质边界层,之后受流动影响,溶质分布区域扩大到整个熔液中,并且分布形式与流线形状相似;溶质向界面中心区域聚集。     

高灵敏度光伏硅杂质元素分析仪的研制

光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分析仪.仪器的性能测试中:能量线性偏差为0.23%,相对极差为0.06%,相对标准偏差为0.59%,同时探测器的能量分辨率为130 eV,均可证明满足光伏硅中Cr、V、Mn、Co、Ni、Fe等杂质元素的定量分析要求.同时,用该系统对某公司生产的光伏硅材料进行测试,结果与ICP-AES测试结果相吻合.     

低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析

针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO₂厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO₂厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.      

工业硅中金属杂质分布及存在形式

选取工业硅锭不同位置的硅块做对比实验,对其中杂质特别是金属硬质杂质的形貌、分布、种类和含量做了详细研究,并对Fe、Al杂质的去除提出了湿法酸浸出的后续处理方案.     

冶金级硅酸洗提纯研究

冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对比试验对酸洗工艺去除硅中杂质的效果进行了详细的研究,分别探讨了酸的种类、酸的浓度、酸洗时间、酸洗温度以及硅粉颗粒粒径对杂质去除效率的影响.研究结果表明最佳的酸洗工艺参数为15%的盐酸,80℃,10h和100μm.在最佳酸洗工艺参数条件下金属杂质铝、铁和钙的去除率分别为70.90%、94.82%和82.69%.     

深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在Ｓｉ材料中掺入金原子后,其电阻随温度Ｔ的变化关系由主要依赖于Ｔ＾－３／２项的浅掺杂材料变成主要依赖于ｅｘｐ（－Ｅ／ＫＴ）项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Ｓｉ材料对温度的敏感性。在理论上深掺杂Ｓｉ材料比浅掺杂Ｓｉ材料对温度的敏感性提高了约１０００倍。用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Ｓｉ材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了其     

掺铝P型单晶硅尾料真空冶炼提纯研究

利用真空蒸发和定向凝固技术去除掺铝P型单晶硅尾料中铝杂质的方法,通过晶相仪、EBSD和ICP-AES检测,被证实是非常有效的.铝含量检测结果表明:提纯后的铝含量沿多晶硅铸锭纵向由下到上逐渐增高,且总量较提纯前有较大幅度的降低.     

金属硅的酸洗和氧化提纯

为了降低金属硅酸洗的后续工艺难度,在成熟的常温酸洗技术的基础上加上湿氧氧化新技术对金属硅进行提纯.酸洗主要作用是去除大部分裸露在金属硅颗粒表面的金属杂质;而湿氧氧化后,使颗粒内部分凝系数(在硅和二氧化硅系统中的分凝系数)较小的硼在高温下扩散进入二氧化硅中,再腐蚀去除氧化层和其中的杂质.实验表明该方法对硼杂质有明显的提纯作用,提纯后,硼杂质的含量最低为4×10-6.两种技术在工艺上兼容,在提纯目标上互补,是非常有效的低能耗和低成本的提纯方法.