EDFA中继长距离共驱半导体激光器混沌同步研究

该文数值研究了基于EDFA中继和周期色散补偿的长距离共驱半导体激光器混沌同步方案。通过优化驱动光注入条件及激光器弛豫频率失配,实现了同步系数0.98的响应激光器背靠背同步,同时将驱动与响应的相关性降低至0.32,保障了共驱同步安全性。进一步,考虑光纤色散、非线性效应以及EDFA噪声等损伤因素,数值研究了入纤光功率、单跨段光纤长度的最优条件。预期在每百公里光纤链路中色散补偿偏差为5 ps/nm的情况下,可以实现700 km、同步系数0.90的高质量混沌同步。研究结果对长距离混沌激光载波通信及密钥分发具有参考意义。     

EDFA中继长距离共驱半导体激光器混沌同步研究

该文数值研究了基于EDFA中继和周期色散补偿的长距离共驱半导体激光器混沌同步方案。通过优化驱动光注入条件及激光器弛豫频率失配,实现了同步系数0.98的响应激光器背靠背同步,同时将驱动与响应的相关性降低至0.32,保障了共驱同步安全性。进一步,考虑光纤色散、非线性效应以及EDFA噪声等损伤因素,数值研究了入纤光功率、单跨段光纤长度的最优条件。预期在每百公里光纤链路中色散补偿偏差为5 ps/nm的情况下,可以实现700 km、同步系数0.90的高质量混沌同步。研究结果对长距离混沌激光载波通信及密钥分发具有参考意义。     

高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。     

1.3μmInGaAp／InP高频大功率SPB—BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

半导体激光器可靠性数据处理系统的设计考虑

本文阐述了采用微机控制的半导体激光器可靠性数据处理系统的硬件和软件设计考虑，在硬件上，以通用的１２位微机过程控制接口板为主，设计出电导数、热阻和光功率测量板，数字温控板，多管巡回检测接口。软件采用汇编语言和ＱＵＩＣＫ－ＢＡＳＩＣ语言混合编程，以在完成复杂的数据处理的同时提高了数据采集和处理速度，因而获得了比较精确的可靠性数据和较强的图形功能。     

半导体激光器的发展及其在激光光谱学中的应用

半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用,本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的主要应用,给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱。     

AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究

本文采用波长都是808nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器．在20℃时，特征温度可达到200K，阈值电流380mA，而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器，最大寿命达4000h，这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据，也拓宽了808nm激光材料的选择范围．     

经典物理层高速密钥分发研究进展

信息加密传输是网络空间安全的核心问题,根据香农"一次一密"理论,安全加密要求随机密钥安全分发.随着光通信速率的不断提高,信息加密传输亟需高速密钥分发技术.近年来,研究者不断探索基于经典物理方法的密钥分发技术,以期实现与现有通信网络相兼容的高速密钥分发.目前,主要方法包括光纤激光器参数随机选择、物理不可克隆函数、光纤信道噪声和混沌激光同步等.该文介绍了上述4种方案的基本原理及主要研究进展,指出了混沌激光同步密钥分发方法最具高速率潜力,并分析了这个方案尚需解决的关键科学问题.