A3钢在离子选择性涂层下的腐蚀电化学行为

采用动电位扫描极化曲线和电化学交流阻抗技术，研究了Ａ３钢表面涂装阴离子选择性、阳离子选择性和双极性有机涂层在３％ＮａＣｌ溶液中的腐蚀和电化学行为，分析了不同离子选择性涂层对Ａ３钢防蚀性能的差别，并探讨了其耐蚀机理     

阻抗平面分析及其在离子选择性电极中应用的研究

本文对交流阻抗测试中的阻抗平面图和等效电路之间的关系进行了探讨。分别测定了氟离于和镉离于选择性电极体系的阻抗平面图,根据阻抗平面图和有关知识提出了氟离子和镉离子选择性体系的等效电路。     

电沉积银铟硒薄膜的光电化学特性研究

在钛片上用电沉积方法制得银铟硒薄膜,测试了银铟硒薄膜在多硫、多碘等氧化还原偶介电质中与铂电极（或石墨电极）构成的ＰＥＣ电池的开路光电压和短路光电流,研究了化学修饰对其光电效应的影响。     

加载控制模式对电沉积镍薄膜力学性能测试的影响

为研究深度和载荷2种加载控制模式对样品硬度和杨氏模量测试结果的影响,选取了厚度为6μm的电沉积镍薄膜为样品,采用美国Hysitron公司生产的TriboIndenter型压痕仪进行压痕试验.结果表明:因薄膜和基底2种材料的性能相差较大,随着压痕深度的增加,基底效应越来越明显;载荷控制模式下所测的硬度和杨氏模量较深度控制...     

电沉积聚苯胺薄膜在离子液体BmimPF6中的电致变色响应及电致变色器件研究

通过使用电化学循环伏安法分别在十二烷基苯磺酸和HNO3中电沉积制备了聚苯胺(PANI)电致变色薄膜.使用Raman、FE-SEM和电化学原位紫外可见吸收光谱对所制备的聚苯胺电致变色薄膜进行测定表征,结果显示两种质子酸中获得的聚苯胺形貌存在显著的差异,且对其在离子液体Bmim PF6中的电致变色性能产生影响.实验结果显示在十二烷基苯磺酸微乳液中沉积制得的聚苯胺电致变色薄膜在Bmim PF6中具有良好的电致变色响应.使用Bmim PF6为电解质,将所制得的聚苯胺电致变色薄膜电极与通过电化学沉积制得的三氧化钨(WO3)电极一起组装得到了电致变色器件.原位吸收光谱数据显示,所制得的电致变色器件,在-1.5~2 V的工作电压下,具有稳定的电致变色响应,其着色和褪色时间分别为4.0 s和5.0 s,着色效率达176 cm2·C-1(λ=600 nm).     

单晶Si上电沉积非晶态NiP薄膜的循环伏安研究

采用动电位沉积法在ｐ型单晶硅（ｐ－Ｓｉ）上制备了ＮｉＰ薄膜，利用循环伏安法对沉积和阳极溶出行为进行了研究，结果表明ＮｉＰ合金中存在富镍和富磷的两种组分，具有不同的电化学活性；所获ＮｉＰ合金的含Ｐ量为１６．２８ｗｔ％，具有非晶态结构，在富Ｐ合金表面上进一步沉积时需要较高的过电位，说明Ｐ的加入不利于晶粒的继续长大而有利于非晶的形成。     

等电位差-离子选择性电极法研究

提出了一种新的离子选择性电极分析方法,即等电位差-离子选择性电极法,该方法已用于氟的测定.用氟标准样品进行检验,测定结果与理论值一致,样品测定结果与分光光度法一致,相对标准偏差为2.5%.对样品灰化条件进行了考察.     

氧化锌薄膜的电化学交流阻抗法研究

通过电化学交流阻抗技术对不同电流密度、沉积时间、电解液浓度和溶液温度下制备的氧化锌薄膜进行了表征,结果表明不同条件下制备的氧化锌薄膜的结构不尽相同,但基本上都是内层致密、外层疏松的双层结构.     

东莨菪碱PVC膜离子选择性电极的研究

用氢溴酸东莨菪碱－ 四苯硼离子缔合物为电活性物质,以邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂,研制成 Ｐ Ｖ Ｃ为基质膜的东莨菪碱离子选择性电极。东莨菪碱浓度在１０×１０－ ４ｍ ｏｌ／ Ｌ～１０×１０－ ２ｍ ｏｌ／ Ｌ时,电极电位服从能斯特方程式, 响应斜率为５９０７ ｍ Ｖ／△ｐｃ, 检测下限为７９４×１０－ ５ ｍ ｏｌ／ Ｌ, 对东莨菪碱的回收率为９７９％ ～１０９２％ , 变异系数为０４５％ 。本文考察了电极的各种性能, 测定了２０种常见离子选择性系数。方法用于实际样品中东莨菪碱的测定, 与药典标准方法比较, 相对误差２８２％ , 结果满意     

有机涂层中离子传输行为研究

借助涂层的阴极剥离,研究了有机涂层中离子传输行为。采用一个双电解池体系,将涂层人为缺陷和完好部分隔开,通过控制两部分溶液中离子种类、浓度和pH值等,研究离子在涂层中的传输。尝试采用电化学阻抗谱技术（EIS）来表征涂层/金属界面阴极剥离程度。结果表明：K^＋能透过环氧清漆涂层到达涂层/金属界面;而Na＋很难穿透环氧清漆,只能通过涂层缺陷到达界面。溶液中水合离子直径对于离子在涂层中的扩散有着重要影响;溶液中水的活性是影响涂层起始剥离时间的主要因素。     

薄层电解液中气相缓蚀剂对碳钢腐蚀和缓蚀行为的影响

采用电化学极化曲线和电化学阻抗技术，研究了薄层电解液中碳钢的腐蚀行为和吗啉缓蚀剂对它的缓蚀作用．结果表明，300μm的薄层电解液下碳钢电极的阳极极化曲线和阴极极化曲线呈现扩散控制特征，其腐蚀速度比溶液中碳钢电极的腐蚀速度增加．薄层电解液中缓蚀剂的加入，降低了碳钢电极的电化学极化曲线上的阴极和阳极的扩散电流密度，使碳钢电极的电化学阻抗谱上出现感抗弧，表明缓蚀剂在碳钢表面发生了吸附，阻止了阴极还原的氧扩散以及阳极腐蚀产物的迁移．     

不同制备方法对薄膜性能的影响

采用离子束反应溅射、等离子体辅助、射频离子源辅助、Kaufman离子源辅助比较不同制备方法对薄膜性能的影响. 镀制了Ta2O5、SiO2两种材料的单层膜及由它们组成的多层膜. 结果表明:离子束反应溅射能够制备出质量最好的激光膜,抗激光损伤阈值达到17.39J·cm-2,等离子体辅助和射频离子源辅助制备的膜层结构致密、散射比和吸收比小,Kaufman离子辅助制备的膜层各项性能指标都相对较低.     

355 nm YAG皮秒脉冲激光晶化非晶硅薄膜的研究

 使用355 nm YAG皮秒脉冲激光对250 nm厚的非晶硅薄膜进行激光晶化的研究,并利用金相显微镜、拉曼光谱和X射线能谱（EDS: energy dispersive spectrometer）等对晶化样品进行了分析。结果表明：随着激光脉冲能量的增加,完全熔区和部分熔区的宽度均明显增大。在所研究的脉冲能量范围内（15 μJ—860 μJ）,所有样品的完全熔区的拉曼光谱均无非晶硅或晶体硅的特征峰,而位于完全熔区边缘的部分熔区的拉曼光谱却显示出晶体硅的特征峰,这可能是因为完全熔区接受到的激光能流密度过大,造成区内绝大部分非晶硅薄膜气化蒸发。这个推测进一步得到了X射线能谱分析结果的证实。X射线能谱分析结果表明,完全熔区的成份主要是玻璃与硅反应生成的硅化物,其表面被二氧化硅层所覆盖。     

A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜的物相分析

本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文中论述了正离子 对基板的溅射作用所引起的靶材原子和基板（基体）原子在基板上共同沉积的成膜机 理。     

非晶CoZrNb磁性薄膜的研究

研究溅射条件和旋转磁场热处理对CoZrNb薄膜结构和性能的影响。结果表明,高的溅射功率和合适的氩气压强对非晶CoZrNb薄膜的形成有用,并且这些薄膜的矫顽力较小。旋转磁场热处理将改善薄膜的软磁性能,使得矫顽力进一步减小。对溅射条件对薄膜性能的影响机制和旋转磁场热处理改善薄膜性能的机制作了简要的讨论。     

铁电薄膜开关特性测量

对铁电薄膜的开关特性进行了分析．介绍了利用美国ＨＰ４１９２Ａ低频阻抗分析仪设计铁电薄膜开关特性测量仪的方法．讨论了测量原理以及如何利用测量仪所产生的双极性双脉冲对铁电薄膜的开关特性进行测量,给出了有关ＰＺＴ（５５／４５）铁电薄膜样品的测量结果     

磁控溅射Si/Co多层膜的小角X射线衍射测试研究

用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析,在计算多层和单层膜厚度时,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法,使数据处理得到简化.最后,通过XPS分析指出,在膜层界面具有硅的化合物存在.