应用Raman光谱方法研究PAN基炭纤维中sp2杂化的C-C原子键距与碳化温度的关系

利用Raman散射方法，对不同碳化温度下制备的PAN基炭纤维样品进行了测试，根据Raman散射的测试结果，从Fitzer碳键键距出发，得出PAN基炭纤维中乱层层面内的sp^2杂化的C－C原子键距a0随炭化温度的变化。并且对这种变化规律从电子结构角度进行了初步探讨。     

PAN基炭纤维的石墨化度表征及与电阻率的关系

利用拉曼（Raman）散射和直流四电极法对热处理温度2400-3000℃的PAN基炭纤维样品进行测试，得到PAN基炭纤维的拉曼光谱与电阻率随热处理温度的变化关系．用Raman光谱的特征谱线的积分强度比对炭纤维的石墨化度进行了表征，分析了炭纤维的石墨化度对电阻率的影响，结果表明，随着热处理温度的升高，炭纤维的石墨化度降低，电阻率降低．     

PAN基碳纤维的结构研究及热处理温度的影响

本文利用Ｘ射线衍射方法，讨论了ＰＡＮ基碳纤维的微观结构及微观结构随热处理温度的变化关系，指出ＰＡＮ基碳纤维由乱层石墨和单层碳原子面双相构成，同时进一步给出了结构参数Ｌａ、Ｌｃ、ｄ００２，用微晶择优取向度Ｗ１／２随热处理温度的变化规律。     

PAN基炭纤维微孔结构的研究

对不同炭化温度的PAN基炭纤维的小角X射线散射强度进行测试.基于小角X射线散射理论,利用逐级切线法和材料分形理论中的散射强度法,分别计算PAN基炭纤维内微孔大小、体积分数及微孔表面分形维数.给出了不同炭化温度PAN基炭纤维的微孔大小、体积分数、微孔表面分形维数的定量表征及其随炭化温度的变化规律.     

PAN基碳纤维的微观结构对电阻率影响的研究

本文对不同碳化温度下制备的ＰＡＮ基碳纤维的电阻率、结构参数、微晶择优取向度Ｚ°及层面内Ｃ－Ｃ原子键距ａ０进行了测量,给出了ＰＡＮ基碳纤维的电阻率随结构参数（Ｌａ、Ｌｃ、Ｌ００２）的变化规律,同时对碳纤维的电子特性进行了初步讨论．     

PAN基碳纤维中C-C原子键距及乱层间距随温度变化规律的研究

对高强度及高模量的PAN基碳纤维进行了不同温度下的高温X射线衍射在位测试，根据X射线衍射测试结果，给出了SP2杂化的碳原子层面内的C－C原子键距α0以及乱层层面间距d002随温度的变化规律，从C原子的价电子结构的角度对上述变化规律进行了讨论。     

PAN基炭纤维微孔缺陷的表征及其对力学性能的影响

对不同热处理温度的PAN基炭纤维（PAN-CFs）进行小角X射线散射（SAXS）测试.基于材料分形理论和小角X射线散射理论,计算给出了炭纤维内微孔缺陷的大小、分布及微孔表面分形维数.探讨了纤维内微孔缺陷对其力学性能的影响.     

高模量PAN基炭纤维的表面研究

采用X射线光电子能谱（XPS）对热处理温度为2400—3000℃的聚丙烯腈基炭纤维（PAN-CFS）的表面元素组成、相对含量以及表面官能团的类型进行了表征．结果表明，热处理温度在2400℃以上，炭纤维表面只存在-C-C-结构和羟基、醚键等结构．随着热处理温度的升高，PAN-CFS表面C元素的含量不断上升，-C-C-结构含量不断增加，而羟基、醚键等结构的含量不断下降，表面活性降低．     

Cu／Ni多层膜的电阻与位错

采和电桥及Ｘ射线衍射线形分析法研究磁控溅射Ｃｕ／Ｎｉ多层膜及Ｎｉ单层厚度均为５ｎｍ）的室温电阻率平均位错密度随对层层数的变化规律。     

Fe（phen）3CdI4在甲醇—水混合溶剂中的溶解度

在293．15－318．15K（间隔5K）下，用分光光度法测定了大妥子强电解质Fe(phen)3CdI4（简称FPCI，以下同）在纯水，纯甲醇及甲醇－水混合溶剂中的溶解度，结果表明：FPCI溶解度随温度升高而增大，随混合溶剂中甲醇含量的增加呈先增大后又减少的趋势，用溶剂结构理论对FPCI溶解度的变化规律进行了讨论。     

Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

压电半导体ZnO单晶的Brillouin散射

本文导出了任意对称性压电半导体晶体中任意传播方向的声波方程,分析了对Brillouin散射有贡献的弹光效应、切变波引起的局部转动效应以及伴随准静电场产生的电光效应三种散射机制.给出了ZnO单晶热声子Brillouin散射谱,得到了ZnO单晶在室温下特高频段内全部5个独立弹性常数的值,发现比低频段的值约低45%;同时还确定了一组ZnO单晶的光弹系数关系式以及其xz平面准纵声波的倒速度曲线.     

氧对体心立方铁中刃型位错上扭折电子结构的影响

利用离散变分方法和DMol方法,研究了氧对体心立方铁中[100](010)刃型位错上扭折电子结构的影响,计算了杂质偏聚能、原子格位能、电荷密度及态密度.计算结果表明:扭折对氧原子有捕获效应,氧进入体系后引起电荷重新分布,铁原子的4s4p轨道失去电子,氧原子2p轨道和铁原子3d得到电子,氧原子的2p轨道与近邻铁原子的3d4s4p轨道之间杂化,使得它们之间的成键有较强的方向性,有可能使材料韧性降低.     

水平二层土壤中矩形复合地网基础接地电位研究

用矩量法,对埋在水平分层的二层土壤中的矩形混凝土内含有水平以及竖直钢筋的复合接地网,在地面所产生的电位进行了研究,得出计算公式,用FORTRAN语言编制了计算程序,用MATLAB软件绘制出电位分布图.由图看出,混凝土以及土壤的电阻率对地面电位分布影响较大,当混凝土电阻率远大于土壤电阻率时,地面地位分布与没有混凝土的地网相近,此时,地面电位在钢筋外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率远小于土壤电阻率时,地面电位则在混凝土的外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率与外部土壤电阻率相差不是很大时,跨步电压则在钢筋外部边角附近以及混凝土的外部边角附近各形成一个峰值.从安全接地来看,利用基础接地时,应对这2处跨步电压可能出现峰值的地方都加强安全措施.     

Simulink自带永磁同步电动机模型矢量坐标变换分析与国产化改造

分析了Simulink自带永磁同步电动机模型的内部结构与矢量坐标变换关系,给出其对应的模型.提出对自带PMSM模型进行国产化改造方法,建立磁场定向SVPWM双闭环仿真系统,对比仿真证明了改造方法的正确性.