全集成MOSFET—C精确连续时间滤波器平衡结构［CCⅡ±］实现及仿真

以全集成ＭＯＳＦＥＴ电流传输器［ＣＣⅡ±］为基础提出了一种积分电路平衡结构，并对其消除非线性因素进行了理论分析。同时提出了相应的基本电路元件的有源ＲＣ双Ｔ滤波器平衡模式。利用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对以［ＣＣⅡ±］为基础的一个全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构６阶低通切比雪夫滤波器输出电压幅频特性和相频特性进行了仿真分析，得到了实用的结论。     

基于信号电流跟随器的全集成四阶带通滤波器仿真分析

提出了以信号电流跟随器ＣＦ＋为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间电流模式四阶带通平衡结构滤波电路，并应用通用模拟电路程序ＰＳＰＩＣＥ（Ⅱ），对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了几点实用的结论．     

基于[CF+]的四阶电流模式低通滤波器分析

提出了以信号电流跟随器ＣＦ＋为基本电路元件，构成全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间四阶电流模式平衡结构低通滤波器电路，应用ＰＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析。结果表明：这种滤波器能够直接处理电流信号，避免了电压跟随误差对电路质因数和自然频率的影响，有效地消除了ＭＯＳＦＥＴ电阻偶次非线性因素的影响，得到了可靠的计算数据。     

CCⅡ实现的全集成MOSFET－C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路（ＭＲＣ）、Ⅱ型电流传送器（ＣＣⅡ）和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块──理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等；其中由笔者首次给出基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现了一个基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器．这种滤波器不仅与基于运放的ＭＯＳＦＥｔ－Ｃ连续时间滤波器一样可以单片集成化，而且比后者具有更优越的高频性能．     

基于运放的全集成MOSFET—C电流模式滤波器的实现及仿真

提出了基于运算放大器的电流模式ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ全集成精确连续时间平衡结构四阶低通滤波器电路,并应用ＰＳＰＩＣＥ通用模拟电路程序,对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析,得出了实用的结论。     

CCⅡ实现的全集成MOSFET—C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路，Ⅱ型电流传送器和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块－理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等。其中由笔者首次给出了基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现的了基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连纽时间滤波器。     

具有片内自动调谐功能的CMOS连续时间滤波器

论述了一个五阶连续时间椭圆函数低通滤波器的研制。该滤波器采用基于全平衡结构的ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ技术。滤波器的截止频率是１０ｋＨｚ，通带波动０．１ＤＢ，动态范围９５ｄＢ，采用基于锁相环的自动调频系统对滤波器的转折频率进行调节，该调频系统与滤波器本身制作在同一芯片上，使用时不需附加任何外部调谐电路。     

用于连续时间滤波器中的CMOS平衡结构运放

论述了用于ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器中的ＣＭＯＳ平衡运放的研制，采用了共模负反馈的技术，使得研制出的运放具有极强的对共模信号的抑制能力。该运放亦具有良好的其他特性，它不仅可用于集成连续时间滤波器中，亦可广泛用于Ａ／Ｄ、开关电容滤波器的其他通信用集成电路中。     

甲基丙烯酸甲醇与氰乙基化交联淀粉的接枝共聚反应及其改性接枝物对金属离子吸附性能的研究

以ＡＰＳ－ＴＵ和ＡＰＳ－Ｕ为引发体系，研究了氰乙基化交联淀粉与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）的接枝共聚反应规律；ＩＲ，ＳＥＭ表征了产物的结构；当［ＡＰＳ］＝［ＴＵ］＝［Ｕ］＝３×１０－２Ｍ，［ＭＭＡ］＝６×１０－１Ｍ，Ｓ：Ｌ＝４：１００，６０℃，反应６小时时，Ｇ％、Ｅ％值最高．用ＮＨ２ＮＨ２改性后，含－ＣＯＯＮＨＮＨ２功能基的接枝共聚淀粉对Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｐｈ等重金属离子有较好的吸附性能．     

全平衡式OTA—C连续时间滤波器设计

提出两种全平衡式ＯＴＡ－Ｃ滤波器的设计方法：由有源ＲＣ（ＯＰＡＭＰ－ＲＣ）滤波器转换为一平衡式ＯＴＡ－Ｃ滤波器；由单端结构ＯＴＡ－Ｃ滤波器转换为全平衡式ＯＴＡ－Ｃ滤波器，ＳＰＩＣＥ程序模拟结果验证了设计方法的正确性。