S-盒特性与DES强度

介绍了差分密码分析，讨论了数据加密标准（ＤＥＳ）的Ｓ－盒的结构与差分特性，然后通过Ｆ－函数将Ｓ－盒的局部特性扩展到整个密码结构。为考察Ｓ－盒顺序对ＤＥＳ强度的影响，进行了大量的测试工作，指出了改变Ｓ－盒的顺序不会影响密文对明文和密钥的敏感性，并揭示了Ｓ－盒顺序的改变对密文影响的正态分布特性。以最佳概率讨论了Ｓ－盒顺序有利于抗差分密码分析，证明了Ｓ－盒顺序对抗差分密码分析是一个良好的方法。最后给出了重排Ｓ－盒的随机化算法。     

S—盒的置换与随机化

讨论了Ｓ盒的转换特性，测试结果证明了改变Ｓ盒的顺序不会影响密文对明和密钥的敏感性，并揭示了Ｓ盒顺序影响密文的正态分布特性，后给出了随机化Ｓ盒的算法。     

Rijndael算法及其频数分析

详细分析了AES最终入选算法－－Rijndael算法的处理过程及数学原理,对密文的频数进行了水平为α＝0．005的X2－检验,得出Rijndael算法密文比特服从概率为0．5的二基式分布,可见Rijndael算法的频数具有良好的随机特性。     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

a－Si TFT－LCD黑白视频投影显示

模拟信号驱动方式的ＯＫＩＭＳＭ５２８０—５２８３系列ＬＣＤ驱动ＩＣ，非常适合于我们所研制的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ）．自行设计接口控制电路，使视频信号与液晶驱动ＩＣ及液晶盒的电光特性相匹配．在光路设计中采用大口径聚光镜，从而获得了象质均匀，对比度达４０：１，灰度达８级的无闪烁视频图像．     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

SITI－V特性模型

提出了一个ＳＩＴＩ－Ｖ特性模型．该模型不仅成功地解释了在小电流工作时的指数Ｉ－Ｖ特性，而且也说明了在中等电流和大电流工作时的线性Ｉ－Ｖ特性．基于这个模型，得到了全工作区ＳＩＴＩ－Ｖ特性基本方程     

SIPOS／Si结构的界面特性

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ—Ｏ键的结构，对比了热退火、快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ—Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ，Ｉ－Ｖ测试结果，对其界面特性进行了分析．     

原材料特性对 SiC-TiB_2 复合陶瓷性能的影响

以微米级α－ＳｉＣ粉为原料,用常压烧结法制备ＳｉＣ－１５％ＴｉＢ２（体积分数）复合陶瓷．研究了原材料特性如烧结助剂种类、增韧相类型和原料ＳｉＣ粉粒度对材料性能和显微组织的影响．结果表明,Ａｌ－Ｂ－Ｃ是ＳｉＣ－ＴｉＢ２复合陶瓷的有效烧结助剂．用它为助剂制备的陶瓷其相对密度和抗弯强度高于以Ｂ－Ｃ,Ａｌ－Ｃ和Ｓｉ－Ｃ为助剂的ＳｉＣ陶瓷．与纯ＴｉＢ２粉末相比,以ＴｉＢ２－ＳｉＣ复合粉为增韧相的复合陶瓷性能改善,且抗氧化性较好．ＳｉＣ原料粉末的粒度是影响ＳｉＣ可烧结性最重要的因素．粒度愈细,ＳｉＣ陶瓷的相对密度和抗弯强度愈高．     

表面活性剂对镍和铁的缓蚀作用

表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＡＢ）,十二烷基硫酸钠（ＳＤＳ）,聚乙二醇辛基苯基醚（ＴｒｉｔｏｎＸ－１００）对Ｎｉ,Ｆｅ均有缓蚀作用,其缓蚀效率顺序为：ＣＴＡＢ〉ＴｒｉｔｏｎＸ－１００〉ＳＤＳ,ＨＣｌ溶液对这３种典型表面活性剂第一临界胶束浓度的均有影响,在１．０ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＨＣｌ溶液中,ＣＴＡＢ,ＳＤＳ,ＴｒｉｔｏｎＸ－１００的第一临界胶束浓度分别为１．３×１０＾－５,１．６×１０＾－５     

掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究

提出用电荷控制法研究ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的理论模型，通过引入平均场效应迁移率的概念，推导出计算ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移损失率的解析解，理论计算与实验结果符合较好．该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的影响，分析结果表明，ａ－ＳｉＣＣＤ的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制．     

多孔硅电学性质的初步研究

采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．     

ICP－AES谱线重叠干扰的自适应校正

谱线重叠干扰一直影响着电感耦合等离子体原子发射光谱分析法（ＩＣＰ－ＡＥＳ）性能的提高．在分析研究谱线重叠干扰特性的基础上，提出了应用于ＩＣＰ－ＡＥＳ的自适应滤波模型．计算机模拟和实测谱图校正的结果表明，这种新方法是可行的．     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

亚砜类萃取剂萃取铀(Ⅵ)的研究

研究了在稀释剂甲苯中石油亚砜（ＰＳＯ）、二正辛基亚砜（ＤＯＳＯ）、二（２－乙基己基）亚砜（ＤＥＨＳＯ）、十二烷基对甲苯基亚砜（ＤＴＳＯ）、２－乙基己基对甲苯基亚砜（ＥＨＴＳＯ）、二苯基亚砜（ＤＰＳＯ）等亚砜类化合物对铀（Ⅵ）的萃取,其萃取能力按ＰＳＯ＞ＤＯＳＯ＞ＤＥＨＳＯ＞ＤＴＳＯ＞ＥＨＴＳＯ＞ＤＰＳＯ的顺序变化．求出了萃取反应的焓变,考察了硝酸浓度、萃取剂浓度、盐析剂浓度、络合阴离子（Ｃ２Ｏ２－４）浓度、温度对萃取平衡的影响．     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

添加氧化物粉末对FeCr烧结合金交流磁特性的影响

添加氧化物粉末对ＦｅＣｒ烧结合金交流磁特性的影响（日）大同工业大学和大同特殊钢公司技术开发研究所为进一步提高ＦｅＣｒ系烧结合金的交流磁特性，研究了添加ＳＩＯ。、ＣａＯ、ＡＩ。Ｏ。的粉末混合物对低Ｃ的Ｆｅ－１３Ｃｒ－０．ＳＳｉ烧结合金磁性的影响。试验用...     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。