强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果。     

燕尾槽衬底内条形锁相列阵激光器亚纳秒光脉冲的产生及测量

报导了锁相列阵激光器产生的亚钠秒光脉冲，测得光脉冲宽度的典型值为２００ｐｓ，光脉冲的峰值功率可达３８０ｍＷ。     

正弦调制自混合型半导体激光器光学传感的研究

研究正弦电流直接调制下,单纵模半导体激光器在外部物体的反馈作用时产生的自混合效应,利用这种自混合效应,对静止物体的距离进行非接触性的,测量,通过设定一参考距离,比较靶体与基准点处的拍频信号的最大频率值,简化了测量步骤,分析测量误差与调制电流大小的关系,进而确定短距离的最佳实验条件。     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

半导体激光器可靠性数据处理系统的设计考虑

本文阐述了采用微机控制的半导体激光器可靠性数据处理系统的硬件和软件设计考虑，在硬件上，以通用的１２位微机过程控制接口板为主，设计出电导数、热阻和光功率测量板，数字温控板，多管巡回检测接口。软件采用汇编语言和ＱＵＩＣＫ－ＢＡＳＩＣ语言混合编程，以在完成复杂的数据处理的同时提高了数据采集和处理速度，因而获得了比较精确的可靠性数据和较强的图形功能。     

基于半导体可饱和吸收镜的双波长环形腔连续波光纤激光器

提出并实验研究了一种基于半导体光放大器(SOA)和半导体可饱和吸收镜(SESAM)的双波长环形腔连续波光纤激光器.当半导体光放大器的输入电流为140m A时,通过仔细调整偏振控制器,可以获得1 560.91 nm和1 564.12 nm双波长激光,其信噪比大于30 dB,波长间隔为3.21 nm.实验结果表明,基于SOA和SESAM的双波长环形腔连续波光纤激光器的新概念及其技术可行性.     

高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性，并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果。     

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对８０８ｎｍ大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,８０８ｎｍ大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要１／ｆ噪工在阈值附近有最大值。     

一种半导体激光器的驱动电路源

根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计。针对具体的980 nm泵浦激光器,采用负电源模拟电路方案,研制了包含慢启动和功率稳定功能的驱动电路,其输出驱动电流稳定度达到2×10-4,应用于激光器后得到了小于4‰的光功率稳定度。     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特…

首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。     

半导体激光器的发展及其在激光光谱学中的应用

半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用,本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的主要应用,给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱。     

基于自适应模糊控制的脉冲电磁光阀

提出了一种自适应高速脉冲式电磁光阀,由于电磁光阀存在较大的不确定性,为了在基本结构确定的情况下,通过调整驱动电流的波形参数,提高光阀的工作频率,采用了实验的方法,观测在多种可控参数取不同数值时光阀的工作状态,然后据此观测数据,利用遗传算法,设计具有自适应性的模糊控制系统。