1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

肮频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金，掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究，实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ－ＴＲＲ折裹曲线，但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ－ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化，据化，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。     

毫米波辐照对昆明鼠皮肤组织Raman光谱的影响

为探讨高功率毫米波辐照对小鼠皮肤全部换为Raman光谱的影响,并为毫米波辐照的治疗和防护提供剂量学依据。采用高功率密度毫米波辐照小鼠背部,50s后立即取辐照部位皮肤制成样品,辐照样品和对照组样品冰冻切片后,测定毫米波辐照区域不同深度的小鼠皮肤组织切片的拉曼光谱。结果显示:与对照组比较,辐照后的特征峰位855cm-1、932cm-1消失,1080cm-1、1125cm-1和1166cm-1的峰强增大,1230~1410cm-1峰带中峰位增多,1585cm-1和1653cm-1峰强度大幅增加,2722cm-1峰减小及2930cm-1峰左侧翼减小。这表明,毫米波辐照50s使得小鼠皮肤组织中的蛋白质构象发生了变性,皮肤组织受到一定程度的损伤。     

10MeV电子辐照加速器周围辐射场测量与分析

详细计算了一台10 MeV的电子直线加速器周围某些关键位置的辐射剂量,并对其进行了连续监测以及累积剂量的测量,测量结果充分说明工作环境是安全的.在迷宫出口位置理论值很好地符合测量值,这充分验证了经验公式的合理性.同时发现迷道内剂量衰减趋势与计算模型中使用的距离平方反比规律有所不同,要在迷道长度达到一定值后才能确保经验公式给出的结果是保守的.为了实现对辐射场的连续实时监测,此次测量中使用一种新的数据采集设备Mini-DDL(mini digital data logging).     

18MeV质子辐照对Zr-Sn-Nb合金性能影响的研究

作者通过HZ B串列加速器用能量 18MeV的质子 ,研究了两种Zr Sn Nb合金的质子辐照效应 .结果表明 ,经 1.5× 10 14 /cm2 注量质子辐照处理后 ,其样品的电阻率升高 ,而显微组织没有明显的变化 .通过计算在此能量和注量下锆合金的初级撞出能量为 770keV ,足以产生级联碰撞 ,致使样品中的原子移位而生成点缺陷 ,从而电阻率上升 ,但因注量较小不能使显微组织发生明显的变化     

5～20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

用能量为5～20MeV,注量为1×109～7×1013cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并对变化关系进行了能损模拟分析.结果表明:注量低于1×109cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化;当注量增加为3×1012cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80%,86%,90%;Voc的衰降变化分别为原值的82%,85%,88%; Pmax的衰降变化分别为原值的60%,64%,67%.当辐照注量为5×1013cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的26%,30%,36%.即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小.     

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×1019 cm-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×1019 cm-2后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样...     

GaAsX射线探测器及其电子辐照改性的研究

研制出了 1种双微带结构的GaAsX射线探测器 ,该种探测器具有良好的探测性能 .通过对本征GaAs探测器和经过 1 6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应的测量 ,及对其响应时间、后沿下降时间和半高宽 (FWHM)的对比研究结果显示 ,经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的改善 .     

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

辐照金刚石的电子顺磁共振

对不同类型的金刚石辐照前后的电子顺磁共振波谱进行了研究．结果表明,人工辐照能使不同类型的金刚石产生类似的具顺磁性的中心（电子－空穴心）,但在相同辐照条件下辐照金刚石时,其顺磁中心浓度并不一致,该浓度与金刚石中杂质氮类型和含量以及金刚石的质量有关．该研究为金刚石辐照改色条件的控制指明了方向．     

激光辐照单晶硅生成低维纳米结构及其Raman光谱分析

用激光辐照法加工单晶硅样品而生成的低维结构具有较高稳定性及较强光致荧光(PL)谱峰等特点.进一步分析样品的拉曼光谱峰位频移及半高宽变化,对其纳米结构的尺寸进行了表征和指认.     

四氢吡咯吸附在银膜表面上的激光喇曼散射效应实验研究

本文研究了0.05mol/L四氢吡咯/0.10mol/LKCl体系吸附在化学沉积银膜上的表面增强喇曼散射(SERS)光谱。通过与正常喇曼谱比较,发现四氢吡咯吸附在化学沉积银膜上存在较强的SERS增强效应,并且一些谱带的位置发生了漂移。实验结果表明,四氢吡咯和银膜之间存在着强烈的相互作用。     

栗黄枯叶蛾核型多角体病毒病毒粒子的拉曼光谱研究

通过对栗黄枯叶蛾核型多角体病毒TvNPV(Trabala vishnou Nuclear Po-lyhedrosis Virus)的病毒粒子的拉曼光谱研究,讨论了它的蛋白质分子空间构象.其蛋白质主要为β折叠结构、α螺旋结构以及少量无规卷曲(其中包括β回折)结构.蛋白质中酪氨酸残基多数暴露于分子表面,少数埋藏在分子内部;色氨酸残基大多埋藏在疏水环境中.蛋白质分子侧链C—C—S—S—C—C构型为反式—扭曲—反式.     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃，对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。