氧离子注入GaAs的研究

本文研究了在160KeV能量下,O~ 注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O 注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O~ 引入了双深能级。     

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.     

N离子注入非晶碳膜的CN成键研究

利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键 合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp³C-N, sp² C-N 和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp³ C-N键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp³ C-N键的形成.     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质

低温显微偏振光致发光谱的测量表明, 经选择性As+离子注入和快速退火后, V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应, 其光致发光呈现约63%的线性偏振度; 对量子线样品的低温磁阻测量亦表明, 经选择性As⁺离子注入和快速退火后, 准一维量子线表现出良好的一维输运特性.     

N型GaAs少子扩散长度的温度特性

根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。     

G.N.Raney定理推广

利用文献[1]的超分子推广G.N.Raney定理,给出完全分配格新的刻划.为连续格理论和Fuzzy拓扑学的研究提供一些新的思路.     

薄层扫描法测定硫化橡胶中游离硫的含量

硫化橡胶是一类重要的工业原料,应用非常广泛。测定硫化橡胶中游离硫的含量对分析产品的质量,判断橡胶硫化交联程度和改进硫化工艺等都具有重要的现实意义。测定硫化橡胶中游离硫的含量通常用的方法是化学滴定法,该方法操作繁琐,样品用量大,分析周期长,只适应于常量分析.L.T.Nutter 和 O.S Privett 等曾用薄     

注入电流对MOVPE生长GaAs薄层光透射特性的影响

本文报道MOVPE生长不掺杂GaAs薄层对线偏振光和自然光的透射特性,详细介绍注入电流对光透射特性的影响。     

学习L.R.N.定理的注记

L.R.N.定理设μ,λ是集X上的σ—代数m上的正有界测度,则(a)在m上存在唯一的一对测度λa和λs,使得(1)λ=λa+λs,λa《μ,λs⊥μ这些测度都是正的,且λa⊥λs(b)存在唯一的一个h∈L’(μ),使得     

N.H.Abel定理的推广

本文详尽讨论了级数∑nanSnαSn-1β(α,β0)的敛散性.式中Sn=∑nk=1ak(ak0)→+∞(n→∞)从中得到一些有价值的结果.N.H.Abel定理则是文中命题2(当β=0,α=1+ρ,ρ>0时)之特例.     

N.N二正戊基乙酰胺萃取柠檬酸

本文研究N·N二正戊基乙酰胺(DPAA)萃取柠檬酸的性能,它和磷酸三丁酯(TBP)相比,具有低毒、低粘度、水溶性小、萃取反萃性能好等优点。考虑到原料来源及成本,建议以发酵法生产乙醇的副产品杂醇油为原料,生产N·N二烷基混合酰胺来萃取柠檬酸