掺杂半导体的电离率

本文从电子占据能级的几率出发,经过严格数学推导,得到了杂质半导体的电离率、电离能、浓度及温度各量关系的一般表达式,并与某些极端条件下的近似结果进行了比较。分析表明,本文得到的表达式具有普遍意义,该关系式对于分析上述各量关系,特别是在非极端条件下,具有实际意义。     

混合掺杂半导体载流子浓度的数值计算

针对混合掺杂情况下的半导体材料,运用费米分布函数对其载流子浓度进行计算,推导出了一般情况下的电中性方程,对所推导出的电中性方程进行计算机数值求解,得到了对应不同材料、不同掺杂浓度、不同温度时的载流子浓度。对于计算中可能出现的溢出问题进行了妥善处理,并采用预划分积分区间的办法,加快了费米积分的计算速度。文中所提出的计算方法对于简并半导体和非简并半导体均适用。     

半导体掺杂分布精细结构的测量技术研究

论述了一种采用数控精细扫描电压源的电容－电压（Ｃ－Ｖ）测量系统，利用该系统可以测量硅及砷化镓样品表面层的掺杂分布的精细结构，为半导体器件和集成电路芯片的设计与制造工艺的优化提供可靠的依据，测试系统采用ＰＣ微机作为主控机，配以接口模块，数据采集模块，控制模块及电容仪等，可使测量快速，准确地进行，并可使复杂的操作与计算过程完全自动化。     

梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%(原子数百分比)的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。     

电场强度与电势梯度关系的简单推导方法

以电势叠加原理和场强叠加原理为基础,给出了严格推导电场强度与电势梯度关系的一种非常简单的方法.     

Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构与磁学性质

用溶胶-凝胶方法制备了具有单一纤锌矿结构的Co掺杂ZnO稀磁半导体粉末样品.通过对样品的结构、元素价态、电学和磁学性质的分析,研究了样品室温铁磁性来源.研究结果表明,2次烧结的样品比1次烧结样品的磁化强度明显增强;观测到的铁磁性与ZnO本征缺陷(Zn空位)有关,铁磁性起源于局域化受主(Zn空位)之间的交换相互作用.     

过渡金属Mn离子掺杂的半导体纳米晶研究进展

过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得到晶核掺杂和生长掺杂方式相比于传统的"一锅法"在制备方式更有优势;从回顾关于Mn掺杂机理上的各种解释和在宿主纳米晶中引入大量的掺杂剂所面临的困难中,得出要获得掺杂浓度可控的量子点需要考虑纳米晶表面自清洁效应,纳米晶形状、晶体结构、晶面、表面活性剂以及Mn离子与宿主阳离子的尺寸差别引入的晶格压力等关键因素;利用理论和实验深刻解释了Mn离子的发光机理,指出宿主到Mn离子的高能量转移速率是获得高效的Mn离子发光的关键因素。通过对掺杂量子点的制备、掺杂机理以及发光机理的综合探讨,为制备掺杂浓度和掺杂位置可控的光学性能优良的掺杂量子点方面的研究提供参考。     

功能梯度韧性膜力学性能压痕法的数值计算研究

本文利用有限元方法对功能梯度韧性膜/韧性基底体系的Berkovich压入过程进行模拟和计算.通过对计算结果的拟合我们得到了压入的加卸载参量和功能梯度韧性膜/基底的力学参量之间的对应关系.建立的模型为压痕法表征功能梯度韧性薄膜的力学性能提供了技术支持.     

被约束观察点的电位梯度与场强

本文通过几个实例说明了在由电位梯度求场强时的一个常见错误，并对产生错误的原因以及正确运用电位梯度求场强的方法做出了说明     

一类修正的共轭梯度法及数值试验

本文提出了一类求解无约束优化问题的修正的HS共轭梯度法.该算法每步都可产生一个充分下降方向,并且在适当条件下,证明该算法在非精确搜索下全局收敛.最后通过数值试验结果表明该算法的有效性.     

均匀带电圆环周围电场强度的计算

介绍了计算均匀带电圆环在周围空间任意点激发的电场强度的方法。     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中，金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素．确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度．本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程，利用数值计算的方法，计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布，得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系，两者都近似呈线性关系，表面温度和分界面温度相差不大，这与解析方法得到的结果基本相同．研究表明，通过数值方法给出材料中温度场分布情况，可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度．     

基于区域分解的混合法计算节点电场强度

针对基于节点电位有限元方法计算节点电场强度,尤其是针对多媒质问题时边界及交界面上的电场强度计算精度低的问题,提出了基于区域分解的混合法计算研究区域内的节点电场强度以及边界电场强度法向分量和切向分量的方法.根据材料属性的不同将计算区域进行分解,然后对各区域分别采用加权平均法、边界电场约束法以及反距离加权平均法计算区域内部节点电场强度、边界(或交界面)节点电场强度的法向分量和切向分量.对一个具有解析解的同轴电缆模型,分别用混合法和Ansys软件进行计算,对比结果表明混合法的计算精度明显高于Ansys软件方法.     

电场强度的三维数值计算方法的研究

讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的数值计算问题，提出了两种三维数值计算方法；并用所编制的程序计算了特写电场分布下的电场强度。结果表明，这两种方法的精度较高，能满足实际应用的需求。     

梯度功能材料在烧蚀条件下温度场的数值模拟

建立了功能梯度材料在烧蚀条件下传热的物理模型和数学模型,利用弹性网格的方法对移动边界的温度场进行了分析。最后对碳／陶瓷梯度功能材料进行了计算。     

三维地电体的静电场数值计算

为解决直流电法中三维地电体静电场的计算问题,通过静电类比,把稳定电流场的计算换为相应的静电场计算,再利用模拟电荷法求解.采用模拟电荷法建立了可以模拟稳定电流场的方程组,利用点电荷作为模拟电荷解决了三维地电体静电场数值模拟问题,编制了模拟计算程序.对球体这一典型的地电模型进行了模拟,结果与理论值相比较理想.该算法解决了以往求解静电场算法复杂、剖分困难等问题,可为电法勘探的正反演理论研究提供依据.     

均匀电场中介质球内外场强的计算

在普通物理知识范围内应用库仑定律和均匀电场中介质的极化特点,对均匀电场中介质球内外场强提出了2种求解方法,得出了相同的结果．     

对兴奋剂的历史回顾

对兴奋剂,兴奋剂的危害及反兴奋剂斗争的成就及不利因素进行分析,为使体坛能够公平竞争,应加强教育宣传,解决兴奋剂使用的思想根源问题,将教育与惩处相结合,加大惩处力度;加强地区间的资金,技术,信息合作,共同抵制兴奋剂,。