CaF_2:U~(3+)熒光晶体的紅外受激发射

CaF_2:U~(3+)单晶的光譜及紅外受激发射,国外已有报道,本文簡述我們关于这方面的工作。 CaF_2:U~(3+)单晶是用Stockbarger法,在真空(～10~(-4)mmHg)、高溫(～1,360℃)装置內用光譜純石墨坩堝于强还原条件下(加石墨粉)生长而     

CaF_2-LiCl-NaCl体系的熔度图

CaF_2-LiCl-KCl和CaF_2-NaCl-KCl体系的熔度图已有报导,而Caf_2-LiCl-NaCl体系的熔度图尚未有研究。我们用目测多温法作成了该系的熔度图。实验所用LiCl,经再结晶处理,真空脱水后预熔。CaF_2按Georg Brauer叙述的方法制成。NaCl(分析试剂)经600℃煅烧后预熔。熔点分别为606℃(1413℃)和801℃。将原料放在铂坩埚内,在坩埚炉中加热。炉上方装有光源。用铂-铂铑(10％Rh)热电偶测量熔体中晶体开始析出时的温度。体系的组成以克分子百分数表示。在组成该三元系的三个二元系中,CaF_2-LiCl系和 CaF_2-NaCl 采的熔度图已有研究。我们复验结果与之基本一致。LiCl-NaCl系的熔度图,     

CaF_2:Dy~(2+)熒光晶体的紅外受激发射

在現有固体工作物貭中,CaF_2:Dy~(2+)熒光晶体是目前阈值低、連續輸出功率最大(高达9瓦)的一种。据报导,利用15瓦鎢絲灯或50瓦太阳輻射器作为激发光源,就能使CaF_2:Dy~(2+)器件連     

SrF_2、CaF_2晶体中Ni离子g值的解释

一、引言 SrF_2和CaF_2是具有相同晶体结构的化合物.其F~(-1)离子形成简立方晶格,二价金属离子占据简立方的体心。不过,其体心被占据和不被占据是彼此相间的。近十年来,关于在SrF_2、CaF_2中渗入稀土金属离子或3d金属离子的研究已成为一个重要课题。而近来,对     

CaF_2:Ce~(3+)晶体的光谱性质及γ线辐照效应

Ce~(3+)只有一个4f电子,基态能级为~2F_(5/2)和~2F(7/2),两能级差约为2200cm~(-1),Ce~(3+)不同于其它三价稀土离子,一般是d→f跃迁,特征发射为d→~2F_(5/2)和d→~2F_(7/2)跃迁引起的两宽带。CaF_2∶Ce~(3+)晶体中,当Ce~(3+)取代Ca~(2+)时,存在电荷补偿问题。Manthey讨论了CaF_2∶Ce~(3+)中间隙F~-充当电荷剂问题,Feofilov探讨了CaF_2∶Ce~(3+)的氧补偿问题,指出当有氧存在时,它     

ZnSe-ZnS双层结构的非线性光波导

ZnSe是受重视的光学非线性材料,尤其是ZnSe-ZnS应变超晶格由于其室温激子效应,可望成为激子型,快响应速度的光双稳器件的理想材料。1989年我们在77K温度下首次观测到无腔的ZnSe-ZnS/CaF_2应变超品格的光双稳,随后又在室温观测到具有ps响应的     

中温烧结SBN铁电陶瓷的制备与性能

在压电陶瓷领域中,钨青铜结构的铌酸盐是最优秀的铁电材料之一.单晶铁电钨青铜结构中铌酸盐具有优良的电光性能,Van Damme报道Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷有类似于单晶的性能,Kimura研究了KSr_2Nb_5O_(15)铁电材料,探讨了其Curie温度和介电常数与显微结构的关系.本文报道的Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_6(SNB)可用来做电容器材料,有介质电系数高、容量随温度变化小、介质损耗小、绝缘电阻高等优点.较之以前报道过的此类材料各项参数均有显著的改进.     

γ-射线辐照对MSO_4:Sm~(3+)发光体的影响

稀土掺杂的碱土金属硫酸盐是一类重要的发光材料.钐掺杂的发光材料可望用作光谱烧孔材料和光存储材料.实验证明,含掺杂离子的晶体被辐照后,容易产生缺陷,形成色心;同时,晶体内掺杂离子又可作为陷阱,俘获由辐照产生的电子或空穴,使掺杂离子的价态发生改变.国内外对铈掺杂的CaF_2晶体发光机理进行了一定研究,但未见对钐掺杂的碱土金     

巨压电弛豫铁电单晶及其在医用超声换能器中的应用

压电材料是一类非常重要的多功能材料。它可以实现机械能和电能之间的相互转换,在机电器件和电声领域有广泛的应用。基于宽频带超声波换能器、高灵敏度传感器和大应变执行器等压电器件的发展需求,迫切地需要研发出具有更大压电应变常数和更高机电耦合系数的压电材料。弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(化学分子式(1-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xPbTiO_3简称PMN-xPT或PMN-PT)及其同类单晶(简称弛豫铁电单晶)的发现恰逢其时,它们所具有的巨压电性和极高的机电耦合系数使得很多机电器件的性能有了一次大幅度的改进。例如:PMN-33%PT单晶的压电常数d_(33)高达2800 pC/N,是通用的压电材料PZT压电陶瓷的5倍,其机电耦合系数k_(33)也高达94%,而最好的PZT的机电耦合系数k_(33)也只能达到70%。本文系统地介绍了弛豫铁电单晶材料及其在医用超声换能器方面的应用进展。     

新型铁电复合材料ATGS-PVDF的制备与性能

近年来人们对以硫酸三甘肽(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合膜作为热释电材料进行了较多的研究,发现了颗粒尺寸、组分配比、成膜工艺对材料的性能有较大的影响.通过优化条件可以得到性能优良、有应用价值的新型热释电薄膜,但该类薄膜同TGS单晶一样不能锁定极化,工作温度不能超过TGS单晶的居里点(49°C),这将大大限制了其应用.我们用掺L丙氨酸的TGS(ATGS)单晶粉末替代TGS粉末同PVDF进行复合.在成膜过程中施加     

有机单晶电致发光器件研究进展

有机单晶半导体材料由于分子排列有序、高稳定性和高载流子迁移率等优点,成为一类具有应用潜力的光电子材料,在光电器件领域获得了广泛的应用.特别是其弥补了无定形态有机薄膜在热稳定性和载流子迁移率等方面的不足,有机单晶在有机电致发光器件(OLED)方面展现了潜在的应用前景.有机单晶OLED器件从最初的点发光到成功实现了面发光,器件性能不断提升.本文聚焦有机单晶OLED,系统总结了材料和器件制备工艺以及器件性能优化等方面的研究进展,同时讨论了有机单晶OLED性能进一步提升所面临的瓶颈难题和可行的解决方案.     

关于VSC电导测试

在有机导体的电导测量中,一般采用多晶压片的四探针法。然而,由于有机导体具有很强的各向异性,同时多晶压片晶粒之间存在接触电阻,而且接触电阻依赖温度而变化,所以多晶压片往往不能反映材料真实的电导温度依赖性。显然,只有单晶电导才能得出可靠的电导特性。可惜要得到足以进行电导测试的单晶往往相当困难。因此,在新合成的材料未能得到单     

一种胶状分散体体系下共价有机框架的合成方法

<正>自2005年Yaghi首次合成具有硼酸酯基的共价有机框架(COF-1和COF-5)以来^[1],合成具有可调控性和单晶结构的共价有机框架材料一直是高分子材料中极具挑战的课题.传统的合成方案主要有两步生长法^[2]和胶体晶核生长法^[3].两步生长法对于溶剂和反应物添加速度有着严格的要求,而且其反应时间较长,操作较为繁琐,难以合成三聚(自聚)的单晶材料.胶体晶核生长法可以合成具有胶体结构前驱液的单晶材料,但是对溶剂的要求较为严格;虽然对于二聚(苯二酚结构与苯硼酸结构)有着较好的作用^[3],但是一直没有实现三聚反应.     

双掺(铜、铈)KNSBN晶体生长及高反射率自泵浦相位共轭的测量

钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体是目前几种重要的光折变铁电晶体材料之一.KNSBN晶体不仅具有优异的光折变性能,而且与其它光折变晶体材料相比有许多优点,如:(1)易生长较大的单晶;(2)无孪晶,无90°畴,易极化、加工;(3)可以在较大固熔体范围内进行单晶生长,生长组分可调节;(4)易进行不同元素掺杂等.近些年来,人们对不同组分、不同元素掺杂     

纳米尺度下不同曲率半径针尖接触滑动过程的分子动力学模拟

针对不同磨损情况的原子力显微镜探针,运用三维分子动力学模拟方法研究不同曲率半径探针接触压入及滑动过程中单晶铜基体表面材料的变形及摩擦磨损机制.研究结果发现,在探针接触压入单晶铜基体时,接触作用力、位错及位错发射等缺陷随着接触深度或接触半径的增大而增加,位错发射方向为[101]和[101].探针在单晶铜基体表面滑动过程中,探针曲率半径增大,因材料塑性变形形成的沟槽、法向力及摩擦力也随之增大,而摩擦系数随之减小.堆垛层错沿着滑动方向扩展并随探针曲率半径增大而增多.此外,摩擦磨损过程中产生的隆起堆积原子数量随着探针曲率半径或滑动距离增大而增多.     

光折变材料钛酸钡晶体

我所生长的钛酸钡单晶已于1988年12月6日在北京通过鉴定。钛酸钡材料是人们发现的第一个氧化物铁电体。近年来,它的光折变特性在非线性光学研究中受到了广泛重视。在光折变材料中,人们对它特别感兴     

Fˉ体系中NaZr_2(XO_4)_3(X=P,As)的水热晶化

自从Hong等人发现了Nasicon相化合物Na_3Zr_2Si_2PO_(12)的超离子导电性能以来,人们对Nasicon及其相关结构的化合物进行了广泛的研究.这些化合物也表现出低热膨胀性能,可望作为抗热冲击材料和核废料储藏材料,NaZr_2(XO_4)_3(X=P,As)化合物是这一大类化合物的母体,其结构允许化学取代,从而能够得到许多同构化合物,这些化合物通常用固相反应法制备,较难以得到纯相和单晶.我们曾用水热法合成出纯相MTi_2(PO_4)_3(M=Li,Na,K),发现水热法优于固相反应法,F~-离子,作为矿化剂,对水热晶化有重要影响,我们曾在F~-体系中用水热晶化法生长出较大的完美的沸石单晶.本文描述了在F~-体系中用水热晶化法制备出     

钕-铁-硼单晶铁磁畴的光学电子显微镜观察

钕-铁-硼是第三代稀土永磁材料,其磁能积高,原料易得,性能良好,已获广泛应用。本文报道了首次采用光学电子显微镜观察到借助于冷坩埚技术制备的钕-铁-硼单晶铁磁畴的结果。 1 单晶生长 钕-铁-硼(Nd_2Fe_(14)B)单晶是采用提拉法,在由Hukin设计的冷坩埚中在磁场中悬浮的熔体中生长的。所用原料是以Nd(质量分数99～99.5),Fe(质量分数99)和B(质量分数99)烧结而成的合金,该合金起始组分为Nd_(15)Fe_(77)B_8,这一组分为前人报道的具有最佳磁性性质的合金,合金烧结后再熔融固化3～4次以期组分均匀化。     

掺铜钾钠铌酸锶钡单晶生长及其光折变性能

近几年来,随着光折变效应的应用研究的日益广泛,光折变材料也受到越来越多的重视。人们把许多精力集中在光折变材料的改性方面,试图获得光折变动态范围大和响应速度快的单晶或陶瓷材料,以适用于全息存贮、耦合光放大和光学位相共轭等光学信息处理技术。例如在LiNbO_3和KNbO_3晶体中掺进铁离子和在Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6晶体中掺入铈离子,由于这     

电控双离子转换实现氧化物三态相变及光电磁物性调控

正通过电场诱导氧化物结构转换,进而调控其物性,扩展其应用,是材料科学研究历久弥新的一项主题.在电介质中,外电场能在Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3单晶中诱导铁电性~([1]),亦能在VO_2薄膜中诱导金属绝缘体相变~([2,3]);在多铁材料中,电场能在翻转(LuFeO_3)_m/(LuFe_2O_4)_n超晶格铁电极化的同时翻转其磁矩,实现磁电耦合~([4]);在电化学体系中(如LiFePO_4,FeSe和TaS_2等),电场作用下锂离子的嵌入和析