新型真空断路器触头材料Cu—Cr—C的研究

根据合金的微观结构设计思路，采用真空热碳还原法，用国产高氧Ｃｒ粉制备出低氧，优质ＣｕＣｒ真空断路器触头合金，解决了Ｃｒ粉国产化的问题，研究结果表明，加入１％－２％（质量）的Ｃ，大大改善了ＣｕＣｒ合金的抗熔焊性能而又不影响其耐电压强度和分断能力，解决了国内我期未能解决的ＣｕＣｒ合金的抗熔焊问题。     

CuCr真空触头材料的抗熔焊性能研究

测定了不同ＣｕＣｒ触头合金的基体强度和熔焊焊缝强度，通过扫描电子显微镜观察了其断口形貌，从而分析ＣｕＣｒ合金中脆性碳化物相对其抗熔焊性能的影响，讨论了碳化物相引入后ＣｕＣｒ合金的抗熔焊机理，同时还讨论了碳化物相对ＣｕＣｒ合金耐电压强度的影响。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

金属材料表面二次冶金对电击穿的影响

研究了合金真空击穿后,表面二次冶金过程及表面熔化层的显微组织对真空电击穿的影响．介绍了真空击穿的实验过程,测定了ＣｕＣｒ５０、真空Ｃｕ、４０Ｃｒ及ＣｒＣｕ５０中添加ＷＣ等合金的耐电压强度Ｅｂ,并对ＣｕＣｒ５０合金一次击穿和经１００次击穿后的表面组织进行了观察．研究结果表明：材料的首击穿具有选择性,电击穿老炼是电弧作用下表面发生二次冶金的过程,在ＣｕＣｒ合金中添加ＷＣ提高了Ｃｒ相的耐电压强度．     

多级雾化Cu-Cr-Zr-Mg合金的组织和性能

对多级雾化法制取的Ｃｕ－Ｃｒ－Ｚｒ－Ｍｇ合金粉末热挤压成形及时效处理后的组织及性能的研究表明：合金粉末经真空封装后，在４２０℃按１０：１的挤压比成形后，合金密度达理论密度值的９８％以上，并且组织中存在着与母相保持共格关系的Ｃｒ相和Ｃｕ５Ｚｒ。经５００℃时效１ｈ后，硬度和导电率分别达ＨＶ１７０及８１％ＩＡＣＳ。     

Fe－Mn－Si－Cr形状记忆合金的耐腐蚀性能

通过腐蚀重量法实验及电化学测试，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ形状记忆合金的耐腐蚀性能，并与Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金及１８－８铬镍不锈钢的耐腐蚀性能作了比较。结果表明，Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金的耐腐蚀性能明显高于Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金中随着铬含量的增加，其耐腐蚀性能也相应提高。     

铜基Cu－Co－Cr－Si电极合金的研究

本文在含Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ的铜合金中Ｃｏ_５Ｃｒ_３Ｓｉ_２相的行为等研究基础上，进一步研究这个合金体系在热处理过程中各相形成和相关系的变化。金相分析、Ｘ射线衍射分析和各相显微硬度数据表明，合金固溶时效处理中的强化相为αＣｏ_２Ｓｉ，而μＤＴＡ数据表明，Ｃｏ_５Ｃｒ_３Ｓｉ_２相是在合金熔炼过程中形成的。从实验给出的数据和有关相图等资料的分析，大致给出了合适的合金成分选择范围。     

微晶CuCr材料的制备及电击穿性能的研究

根据真空断路器大功率、小型化发展趋势对触头材料的要求，探索用高能球磨制粉、热压烧结的方法制备微晶ＣｕＣｒ触头材料．结果表明，高能球磨能够制备出超细晶Ｃｕ－Ｃｒ合金粉．７５０℃热压时材料仍保持合金粉形貌，颗粒内发生部分过饱和固溶Ｃｕ与Ｃｒ的时效析出过程．９２０℃热压时Ｃｕ与Ｃｒ组元重新分布并发生了再结晶过程，晶粒尺寸为２～３μｍ，远远小于常规方法生产的ＣｕＣｒ材料．由于微晶ＣｕＣｒ材料中Ｃｒ相固溶度升高，使材料电击穿机制发生变化，首次击穿相从常规材料中的Ｃｒ相转移到Ｃｕ相上．     

Co－（Cu，Ni）－B体系非晶态合金的制备及其热稳定性

用化学法制备了Ｃｏ－Ｂ、Ｃｏ－Ｃｕ－Ｂ及Ｃｏ－Ｎｉ－Ｂ非晶态合金，电子衍射表明合金为非晶，透射电镜证实合金是粒径约２０ｎｍ的球状颗粒。以示差量热法及Ｘ衍射分析研究了非晶态合金的热稳定性、晶化激活能及晶化行为。结果表明：激活能数据能从能量角度解释Ｃｏ－Ｂ热稳定性高于Ｃｏ－Ｃｕ（Ｎｉ）－Ｂ；非晶态合金的晶化过程是随处理温度升高而逐步进行的。     

氧化物陶瓷与Ag－Cu－Ti钎料的界面反应

研究了氧化铝和氧化铬陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料合金的界面反应，分析了加热温度（１０７３～１３２３Ｋ）和保温时间（０～３．６ｋｓ）对界面反应的影响规律，扫描电镜和Ｘ射线衍射分析结果表明：两种陶瓷均与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金发生反应，反应层厚度随着温度和时间的增加而增加，对于氧化铝陶瓷，低子１１２３Ｋ时，反应产物为Ｃｕ２Ｔｉ４Ｏ和ＡｌＴｉ；在１１７３Ｋ以上温度时反应产物则为Ｔｉ２Ｏ、ＴｉＯ和ＣｕＴｉ２，此时，反应层是按Ａｌ２Ｏ３／Ｔｉ２Ｏ＋Ｔｉ０／Ｔｉ２Ｏ＋ＴｉＯ＋ＣｕＴｉ２／ＣｕＴｉ２／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布，对于氧化锆陶瓷，在整个试验温度范围，反应产物均为γ－ＡｇＴｉ３和δ－ＴｉＯ，反应产物也是按ＺｒＯ２／δ－ＴｉＯ／δ－ＴｉＯ＋γ－ＡｇＴｉ３／γ－ＡｇＴｉ３／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布的．