世界科技窗

据日本一家公司声称,它的一个半导体能源试验室研制成功一种新的激光技术。这种技术将大大增强非晶体太阳能光电池的应用。完成整个作用过程的激光是利用一块玻璃底片上的具有高度挥发性能的金属薄片。当施加上激光光束时,玻璃底片通过金属的气化而被分离开。该金属的挥发性使得处于较低层的金属表面丧失了散热能力,从而防     

新型芯片异彩纷呈

芯片技术的发展基本遵循穆尔定律,即一块芯片上集成的晶体管数每过18个月就翻一番。由于全球各大芯片公司不断取得技术突破,使晶体管尺寸变小,硅片尺寸更大,设计更有效,大约每3、5年就产生一代集成度更高、运算速度更快的芯片。目前,科学家们已研制生产出     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SnO_2薄膜及其性质研究

本文采用PECVD技术,在SnCl_4和氧等离子体气氛中,于250℃衬底温度,在有SiO_2表面层的硅单晶衬底片上沉积了SnO_2,薄膜。并对该膜的化学组成、表面形貌及其它性质做了研究。     

不用狭缝的一步虹全息

一、近像全息:(a) 在白光重现全息技术中,由于不同色的像相互错开引起像的模糊,这种模糊程度与底片和重现象问的距离成正比;为了减小这一影响,最好把物(实际上是通过光学系统后它成的像)移至底片附近,或     

浅议晶体管特性图示仪校准方法

晶体管特性图示仪是能在示波管屏幕上观察与测试晶体管管特性曲线与直流参数的测量仪器。晶体管特性图示仪的精确度直接影响晶体管器件的实际结果。因此本文以JT-1型晶体管特性图示仪为例,介绍了改型号图示仪的工作原理、校准原理及校准技术。     

数字印刷——印刷科技的发展

数字印刷(Digital Printing)系指在整个印刷制作过程中以计算机处理为主。从原稿创意设计、组页至印出成品,不需要底片或曝光设备,不需要拼版、翻片、冲片等流程,以数字化技术将资料直接传输到印刷机上,所有用于印刷版面的资料均走数字化,而印后文件仍为数字式,可以保留再利用。所以数字印刷可以说是九十年代平版印刷技术革命性的发明,省去了底片、制版、冲片、对位等步骤,直接从印前系统的数据文件或桌上排版系统数据印刷成成品。     

计算机的发展

在４０年代中期，所有的电子设备都是由笨重的电子管组成，计算机也是如此。如世界第一台计算机重达３０吨，占地１６７平方米，使用了近两万个电子管，功率为１５０千瓦，每秒仅完成５０００次加法运算或５００次乘法运算。这个时期的电子计算机称为第一代计算机电子管。５０年代以来，随着科学技术，电子技术的发展，晶体管代替了电子管，是组成计算机的主要元件，且用快速磁芯存储器，每秒完成１５万次加法运算或５万次乘法运算，这个时期的电子计算机称为第二代计算机晶体管６０年代以来，各自独立的电子器件如电阻、电容、晶体管等被组合起来，封装在一个元件里，称为中小规模集成电路。第三代计算机的特点是以集成电路取代了晶体管，其可靠性更高、功耗更少、体积也微小、造价大幅下降、性能更强，每秒能运算２００万次。随着集成电路技术的迅猛发展，到７０年代初，众多的部件可集成在一块很小的硅晶片上，构成所谓的大规模集成电路和超大规模集成电路，计算机向“两极”分化；一极是微型机向微型化、网络化、高性能、多用途方向发展；另一极则是巨型机向更巨型化方向发展，巨型机每秒能运算一亿次以上。这个时期的电子计算机称为第四代计算机。在这同时，就有人发现，脱氧核糖核酸ＤＮＡ处在不同...     

计算机的发展

在４０年代中期，所有的电子设备都是由笨重的电子管组成，计算机也是如此。如世界第一台计算机重达３０吨，占地１６７平方米，使用了近两万个电子管，功率为１５０千瓦，每秒仅完成５０００次加法运算或５００次乘法运算。这个时期的电子计算机称为第一代计算机电子管。５０年代以来，随着科学技术，电子技术的发展，晶体管代替了电子管，是组成计算机的主要元件，且用快速磁芯存储器，每秒完成１５万次加法运算或５万次乘法运算，这个时期的电子计算机称为第二代计算机晶体管６０年代以来，各自独立的电子器件如电阻、电容、晶体管等被组合起来，封装在一个元件里，称为中小规模集成电路。第三代计算机的特点是以集成电路取代了晶体管，其可靠性更高、功耗更少、体积也微小、造价大幅下降、性能更强，每秒能运算２００万次。随着集成电路技术的迅猛发展，到７０年代初，众多的部件可集成在一块很小的硅晶片上，构成所谓的大规模集成电路和超大规模集成电路，计算机向“两极”分化；一极是微型机向微型化、网络化、高性能、多用途方向发展；另一极则是巨型机向更巨型化方向发展，巨型机每秒能运算一亿次以上。这个时期的电子计算机称为第四代计算机。在这同时，就有人发现，脱氧核糖核酸ＤＮＡ处在不同...     

碳纳米管场效应晶体管:现状和未来

硅基互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)场效应晶体管工艺已经发展到了14 nm技术节点,预计将很快到达其极限,需要寻找新的信息器件来延续摩尔定律.由于具备超小尺寸、高迁移率等显著优点,碳纳米管被认为是后摩尔时代最有潜力替代硅作为晶体管沟道的纳米材料之一.经过近20年的研究,基于碳纳米管场效应晶体管的技术已经取得了巨大的进步.本文将回顾碳纳米管场效应晶体管领域的关键性技术,包括N型欧姆接触实现、"无掺杂"CMOS技术、自对准顶栅结构以及尺寸缩减技术等.而且我们将分析碳纳米管晶体管在大规模材料制备以及碳管和电极接触方面存在的问题,并提出可能的解决方案.在此基础上,通过分析实验数据和模拟结果,对碳纳米管电子学的未来发展做出预测和展望,结果表明碳纳米管晶体管的潜力巨大,通过对材料和器件结构进行合理优化,碳纳米管晶体管在性能上可能远远超过硅基半导体对应技术节点的晶体管,成为后摩尔时代极其具有竞争力的信息器件.     

物理系电子仪器厂小批生产QT1型晶体管伏安特性图示仪

QT1型晶体管伏安特性图示仪,是一种能在示波管萤光屏上直接观察PNP、NPN型晶体管各种特性曲线簇的全晶体管化的专用仪器,还可以通过萤光屏前的标尺刻度直接读测晶体管的各项参数。1.可测下列各击穿电压及饱和电流:BV_(EBO)、BV_(CBO)、BV_(CEO)、BV_(CES)、BV_(CER)I_(EBO)、I_(CBO)、I_(CEO)、I_(CES)、I_(CER)2.可测下列共发射或共基极特性曲线簇:(1)输出特性:I_c-V_(ce)或I_c-V_(cb)(2)输入特性:I_b-V_(be)或I_e-V_(eb)(3)电流放大特性:I_c-I_b或I_c-I_e     

计算反馈放大器的四端网络方法

前言晶体管的内反馈给精确计算晶体管反馈放大器带来了很大困难。等效电路方法不得不做若干近似进行估计,流图法和矩阵法也由于回路数增多使矩阵阶数增高而需要做繁复的运算。四端网络法是计算晶体管放大器又一种方法,它是把放大器输入端至输出端分解为     

激光相碟

最近,著名的柯达公司与菲利浦公司联合推出了一种新产品——激光相碟。它是利用新兴电子科技改造传统的照相底片的一项科技成果。激光相碟底片的储存量大、保存期长,可用以印制普通相片,又可与电视、电脑连用。激光相碟使用十分方便,摄影爱好者只要将普通相机拍摄冲洗出来的胶卷底片送到专门的处理店,将底片影像印制在一张五英寸的激光碟上就大功告成了。一张激光相碟可储存一百     

英特尔公司开发提高芯片速度的新技术

据2003年12月3日英国《新科学家》报道:美国英特尔公司开发了一种新式秘密技术来提高奔腾和Centrino芯片的速度。芯片的传导速度取决于晶体管的开关速度,而开关速度取决于电流流过它的速度,即取决于电荷流经的距离。电流速度是由材料决定的。芯片制造商用硅做材料,通常是通过缩小晶体管来提高开关速度,但进一步缩小芯片有困难。针对此,英特尔公司开发的这种技术不用缩小晶体管,而是通过改变硅的晶体结构来提高电流速度,所以也称之为变形硅技术。电流的速度取决于硅的晶体结构。在硅晶格内部,每个原子周围的电子形成叫做“轨道式”的能态,这…     

25KVA全晶体管氩离子激光器电源稳流参数的计算

晶体管进入电力调整领域是其重要发展方向之一。本文对晶体管共射极串联补偿型稳流电路作了概要分析,然后为大容量全晶体管氩离子激光器高稳定电源主要稳流参数做了计算。     

J. Fraser Stoddart 访谈:分子电子开关

随着时间的推移,我们的世界似乎在不断地变小,不仅如此,新的发明创造也在向着更小更精细的方向发展。然而,这些“小玩意儿”在发展的道路上总会遭遇瓶颈,至少在以摩尔定律(Moore's Law)为准规则的计算世界会这样。如果根据英特尔公司(INTEL)创办人之一Gordon Moore的建议,即一个电脑芯片上所能容纳的晶体管数目每隔18～24个月增加一倍,那么一块硅片上     

应用激光双底片散斑内涂层法求解三维应力问题

概述了利用双底片散斑照相技术测量物体表面位移的方法。在透明模型内部待测截面涂上一层漫反射层,即可测得该截面上的位移和应变。     

集成电路测试器研制

随着集成电路的迅速发展和广泛应用,很多以往由分立元件装制的一块一块印刷电路板组成的电子部件,只要用一块或几块集成电路便可替代。因而原来的电子部件装配过程中大量的调试任务便改由集成电路的设计者和制造者承担起来;并且很自然地集成电路本身也走向标准化和通用化。于是,如何有效而又迅速地对集成电路测试就成为集成电路制造者和使用者的一个迫切问题。从国内外情况来看,在集成电路发展初期,集成电路测试器的制造是从属于集成电路生产部门的,多为专用机(即一种测试器只能测试一个或几个特定的品种)。随着集成电路进一步发展和更广泛应用,就要求测试器通用化并且成为一个独立的研制部门。由于集成电路品种多样、内部结构较复杂、功能变化多、管脚也多,因此与晶体管测试器相比,通用集成电路测试器     

有机场效应晶体管的研究与应用进展

有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层的晶体管器件。和传统的无机半导体器件相比,由于其可应用于生产大面积柔性设备而被人们广泛的研究,在有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸等众多领域具有潜在而广泛的应用前景。文中对OFET结构和工作原理做了简要介绍,之后重点讨论了最近几年来OFET中有机材料和绝缘体材料的发展状况,接着总结了OFET制备技术及其应用新领域,最后对OFET发展面临问题及应用前景做了归纳和展望。     

多重全息图再现像的衍射效率

通过对一张全息底片上记录多重全息图的理论研究和实验验证，提出在一张全息底片上记录多幅全息图时，干涉条纹的互相叠加和调制是较大地降低多幅全息图中干涉条纹较疏的全息图衍射效率的关键因素。