光电探测器的噪声分析

探讨了光电探测器噪声,从统计物理的角度解释了热噪声对光电探测器的探测能力的影响。     

高频光电探测器的信号处理电路设计

利用光学进行精密测试已经成为现代测试技术领域中的主要方法之一。20世纪七十年代以来国内外主要发展以激光为中心的精密测试技术,特别是激光与计算机结合的近代光学测试技术。本设计的光电探测器主要用于以激光为照射源的增量式光栅测量系统信号接收,目的是将高频光信号转换为电信号再送入数据采集卡中进行后续处理。该电路主要包括信号的放大、去噪、加减运算等处理,同时提出了一些设计过程中需要注意的问题。     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管过对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少～０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。     

光电探测器线性响应的快速测量

用传感器测量光电流及角度 ,借助计算机进行分析 ,实现对光电探测器线性响应的快速测量 ,为大批量测量提供了有效的实验手段 .     

InGaAs近红外激光雷达光电探测器研究进展

激光雷达是激光探测及测距系统的简称,它可以发射定位激光束,通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置,并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的Ⅲ-V族半导体材料,它在(0.35～1.42)eV范围内可调的禁带宽度使其在(0.9～1.7)μm波段具有广泛的应用,被认为是1 550 nm激光雷达探测器的理想材料。本文综述基于InGaAs的激光雷达光电探测器的器件结构、光电特性及InGaAs焦平面光电探测器在激光雷达探测领域的研究进展。目前,基于InGaAs光电探测器的最大响应度达0.57 A/W,最低暗电流低于0.75 pA/μm²,焦平面阵列已经发展到1 280×1 024,像元间距15μm。InGaAs近红外激光雷达探测器的响应波段位于1 550 nm,具有人眼安全、发射激光功率大、大气透过率高等优势,探测距离可达150 m,大视野120°×25°,在高阶辅助驾驶、无人驾驶、服务机器人等领域具有较大的应用潜力。     

解卷积法测量光电倍增管的响应时间

提出一种利用毫微秒响应仪器进行测量,并对所测信号解卷积得到光电倍增管响应时间的方法。     

SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm~(-2).在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W~(-1),可以观察到探测器的共振现象.     

光电位置灵敏探测器及其应用

介绍了一种建立在横向光电效应基础上的新型位置灵敏探测器，它不存在死区，可给出了入射光点在整个光敏面上移动时的连续性位置数据，文中介绍了其结构，工作原理和和特性，给出了位置坐标函数表达式和相应的检测电路框图。并讨论了ＰＳＤ的几个应用实例。     

圆柱形光电探测器透镜聚光特性研究

运用透镜聚光原理,以光线追迹法建立平行光偏转角α与透镜焦距、光强分布的光学仿真模型,模拟仿真得到随偏转角α的变化焦平面聚焦光斑位置与光强分布图,进一步研究分析光焦斑位置大小变化、焦距长度和光强分布特性.结果表明:平行主光轴的入射光线经透镜后光斑区域集中、光强分布均匀,并且随α的增大,焦斑中心位置偏离主光轴越大,且焦斑区域的光强分布越不均匀.结论为光电探测器设计需要确定圆柱的高度和半径等参数提供了理论参考依据.     

SiGeC/Si异质结光电探测器

ＴｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆＳｉ-ｂａｓｅＳｉ1-ｘＧｅｘａｌｌｏｙｃａｎｃｈａｎｇｅａｌｏｎｇｗｉｔｈｃｏｎｔｅｎｔｘａｎｄｓｔｒａｉｎ ,ｔｈｅｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌｓｃａｎｂｅｍｏｄｕｌａｔｅｄａｃｃｏｒｄ ｉｎｇｌｙｆｒｏｍ 0 .8μｍｔｏ 1 .6 μｍ .Ｓｉ-ｂａｓｅＳｉＧｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｒｅｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＳｉｖｅｒｙｌａｒｇｅ -ｓｃａｌｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ (ＶＬＳ…     

确定光电探测器线性响应系数的一种新方法

在激光粒度分析仪中,光电探测器各环对光强的线性响应能力常具有一定分散性,通过数学方法环的响应能力,使其具有一同一性的对提高仪器的测量精度有着十分重要的意义,本文提出了一种确定光电探测器各环动态响应校正系数的新方法。     

非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应

报道淀积条件对以非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响．     

MAPbCl3单晶光电探测器的制备及表征

作为新一代半导体材料,金属-卤化物钙钛矿以其大的光吸收系数、长的载流子扩散长度和高载流子迁移率等优异特性被研究者广泛关注.与多晶相比,钙钛矿单晶材料具有更低的缺陷态密度并且没有晶界,有望提高光电探测器性能.为了研究MAPbCl3单晶的光电探测性能,采用反向升温法制备了大块MAPbCl3单晶,然后采用真空热蒸发法在其表面...     

高速Ge光电探测器脉冲和频率响应的特性测量

本文用电光采样技术测量了高速Ge雪崩光电二极管的脉冲响应特性,利用计算机进行快速傅里叶变换(FFT)运算,得到了探测器的频率响应曲线。     

光电倍增管单光子探测器的噪声特性研究

在弱光测量中，暗电流或暗噪声计数是探测系统灵敏阈和测量精度的主要限制，根据光电倍增管的工作原理，光电倍增管中的噪声源主要来自光阴极和二次极的热发射．从本征半导体和掺杂半导体中热发射电流密度探讨了光电倍增管单光子探测器的噪声特性，提出了减小光电倍增管单光子探测器噪声的几种措施，即管子致冷法、磁散焦法、选用光电倍增管的管型、减小检测系统频带宽度．     

液氩探测器的低温PMT性能测试

中国暗物质实验(China dark matter experiment,CDEX)拟使用液氩探测器作为高纯锗探测器的反符合探测器,其使用的光电倍增管(photomultiplier tube,PMT)需能长期稳定地工作在液氩温度(87.3 K)下.PMT在使用前,须掌握其在低温下的性能情况.文章分别在室温和低温环境中测试了ETL 9357FLA型光电倍增管,获得了单光电子响应、暗计数率以及低温环境中运行的稳定性等重要实验结果.通过详细地对比和分析室温和低温环境中PMT的性能表现,确认该型PMT能在低温环境中正常运行.     

基于PSPICE的肖特基势垒光电探测器的模拟

通过PSPICE对金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)进行晶体管级的电路模拟,分析了以E.Sa-no模型为基础的MSM-PD的电学特性.通过改变模型参数模拟了MSM-PD器件的直流、交流和瞬态特性,为高性能器件设计研究提供了一个新的方法.     

基于HTTP的Web服务响应时间测试

随着W eb应用的迅速增长,W eb的服务质量(QoS)已经引起普遍关注。W eb服务响应时间是用户评估W eb服务质量最直观的一个参数。提出了一种基于HTTP测量W eb服务响应时间的方法,并给出了在V isual C++的编译环境下使用W inSock控件编程的具体实现。测试软件独立于浏览器,实现了对W eb服务器的实时测试、循环测试、平均响应时间测试以及不同站点响应时间测试功能。对程序设计中涉及的响应信息及其处理、基于HTTP的重定向等关键问题进行了详细讨论。测试结果表明软件运行稳定,能够满足对W eb服务响应时间的各种测试需求。