Si-nipi掺杂超晶格电子态的自洽计算

本文采用局域密度泛函近似自洽地计算了沿(100)方向调制的Si-nipi掺杂超晶格的电子态.得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律.讨论了在较低的外界激发下,电子占据态和最近邻空态-(01)亚导带间的激发能.同时计算了Hartrəe势与自洽势下的电子密度分布曲线,发现自由载流子交换关联势V_xc(z)对亚带能量的影响较小.     

一维AB结构的电磁特异材料的有效媒质参量确定

基于推广的相干势近似,将特异材料放入背景材料中,利用格林函数的方法计算一维AB结构的电磁特异材料体系的自能,态密度.态密度函数是背景材料的介电常数εref和磁导率μ-ref的函数.通过不断变换背景材料的介电常数ε-ref和磁导率μref,而使得态密度最大化,从而确定体系的有效媒质参量.     

用相函数方法计算低能电子同氦原子的弹性散射

本文在定域势近似下用相函数方法计算了低能电子同氦原子的弹性散射的过程同时还研究了静势、交换势以及关联势对散射过程的影响。     

Semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs半金属铁磁性稳定特性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构进行自旋极化计算.semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs处于平衡晶格常数时都具有半金属性质,它们自旋向下子能带的带隙分别是0.59 eV和0.46eV,合金分子的总磁矩分别为3.00/formula和2.00/formula.在晶体相对于平衡晶格发生各向同性形变的情况下,计算semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构.计算结果表明,在相对于平衡晶格的各向同性形变分别为-6%～2%和-2%～4%时,semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的总磁矩稳定,并且能保持其半金属铁磁性.     

有限长Hubbard链中的孤子解

从Hubbard模型出发,人们讨论了电子间的相互作用对一维导体的输运性质的影响.而这些讨论均以无限长链为对象.本文将对有限长Hubbard链作出分析.所得结果正确地反映出Hubbard势及链长对晶格扭折形状、电荷密度分布等的影响.同时也可看出Lindner等人的结果是我们长链近似下的表述.     

LiNH2晶体结构和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势——平面波方法,应用LDA的CA-PZ泛函和GGA的PBE、RPBE和PW91泛函对LiNH2晶体结构进行优化,计算电子结构.结果表明,GGA-PW91泛函更适于描述LiNH2晶体的结构和性质.LiNH2晶体为四面体结构,空间群I-4,晶格常数a=b=0.501 9 nm,c=1.034 9 nm,N-H键长为0.103 1 nm,H-N-H键角为103°.电子态密度和电子局域密度分析表明,N-H键呈明显的共价键特性,Li和N-H之间为离子键相互作用.     

一维简单晶格声子非线性局域态

利用量子相干态表象和多重尺度与准连续近似方法，研究了考虑格点间相互作用势展开至4阶项的一维简单晶格模型，求得了该晶格系统脉冲与扭结2种包络形式的声子非线性局域态，与用经典方法研究同一系统所得结果一致。     

Au_nAl_m(m+n=5)团簇的结构和稳定性研究

采用密度泛函理论(DFT)的杂化密度函数B3LYP/LANL2DZ方法,对Aun Alm(m+n=5)二元团簇可能的几何结构进行了优化,预测了Aun Alm(m+n=5)团簇的可能基态构型,同时计算了基态结构的结合能、垂直电离势、垂直电子亲和势和能隙.结果表明Au2 Al3体系的结合能最大,结构最稳定.     

NaBr的电子结构和光学性质的密度泛函研究

利用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)研究了NaBr的电子结构和光学性质,给出了其沿布里渊区高对称轴的能带结构、态密度(DOS)和分态密度(PDOS).并计算了介电函数ε(ω),反射率R(ω),能量损失函数L(ω),光吸收系数I(ω),光导率σ(ω),折射率n(ω),以及消光系数k(ω),用以讨论NaBr的光学性质.     

Mo掺杂BN磁性第一性原理计算

利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Mo掺杂的闪锌矿稀磁半导体B1-x Mox N(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属Mo后的BN明显呈现出半金属特征,Mo原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Mo原子的局域磁矩约3.0μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-x Mox N(x=0.0625,0.125)体系多种替位构形中,N220型的Mo-Mo铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.     

密度泛函计算中基组的收敛现象:强成键体系CO分子

探讨了用密度泛函理论中7个常见交换-相关密度泛函及8种常见Dunning调和相关基组处理CO分子的三种性质(平衡键长、谐振基频和离解能)时表现出的基组收敛现象.用Dunning的单指数插补法,求得了上述性质的全基组极限值.用扩展的调和相关基组,发现键长的系统误差在0.002 9 (LDA)到0.007 3 A(BP86...     

氧对体心立方铁中刃型位错上扭折电子结构的影响

利用离散变分方法和DMol方法,研究了氧对体心立方铁中[100](010)刃型位错上扭折电子结构的影响,计算了杂质偏聚能、原子格位能、电荷密度及态密度.计算结果表明:扭折对氧原子有捕获效应,氧进入体系后引起电荷重新分布,铁原子的4s4p轨道失去电子,氧原子2p轨道和铁原子3d得到电子,氧原子的2p轨道与近邻铁原子的3d4s4p轨道之间杂化,使得它们之间的成键有较强的方向性,有可能使材料韧性降低.     

Si晶体结构参数的第一性原理计算

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算不同晶格常数下 Si 晶体的总能,用计算所得出的数据通过 Brich-Muranghan三阶状态方程进行拟合得到相关的参数,获得 Si晶体的 Brich-Muranghan三阶状态方程具体形式,并通过计算获得Si在稳定状态下的晶格常数和体弹性模量,结果与实验数值相符。     

六方氮化钼电子结构的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用vasp计算程序包,计算六方氮化钼的晶胞参数,在此基础上计算它的能带结构、总态密度和局域态密度,分析了六方氮化钼的电子结构,并阐明了其具有高导电性的原因.     

锯齿型单壁与双壁碳纳米管电子学特性比较研究

采用基于广义梯度近似(GCA)的密度泛函理论中的简化广义梯度近似方法(PBE)分别对(6,0)和(15,0)锯齿型单壁碳纳米管(SWCNT)和双壁碳纳米管(DWCNT)的能带和态密度进行了计算,并对所得结果进行了比较,发现了单壁与双壁碳纳米管之间的电子学异同点.通过比较发现,虽然双壁碳纳米管和单壁碳纳米管具有相似的能带结构,但是双壁碳纳米管的能隙较单壁碳纳米管的能隙要小,这说明双壁碳纳米管的电子输运性能要远优于单壁碳纳米管.     

掺杂离子导体粒子连续逾渗模型系统临界点阈值和电导率的粒子尺度效应

对于掺杂离子导体(DIC),由立方粒子广义晶格模型过渡到立方粒子连续交叠模型,找到在粒子连续交叠条件下的浓度和密度的关系式.采用连续逾渗模型和有效介质近似(FMA)研究了粒子尺度对于系统临界点阈值和电导率的影响.