热壁外延（HWE）制备PbTe／PbSnTe异质结和超晶格

本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，异质结具有良好的整流特性．通过Ｘ—光衍射求出了超晶格的周期．超晶格样品（２２２）衍射峰的卫星峰不对称，说明样品内有应变．     

GaAs（001）衬底上经双缓冲层生长的Hg1—xCdxTe—HgTe超晶格结构

用X－射线衍射测定了分析束外延（MBE）法生生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在（001）附近的扫描徊摆曲线,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线,产验曲线与理论计算基本上相符合,由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度,阱HgTe层厚度及垒Hg1-xCdxTe层厚度与模拟计算的相一致,用透射电子显微镜（TEM）对同一样品的横截面进行了分析,对CdTe/ZnTe/GaAs异质结界面失配位错的组态特征进行了研究,证明用CdTe/ZnTe作为双缓冲层比单一的CdTe有较好的效果,截面TEM稿分辨率明场象显示Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格的生长较为成功,界面较为平整,由截面TEM高分辨明场象观测的周期长度与X－射线衍射测定的结果相接近。     

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析     

Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价．     

电化学制备Ni—Cu／Cu超晶格多层膜

采用单槽双脉冲恒电位制备了超晶格Ｎｉ－Ｃｕ／Ｃｕ多层膜,测试结果表明：Ｎｉ－Ｃｕ层与Ｃｕ层间界面清晰,各层均匀连续相互覆盖,具有良好的周期结构,Ｎｉ－Ｃｕ４．６ｎｍ／Ｃｕ３．４ｎｍ具有良好外延生长的超晶格结构,铜－镍生长的择优了向面为（１１１）晶面,该材料表现出特殊的阳极溶解性能。     

X射线双晶衍射研究LP—MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ应变超晶格。用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数。对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析。     

InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量

本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 X-射线衍射测定的结果相接近     

热壁外延PbTe／Si异质结带偏移的研究

本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ＰｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后，所得内建电势差修正值接近理想ＨＪ的计算值。基于此修正值，计算的带偏移△Ｅｖ和△Ｅｃ十分接近国外文献所报导的结果。     

Fe/Cu一维准周期磁性金属超晶格的结构

用磁控溅射法制备了Ｆｅ／Ｃｕ一维准周期磁性金属超晶格样品，并借助Ｘ射线衍射技术进行了结构研究，然后，仿照周期金属超晶格的研究方法，引入准周期调制函数，对实验结果进行理论处理，标定了各衍射主峰和卫星峰的指数，并计算了相应的衍射矢量值，对择优生长晶面间距的变化进行了计算，计算结果与实验结果相符．     

TiN/NbN纳米多层膜的微结构与超硬度效应

采用反应溅射法制备了一系列不同调制周期的TiN/NbN纳米多层膜，并使用X射线衍射分析（XRD），透射电子显微镜（TEM）和显微硬度计表征了薄膜的调制结构，界面结构和显微硬度，结果表明：TiN/NbN多层膜具有周期性良好的调制结构，调制界面清晰、平面；薄膜呈现为多晶外延生长的面心立方结构；薄膜硬度出现异常升高的超硬度效应，并在调制周期为8.3nm左右达到硬度峰值（HK39.0GPa）。     

LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

二维过渡金属硫族化物异质结的CVD可控生长

二维过渡金属硫族化物（transition metal dichalcogenides, TMDs）因其优异的光电磁特性，在新型半导体器件应用领域中备受关注。由双层TMDs材料耦合构建的具有原子级清晰界面的异质结构，在弥补单一结构不足的同时可展现出全新的物理性质，为未来应用发展，如“后摩尔时代”微电子器件，提供了良好的研究平台。此外，发展大面积性能均一的TMDs异质结的制备方法，如化学气相沉积法（chemical vapour deposition, CVD），对于探索硅基半导体的替代战略与摩尔定律的延续将具有重大研究意义。本文从制备的角度出发，对近年来采用CVD生长TMDs横向异质结、垂直异质结、以及莫尔超晶格相关领域的最新进展进行了简单的介绍与总结，如一步法、两步法、一锅法等，并对其未来前景进行了展望。     

Pr掺杂对Bi_2Sr_2Ca_(1-x)Pr_xCu_2O_y单晶结构的影响

采用自助熔剂法制备出Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＰｒｘＣｕ２Ｏｙ系列单晶样品,通过对样品的Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）实验的结构分析,利用对称反射和对称透射几何得到沿单晶ａ、ｂ、ｃ方向的多级衍射,由此可以得到晶格参数和调制周期。本文给出了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＰｒｘＣｕ２Ｏｙ单晶的晶格参数ａ、ｂ、ｃ和调制周期ｓ随Ｐｒ掺杂量ｘ的变化,并讨论了这种结构细微变化的原因     

不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性

本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.     

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

中孔Ag微米盘/ZnO纳米棒阵列异质结的构筑及光催化研究

利用简单的两步合成法制备得到新颖的中孔Ag微米盘（HMDs）/ZnO纳米棒（NRs）异质结,主要包括上晶种和异质外延生长.通过简单的合成参数调控,可以制备不同纳米直径、不同长度、不同形状的ZnO NRs,进而制成不同形貌的Ag/ZnO异质结.结构新颖的Ag/ZnO异质结由一维（1D）半导体和二维（2D）纳米结构元构成,Ag/ZnO异质结具有高比表面积和开放的空间结构,在光电领域具有很重要的应用潜力.在光催化测试中,Ag/ZnO异质结表现出优越的催化活性,主要归因于结构独特的Ag/ZnO异质结的协同效应.     

影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究

本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．