平行圆板型PCVD质量转换过程动力学研究

本文对平行圆板型装置中等离子体化学汽相沉积(PCVD)质量转换过程,提出了一种数学描述方法.文中通过数值计算,主要讨论了活性粒子的产生频率、活性粒子沉积速率的径向分布及沉积速率与过程参量(如系统内气压、气体流速等)的相互关系,并对部分结果进行了理论分析.     

微波ECR等离子体化学汽相沉积金刚石膜的研究

本文利用微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在较低气压下进行了金刚膜的沉积工艺研究，发现ＣＨ４气体的浓度可适当提高至ＣＨ４／Ｈ２＝０．８。所得的Ｒａｍａｎ谱图证实在该条件下得到的膜比在ＣＨ４／Ｈ２较小情况下得到的膜含有更多的金刚石相。     

过氧化物硅烷偶联剂在玻璃纤维表面上接枝高分子链的研究

合成了（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣ３Ｈ６－Ｏ－Ｏ－Ｃ（ＣＨ３）３结构的过氧化物硅烷偶联剂，用红外光谱对其结构进行了表征，用膨胀计法测定了该偶联剂引发苯乙烯单体聚合的效果，发现其引发聚合的速率远高于未使用该偶联剂的苯乙烯样品，对参与聚合的玻璃纤维表面用光学显微镜及扫描电镜证明了该偶联剂对玻璃纤维偶联，引发聚合并产生高分子链的接枝能力。     

溶胶-凝胶法合成β-C2S的早期水化

利用溶胶－凝胶技术合成了一种新型的活性β－Ｃ２Ｓ并采用扫描电镜和固体核磁共振分析等方法对其早期水化进行了研究,发现：材料水化活性很高,水化１天时,出现了棒状或管状的Ｉ型Ｃ－Ｓ－Ｈ结构,但其阴离子聚合状态未发生变化;水化３天,７天时,以网络状的２型Ｃ－Ｓ－Ｈ为主,体系中出现了二聚态的硅酸根;水化２８天时,２型Ｃ－Ｓ－Ｈ粒子继续长大,在某些微区出现了尺寸较大的１型Ｃ－Ｓ－Ｈ及由其叠合而成的花朵状Ｃ－Ｓ     

经驯化的假单胞杆菌DMI对CH_2Cl_2和CH_3OH的竞争性利用

用分批培养的方法研究了经ＣＨ２Ｃｌ２或ＣＨ３ＯＨ驯化的假单胞杆菌ＤＭＩ对ＣＨ３ＯＨ和 ＣＨ２Ｃｌ２竞争性利用的动力学．ＣＨ２Ｃｌ２的降解过程是严重底物抑制过程，ＣＨ２Ｃｌ２和ＣＨ３ＯＨ 的同时利用有助于提高菌体的生长速率．两种底物共存时，甲醇的消耗占优势、同种底物比 的消耗速率均低于在单一碳源时的数值．高浓度甲醇的竞争作用不但抑制了ＣＨ２Ｃｌ２驯化的 ＤＭＩ对ＣＨ２Ｃｌ２的降解能力，而且抑制了ＣＨ３ＯＨ驯化菌脱卤活性的诱导过程．两种底物消 耗的相对速率取决于接种物的生物活性和底物的相互作用．     

三价铬离子在电沉积过程中的形态

研究证明三价铬离子在ＨＣｌ体系中适应电活性物质是〔Ｃｒ（Ｈ２Ｏ）６〕＾３＋，不同ｐＨ通过溶液中的存在形态而影响Ｃｒ＾３＋电沉积过程，同时证实了Ｃｒ＾３＋在ＨＣＯＯＨ或（ＮＨ２）２ＣＯ存在时不与三价铬形成配位化合物。     

茂金属催化剂分子设计与苯乙烯间规聚合研究 Ⅱ.单茂钛催化体系苯乙烯间规聚合反应动力学及聚合机理

研究了茂基三正丙氧基钛［ＣｐＴｉ（ＯＰｒｎ）３］和改性甲基铝氧烷（ｍＭＡＯ）组成的新型单茂钛催化体系进行苯乙烯间规聚合反应动力学规律;在２２～５４ｍｏｌ·Ｌ－１浓度范围内,聚合反应速率对催化剂浓度和单体浓度都呈一级反应关系,表观活化能为３０３５ｋＪ·ｍｏｌ－１,碰撞因子为３１５×１０５ｍｏｌ－１·Ｌ·ｓ－１．推断出苯乙烯间规聚合反应机理,ＣｐＴｉ（ＯＰｒｎ）３和ｍＭＡＯ作用生成对苯乙烯间规聚合有更高活性的［ＣｐＴｉ（Ⅲ）（ＣＨ３）］δ＋…（ＯＰｒｎ）…［ＭＡＯ］δ－弱离子对活性中心;苯乙烯进行链增长反应时,与Ｔｉ配位的单体和增长链上的苯环大π键同时配位到Ｔｉ的２个空轨道上使得钛中心电子云密度增大而促进下一步的插入和链增长反应,并构成苯乙烯的间规聚合机制．     

流态化CVD制备超细Al_2O_3－SnO_2复合粒子过程模型研究

基于流态化ＣＶＤ制备超细复合粒子过程中的反应、成核、包敷、气流夹带，建立了流态化ＣＶＤ反应器中描述超细粒子的粒度、分布及成核包敷、成膜包敷的一维过程模型。针对ＳｎＣｌ＿４－Ｈ＿２Ｏ－Ｎ＿２体系包敷超细Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子的过程，研究了反应器中ＳｎＯ＿２粒子的形成过程及操作参数对其在Ａｌ＿２Ｏ＿３粒子表面的淀积速率及形态的影响。结果表明，反应温度和ＳｎＣｌ＿４浓度升高，包敷速率加快，包敷形态变差；背景气氛粘度增大，包敷形态变优，包敷速率减小；操作气速增大，包敷速率加快，包敷形态变优。     

新型茂钛催化剂催化苯乙烯间规聚合

新型的茂钛化合物ＣｐＴｉ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）３与ＭＡＯ组成的催化体系,以甲苯为溶剂,能够高活性地催化苯乙烯间规聚合,催化活性可高达２３０×１０７ｇ／（ｍｏｌ·ｍｏｌ·ｈ）,聚苯乙烯的间规度保持在９５％以上．研究了聚合温度、反应时间、主催化剂和ＭＡＯ浓度、单体浓度以及外加ＴＭＡ对聚合活性、单体转化率、聚合物间规指数、熔点及相对分子质量等的影响规律     

PECVD α—SiNx：H的^1H NMR研究

用质子核磁共振（＾１Ｈ ＮＭＲ）方法对等离子体化学气相沉积非晶氢化氮化硅薄膜进行测量，分析膜中Ｈ的含量和分布与沉积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。     

用PEM监控制备TiO_2薄膜及其光学性能的研究

使用金属钛作靶材,利用中频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜.为使反应溅射的工作点能够稳定在"过渡区",使薄膜获得理想的化学配比和较高的沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法(PEM)对溅射过程进行控制.利用台阶仪测膜厚,用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计以及光学薄膜测试分析仪等手段对TiO2薄膜的结构以及光学性能进行表征,研究了不同工艺条件对薄膜结构和光学性能的影响.结果表明,较高的PEM工作点下制备的TiO2薄膜具有较高的折射率,使用PEM控制的中频反应磁控溅射方法可以制备出性能良好的TiO2光学薄膜.     

射频等离子体聚合多层复合薄膜的制备及性能

采用等离子体聚合方法,分别以甲基丙烯酸甲酯、正硅酸乙酯和甲基丙烯酸三氟乙酯为原料制备了3种聚合物薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-vis)和接触角(ContactAngle)等方法研究了不同条件下所得的聚合物薄膜的表面形貌、表面粗糙度、光学透明性及疏水性等性能.研究结果表明:聚甲基丙烯酸甲酯薄膜具有最好的可见光透过率和最佳的表面粗糙度(RMS).聚正硅酸乙酯薄膜的表面粗糙度随射频功率变化不大.聚甲基丙烯酸三氟乙酯薄膜在低功率下有较低的表面粗糙度,但随着入射功率的增加,等离子体刻蚀作用使得表面粗糙度增加.SEM照片表明聚甲基丙烯酸甲酯薄膜表面平坦致密无针孔.静态接触角测试结果表明三种聚合物薄膜都有较好的疏水性能,以聚甲基丙烯酸三氟乙酯薄膜的疏水性能最佳.利用等离子连续聚合的方法制备了聚甲基丙烯酸甲酯薄膜/聚正硅酸乙酯/聚甲基丙烯酸三氟乙酯3层复合薄膜,并对复合膜的性能进行了表征.     

射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.     

共轭多孔聚合物薄膜的电化学制备及电容特性

以聚集诱导发光（AIE）材料咔唑基三苯乙烯衍生物（TPCz）为单体,采用循环伏安法（CV）以聚集诱导发光（AIE）材料咔唑基三苯乙烯衍生物（TPCz）为单体,采用循环伏安法（CV）原位聚合制备了咔唑基三苯乙烯衍生物多孔聚合物薄膜（TPCz-CMP）. 利用红外光谱（FT-IR）、紫外-可见吸收光谱（UV-vis）、高倍透射电镜（HR-TEM）等手段对其结构和形貌进行了表征,并对CMP薄膜修饰的电极进行了CV、恒电流充放电（CP）及交流阻抗（EIS）等电化学性能测试. 结果表明, TPCz-CMP薄膜具有微孔结构,在电流密度为4 A/g时,TPCz-CMP薄膜电极的比电容达到193 F/g,是一种具有优良应用前景的超级电容器材料.     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术以SiH4和N2为反应气体沉积了氮化硅(SiN)薄膜,利用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、紫外-可见透射谱(UV-VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析.结果表明,采用HWP-CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构.适当提高N2/SiH4比例将有利于薄膜中H含量的降低.     

Co掺杂ZnO薄膜的结构及光磁性能研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12)薄膜.利用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了ZnO:Co薄膜的表面形貌和微结构.结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,尤其是当掺杂浓度为12%时,薄膜c轴择优取向最为显著.振动样品磁强计(VSM)测量表明Zn1-xCoxO薄膜具有室温铁磁性.室温光致发光测量发现,所有样品的PL谱中都出现了较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,分析认为这主要是由于Co元素的掺入改变了薄膜的禁带宽度、锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.基于上面的测量结果,探讨了不同波段光发射的机理与掺杂状态之间的关系.     

Influence of substrate metals on the crystal growth of AlN films

AlN films were deposited by reactive radio frequency (RF) sputtering on various bottom electrodes, such as Al, Ti, Mo, Au/Ti, and Pt/Ti. The effects of substrate metals on the orientation of AlN thin films were investigated. The results of X-ray diffraction, atomic force microscopy, and field emission scanning electron microscopy show that the orientation of AlN films depends on the kinds of substrate metals evidently. The differences of AlN films deposited on various metal electrodes are attributed to the differences in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the AlN material and substrate metals. The AlN film deposited on the Pt/Ti electrode reveals highly the c-axis orientation with well-textured columnar structure. The positive role of the Pt/Ti electrode in achieving the high-quality AlN films and high-performance film bulk acoustic resonator (FBAR) may be attributed to the smaller lattice mismatch as well as the similarity of thermal expansion coefficient between the deposited AlN material and the Pt/Ti electrode substrate.     

单分散聚苯乙烯微球的制备与表征

以苯乙烯（St）为单体,采用无皂乳液聚合法及分散聚合法制备了不同粒径的聚苯乙烯微球（PS微球）。运用傅立叶红外光谱（FT-IR）、透射电子显微镜（TEM）、场发射扫描电镜（FE-SEM）、纳米粒径分析仪等手段,对微球的组成成分、表面形态、粒径及其分布进行了表征。结果表面,微球粒径均匀,球形度良好且呈单分散性。     

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.