Neutral Donors in Quantum Wells with Strong Magnetic Fields

研究了强磁场条件下有限深量子阱中的中性施主．计算了中性施主的基态能量和束缚能，讨论了阱宽对中性施主束缚能的影响．     

激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响

利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束缚能有明显的影响.基态施主束缚能随着温度的增加而减小,随着Al含量的增加而增加,随着量子阱宽的增大而减小.并且随着阱宽的进一步增大,束缚能减小的趋势变慢.     

量子阱中中性施主束缚激子的性质

在有效质量近似下,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下,量子阱中中性施主束缚激子(D0,X)体系的束缚能和激子质心波函数对于不同阱宽随坐标的分布及粒子间的平均距离随阱宽的变化,得到了较好的结果,并对结果进行了详尽的分析和讨论.     

施主离子对抛物阱中束缚极化子的影响

从电子-声子相互作用的哈密顿量出发,采用改进的LLP方法研究了无限深抛物阱中束缚极子的极化势和结合能随施主离子位置z0的变化关系.结果表明,电子与施主离子间的距离不同,则极化势随施主离子位置的变化关系也不同.对于给定的阱宽,随着施主离子远离阱中心,束缚极化子的结合能迅速减小;阱宽不同,束缚极化子的结合能减小的程度不同.     

磁场对方形量子阱线中类氢杂质束缚能的影响

采用无限深势阱模型,变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响,同时还讨论了施主离子位置的变化对束缚能的影响。计算结果表明外加磁场使得体吵缚能增加,杂质离子位于阱中心时,束缚能最大,位于正方形的某个角点时,束缚能最小。     

在GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs量子阱结构中的施主束缚能

对由夹在两个半无限Ga_1-Al_xAs块中的单GaAs层中的量子阱中浅施主基态束缚能做了变分计算、施主束缚能是作为GaAs层厚度和杂质位置的函数来计算的。研究了两种合金成分X=0.1和X=0.4。计算是在真实导带差额所决定的有限势垒情形下进行的。计算结果与前人结果作了比较。结果表明:对杂质处于阱中心和X=0.4的情形当阱厚L<5A时,束缚能的修正是显著的。例如峰值修正超过了15％。此外,还研究了由于GaAs和Ga_1-Al_xAs具有不同有效质量而对基态束缚能的影响。     

极性半导体异质结构中束缚极化子的电离能

本文研究任意磁场存在下阶梯阱内类氦杂质的极化子效应,我们分别给出了束缚在类氦施主杂质中心的单个和双个极化子在磁场中的哈密顿,计算了它们对类氦杂质束缚能的影响.结果表明,势垒的高度、量子阱的宽度以及杂质中心在阱中的位置对束缚能都有重要的影响,并且阶梯阱的存在也增强了极化效应.最后,我们将对这一结果进行合理地解释.     

磁场中异质界在上中性施主的束缚能

用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ＾０问题，得到了该结构中Ｄ＾０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系。     

量子阱中的双施主态杂质能级的束缚极化子效应

由于量子阱中的浅施主杂质的研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性质的研究都提供了有用的信息,因而近来对极性半导体量子阱中的极化子(不仅是自由极化子而且也对束缚极化子)的行为的研究受到人们的重视.不过以前人们将注意力仅仅放在类氢施主杂质上[1,2].显然考虑类氦施主杂质无论从理论上或是从应用上都是必须的.     

磁场中异质界面上中性施主的束缚能

用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ０问题．得到了该结构中Ｄ０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系     

磁场中异质界面上正施主中心

用变分法讨论了异质界面上中性施主D^0的能量随垂直于界面的磁场的变化情况，计算得到此结构中D^0中心的基态能量和束缚能．在此基础上，考虑电子与界面声子的相互作用，发现对于不同材料构成的异质界面，界面声子对施主中心的能量都有不同程度的影响，并且，随着磁场的增加，这种影响愈加显．     

磁场中异质界面上负施主离子中心

采用变分的方法讨论了异质界面上中性施主Ｄ＾０的负施主离子Ｄ＾－的能量随垂直直于界面的磁场的变化情况，分析所选择的两种波函数适用范围。计算得到此结构中Ｄ＾－中心角动量Ｌ＝－１自旋三重态的本征能量和束缚能，找到了此三重态由非束缚态转变到束缚态对应磁场的阈值。     

闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态

在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.     

外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质

在有效质量近似下，采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs／Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响：计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响，发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强；体系束缚能随线宽显示出非线性行为，并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值，所得结果和前人计算符合很好。     

抛物阱中束缚极化子的结合能

采用体纵光学(LO)声子近似,利用改进的LLP方法,对两次幺正变换处理电子?LO声子相互作用和施主离子?LO声子相互作用进行了研究.用第一次幺正变换求出极化势;用第二次幺正变换可计算出无限深抛物量子阱中束缚极化子的结合能.结果表明,在阱中心极化势对极化子能量的贡献较大.阱宽较小时,束缚极化子的结合能随阱宽L的增大而急剧减小;阱宽较大时,能量减小缓慢趋近于体材料的三维值.     

阶梯量子阱中极化子效应的增强

电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色 .因此最近几年对极性半导体 (例如异质结、量子点、量子线和量子阱 )内的极化子效应讨论很多 .一些通常的量子阱往往由极性化合物组成 ,我们需要对其中的电子和光学声子之间的相互作用进行详细研究 ,因为极化子效应能强烈影响异质结构的光学和输运特征 .因而在这样的结构中 ,电子态是通过势阱来描述的 .在低维量子系统 ,由于电子的束缚产生的基态杂质束缚能比体材料相比要大得多 .这个如 Greene和 Bajij[1] 所说的那样 ,量子阱中浅施主杂质的详细研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性…     

半导体量子阱中施主杂质态研究

半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d，本文用打靶法求解薛定谔方程，研究施主杂质的能谱随d的变化，发现具有相同角动量的能态具有相似的变化规律。     

D-中心量子点的极化子效应

利用少体物理的方法，研究了半导体量子点中负施主杂质低激发态能谱的极化子效应，发现随着量子点的尺寸改变，有和没有电－声相互作用的影响，其能级顺序的改变是不一样的。另一方面，我们计算了负施主杂质中心的基本束缚能随量子点半径的变化关系，发现电－声耦合相互作用对束缚能有明显增强效果。     

量子阱中界面声子和体声子对束缚极化子结合能的影响

用变分法研究半导体量子阱中束缚极化子结构能，在计算中包括了界面声子和体声子的影响。给出了束缚极化子基态能量和结合能随阱宽变化的数值结果。研究发现，界面声子和体声子对结合能的贡献分别在窄阱和宽阱情况下起主导作用，总结合能随阱宽的增大而减小。     

第Ⅱ类量子阱中激子的空间屏蔽效应

应用变分方法，计算了第Ⅱ类量子阱中屏蔽激子的束缚能；讨论了势阱宽度和电场对空间屏蔽效应的影响，并比较了空间依赖介电函数与介电常数对激子束缚能的影响。我们发现，随着量子阱宽度的减小，空间屏蔽对激子束缚能的影响越来越突出。但由于ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ第Ⅱ类量子阱的势阱宽度较小，电场对空间依赖的介电屏蔽效应的影响是很小的。