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相似文献
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1.
以Fe4N为原型,构建在晶场作用下的混自旋Ising模型。利用平均场理论,得到该模型的磁矩和自由能公式;绘制了不同相互作用下的磁化曲线;研究了系统的磁性质。发现系统发生了丰富的相变特性:系统存在一级有序-无序相变、重入现象和二级相变;晶场D_A/|J_1|和D_B/|J_1|对系统的磁性质所起作用相似。随着晶场的增加,一级有序-无序相变的温度升高,重入现象的温度降低;一级有序-无序相变和重入现象的温度间距逐渐缩小,直至这两种相变消失。  相似文献   

2.
研究了混自旋σ=3/2和S=2与混自旋σ=3/2和S=5/2两种Ising系统的基态性质.根据能量最低原理,通过比较各种可能基态构型的基态能,确定出了系统的基态相图.并得到了基态能Eg随DA/(zJ)和DB/(zJ)的变化规律.结果表明,对于混自旋σ=3/2和S=2 Ising系统可存在无序相,而对于混自旋σ=3/2和S=5/2 Ising系统只存在有序相.两种系统的基态能均随着DA/(zJ),DB/(zJ)值的变大而线性升高,但不同区域的斜率不同.DA/(zJ),DB/(zJ)值越大,基态能升高得越慢.此外发现对于混自旋σ=3/2和S=2 Ising系统存在4种构型共存点(0.5,0.5),...  相似文献   

3.
在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三l临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏.  相似文献   

4.
许星光  赵杰 《科学技术与工程》2012,12(31):8133-8136
采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。  相似文献   

5.
在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.  相似文献   

6.
本文利用有效场论研究了原子掺杂对纳米管晶格点磁化强度的影响. 结果表明, 掺杂程度、晶场取值概率、最近邻交换相互作用与晶场强度相互竞争, 使系统具有丰富的磁化特性. 当负晶场作用于系统时, 系统发生一级相变. 负晶场越强, 对系统磁化强度的阻碍作用越明显. 当晶场参数和掺杂程度不同时, 系统磁化强度随温度的变化表现出奇异性.  相似文献   

7.
采用Jordan-W igner变换和玻色化方法研究外场中的自旋-1/2XY模型.由于外磁场的引入,该模型的玻色化过程受到影响,首先讨论该模型在无磁场情况下的哈密顿,随后对磁场引入的扰动项做了单独地玻色化;并在阿贝尔玻色化方案下对玻色场算符做了重新定义,从而解决了由于扰动所带来的协变问题,给出了各关联函数的表达式;最后简单讨论在处理此类模型时,玻色化方法较之其他方法的优长.  相似文献   

8.
本文考虑正方晶格上混合自旋─1/2─自旋─S伊辛模型。运用自由费密近似方法对该模型进行了求解,计算得到了临界温度的自由费密近似解,并与Yousif和Bowers的高温级数解结果进行比较。  相似文献   

9.
本文考虑正方晶格上混合自旋─1/2─自旋─S伊辛模型。运用自由费密近似方法对该模型进行了求解,计算得到了临界温度的自由费密近似解,并与Yousif和Bowers的高温级数解结果进行比较。  相似文献   

10.
考虑Union Jack晶格上各向异性二体耦合相互作用的混合自旋-1/2—自旋-S伊辛模型,运用自由费米近似方法对模型进行了求解,得到了模型临界温度的自由费米近似解.  相似文献   

11.
分析了含能流的横磁场三比特各向同性XY自旋链的基态纠缠.发现随着外磁场的变化,系统会发生量子相变.以三比特系统为例给出有效哈密顿量的能谱,讨论了体系基态纠缠随λ的变化.当λ<3/3时,在相变点处基态由W态跳跃到非纠缠态,此时自旋链中没有能量流动.当3/3≤λ≤3时,在能级交错点处发生量子相变,体系由非能流相进入能流相,同时基态由W态ф1跳跃到另一W态ф5;此时,由于能流的影响,使得基态保持在W态,而不再处于非纠缠态;并且随着λ的增大,系统将在更大范围内处于能流相.当λ>3时,基态波函数表示为ф5,系统完全处于能流相.  相似文献   

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