俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。     

高分子快离子导体研究新进展

介绍了一些研究高分子固体电解质的最新思路和方法,也介绍了笔者新研制的一类有机高分子快离子导体,并对其前景和应用作了展望。     

聚合物快离子导体合成及电性能研究

在室温下,研究了聚醋酸乙烯酯(PVA_c)与NaSCN,聚醋酸乙烯酯——乙烯共聚物(EVA)与NaSCN在摩尔比分别为2∶1,1∶1,0.5∶1的络合物膜,及聚环氧氯丙烷(PECH)和NaSCN,在金属∶氧原子(M∶O)摩尔比为1∶1,1∶4,1∶8的络合物膜的导电性能。在不同温度时,对环氧氯丙烷——环氧乙烷共聚物(PECH-PEO)与LiClO_4,环氧氯丙烷-环氧乙烷-环氧丙烷共聚物(PECH-PEO-PPO)与LiClO_4的M∶O,分别为1∶2,1∶4,1∶8,1∶10,1∶12的络合物膜的导电性能进行了研究。并对PECH-PEO,PECH-PEO-PPO与LiClO_4络合体系进行了红外光谱分析。     

模型接枝聚醚网络快离子导体的制备及导电性研究

采用聚环氧乙烷800单甲基丙烯酸酯与双甲基丙烯酸酯共聚，制备了网络链段长度 与支链长度相等的“模型接枝网络”。测量了其与LiCIO6络合物在不同温度下的电导率，研究了网络中支链含量与电导率的关系，从而提出了接枝网络中支链对离子传导的作用机制。     

高岭石和NaZr_2P_3O_（12）为基的矿物快离子导体

利用天然矿物高岭石为原料，采用高温固相应制备了Ｎａ１＋２ｘＡｌｘＺｒ２－ｘＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统的矿物快离子导体材料．Ｘ射线衍射表明，该材料具有Ｎａｓｉｃｏｎ型的骨架结构，２９８～６７３Ｋ离子电导率为００１～１ｍＳ／ｃｍ，激活能４０５３～５２１１ｋＪ／ｍｏｌ，当ｘ＝０５时呈现最高电导率，在６７３Ｋ时其电导率达到２５ｍＳ／ｃｍ，它的活化能为４０５３ｋＪ／ｍｏｌ     

固体氧化物燃料电池电解质用离子导体

固体氧化物燃料电池以其高的能量转换效率和清洁的发电而被广泛研究.其中电解质—离子导体材料是影响固体燃料电池的效率和热力学稳定性的关键.作为所期望的电解质材料应满足以下要求(1)高的离子导电,(2)低的电子导电,(3)在使用条件一热力学稳定,(4)好的综合力学性能.在一些荧石相关结构和钙钛矿塑结构的氧化物中通过掺杂和取代形成氧空位可得到高的氧离子导电性.本文介绍了一些这类离子导体材料,并讨论了它们的特性.     

一种新的微波合成技术在离子导体合成中的应用

应用微波合成技术合成了固相反应难于制备的离子导体，讨论了微波合成的条件及对产物的影响．     

非晶快离子导体AgI-Ag_4P_2O_7中银沉积的电子探针研究

用电子探针显微分析法,研究了AgI-Ag_4P_2O_7非晶态快离子导体中的银沉积问题。给出了在电子束轰击下银计数率随时间变化曲线。开始时银沉积率随时间而增加较快,然后变得缓慢,最后趋于一个极限值。对于晶化后的样品,由于晶界的阻碍作用,向轰击区迁移的Ag~ 离子减少,离子源枯竭快,银计数率达到极限值比未晶化前快。文中同时给出了电子束轰击区的二次电子像、背射电子像。AgLαX-射线扫描像。在银沉积过程中,发现在电子束轰击区周围伴生有枝叶状的脉纹似的析出物,是由于电子束轰击样品产生温升而导致玻璃中银和银的化合物析晶所致。     

AgI-Ag_2O-B_2O_3三元系非晶银快离子导体中的银沉积

运用电子探针显微分析(EPMA)技术,能有效地研究快离子导体中的金属沉积问题。电子探针是一束聚焦很细的电子束,用以轰击试样,由于探针的电子注入到试样表面,形成负电位,使得快离子试样中的阳离子在电场作用下向电子束注入轰击点迁移、集中,与电子中和后转变为金属原子。当这些析出的原子在传输过程中受到阻碍时,可能在材料表面积累或     

环氧树脂上激光诱导局部化学沉铜

用激光诱导化学沉积方法在非导体环氧树脂基体上实现微区局部、快速化学沉铜，并用卢瑟福背散射和扫描电镜方法对镀层的形貌、性质进行了观测和分析。激光的输出功率密度及照射时间决定了镀斑的面积和厚度。所得镀层比传统方法所得的化学镀层更致密。同时，由于激光照射引起的短时局部高温，使界面的金属原子向光照区基体内部扩散，得到的铜镀层与基体有较好的结合力。     

沉积动力学方程对银快离子玻璃中银沉积的研究

借助电子探针显微分析法,用沉积动力学方程,研究了AgIAg_4P_2O_7、AgIAg_2OB_2O_2、AgIAg_2OP_1O_5B_1O_3银快离子玻璃系统中样品的银沉积问题。发现在电子束轰击下,银计数率随时间的变化实验曲线与理论拟台曲线一致,沉积动力学方程能较好地适合银快离子玻璃。对银快离子玻璃中银的沉积物理过程进行了探讨解释,在电子束注入电子的外电场和试样内离子浓差、局域极化内电场作用下,银离子不断迁移、沉积,达到极限值。     

银硼磷玻璃系统的形成区、电导和离子传输研究

制备了AgX-Ag_2O-P_2O_5-B_2O_3(X=Br,Cl)系统快离子玻璃样品,确定了其玻璃的形成区,测量了该系统玻璃的离子电导率、迁移数、玻璃转变温度和红外光谱。提出了该系统中银离子迁移的结构模型,玻璃是BO_3、BO_4、PO_4基团和Ag~+离子、Br~-离子或Cl~-离子组成的。玻璃中AgX、Ag_2O和B_2O_3/P_2O_5含量越多,电导率就越大。电导率随组成的变化从结构和化学键的观点进行了解释。     

Progress of graphene growth on copper by chemical vapor deposition: Growth behavior and controlled synthesis

Recently,chemical vapor deposition (CVD) on copper has been becoming a main method for preparing large-area and highquality monolayer graphene.In this paper,we first briefly introduce the preliminary understanding of the microstructure and growth behavior of graphene on copper,and then focus on the recent progress on the quality improvement,number of layers control and transfer-free growth of graphene.In the end,we attempt to analyze the possible development of CVD growth of graphene in future,including the controlled growth of large-size single-crystal graphene and bilayer graphene with different stacking orders.     

Fabrication of copper nanorods by low-temperature metal organic chemical vapor deposition

Copper nanorods have been synthe-sized in mesoporous SBA-15 by a low-temperature metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) employing copper (II) acetylacetonate, Cu(acac)2, and hydrogen as a precursor and reactant gas, re- spectively. The hydrogen plays an important role in chemical reduction of oganometallic precursor which enhances mass transfer in the interior of the SBA-15 porous substrate. Such copper nanostructures are of great potentials in the semiconductor due to their unusual optical, magnetic and electronic properties. In addition, it has been found that chemically modi- fying the substrate surface by carbon deposition is crucial to such synthesis of copper nanostructures in the interior of the SBA-15, which is able to change the surface properties of SBA-15 from hydrophilic to hydrophobic to promote the adsorption of organic cupric precursor. It has also been found that the copper nanoparticles deposited on the external sur- face are almost eliminated and the copper nanorods are more distinct while the product was treated with ammonia. This approach could be achieved under a mild condition: a low temperature (400℃) and vac-uum (2 kPa) which is extremely milder than the con- ventional method. It actually sounds as a foundation which is the first time to synthesize a copper nanorod at a mild condition of a low reaction temperature and pressure.     

含砷废酸制备亚砷酸铜及其在铜电解液净化中的应用

利用含砷废酸制备亚砷酸铜,并将所得亚砷酸铜应用到铜电解液的净化。研究结果表明:使用NaOH溶液调节废酸pH值为6.0时,废酸中Pb,Cu,Fe和Mg杂质的去除率达到90%以上,砷保留率为89.0%;除杂后,加入CuSO4和NaOH溶液,当pH=8,n(Cu):n(As)=2:1,反应温度为20℃,反应时间为1h时,亚砷酸铜的产率达到98.2%;所得亚砷酸铜为非晶体,其中Cu与As的物质的量比为2.15;当铜电解液中加入20g/L亚砷酸铜时,铜电解液中Sb和Bi分别从0.65g/L和0.15g/L降到0.30g/L和0.07g/L,Sb和Bi去除率分别达到53.85%和53.33%。     

LiSiPON固态薄膜电解质的结构和性能分析

以Li3PO4和Si3N4为靶材,利用离子束辅助沉积N离子流轰击法制备非晶结构的固态电解质LiSiPON薄膜.实验中,通过控制N2气和Ar气的流量比,调节薄膜的含氮量.利用X线衍射、X线能量色散谱仪和X线光电子能谱仪研究薄膜的结构和组织成分的变化,并通过电化学阻抗测试仪获得薄膜的离子电导率,研究不同氮氩比对LiSiPON薄膜结构、组成和电学性质的影响.结果表明:N2和Ar流量比为1∶1时,薄膜含氮量最高,离子电导率达到最大值,在室温时电解质薄膜的离子电导可达6.8×10-6S/cm,是一种有潜力应用于全固态薄膜锂离子电池的电解质材料.     

铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究

采用乙炔作为碳源,分析了碳源浓度、生长时间等参数对铜基石墨烯成核密度、生长速率及单层覆盖率的影响,通过热氧化法系统展示了石墨烯形核、长大、生长结束的全过程.研究发现;碳源浓度较小时成核密度较低,所得石墨烯晶粒更大,但单个多层点的面积较大,且多以双层为主;在石墨烯生长过程中,氢气既可辅助碳氢化合物分解,同时也会刻蚀部分成核点,从而促进石墨烯质量的提高;基于单层率与晶粒尺寸之间的平衡,采用乙炔与氢氩混合气(体积比为1∶9)流速比为5∶100作为生长石墨烯的气体工艺参数,获得了透过率约为97.1%,缺陷较少且以单层为主的大面积石墨烯.     

固体电解质Li_(1+2x+2y)Al_xMg_yTi_(2-x-y)Si_xP_(3-x)O_(12)系统的合成及导电性能的研究

以LiTi2(PO4)3为基,煤矸石为原料经高温固相反应(900℃)制得系列锂离子固体电解质Li1+2x+2yAlxMgyTi2-x-ySixP3-xO12(以下简称Ti-Mg-Lisicon).应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明x=0.1,y=0.1的合成物室温电导率比较理想为1.30×10-4S/cm,而673 K时x=0.1,y=0.3的合成物的电导率最大,为2.60×10-2 S/cm。X射线衍射分析结果表明在x=0.1,y≤0.7x;=0.2y,≤0.6的组成范围内均得到空间群为R3c的合成物.