高倍增GaAs光电导开关的设计琚抽

首次报导了采用Ｓｉ３Ｎ４、硅凝胶钝化／保护的微带低电感输出的全固态ＳＩ－ＧａＡｓ高压亚纳秒光电导开关的研究结果，该器件的耐压强度为３５ｋＶ／ｃｍ，具有理想的暗态伏安特性；     

Monte Carlo 方法在高倍增 GaAs 光电导开关模拟中的应用

在ＧａＡｓＰＣＳＳ′ｓ的模拟中引入了ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法,重点对非线性模式中锁定（Ｌｏｃｋｏｎ）效应发生的机理及其阈值条件进行了计算分析．结果表明,阈值条件与器件材料的性质、偏置电场和激励光脉冲能量等因素密切相关．在与ＮＤＲ相对应的偏置电场范围内,Ｌｏｃｋｏｎ效应的发生有最低的光能要求．文中将这些结果与实验数据进行了对比分析和讨论．     

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性

从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。     

高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

给出了高倍增SI－GaAs光电导开关中在临界光能,电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果,进一步讨论了生成畴的光,电阈值条件,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Look-on效应。分析了单电荷畴的民和辐射发光的物理过程,并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释。     

GaAs光导开关瞬态光电导效应的研究

光导半导体开关自问世以来，以其优良的特性受到人们广泛的关注，其应用领域不断地拓展。本文对立了一个光导开关的瞬态响应模型，对ＧａＡｓ瞬态光电导效应进行了研究，重点研究了是光作用过程的Ｄｅｍｂｅｒ效应和各种重要的复合机制对ＧａＡｓ光导开关光电导响应的影响。     

GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究

根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速雪崩倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。     

超快光电导开关瞬态电阻计算方法

应用电磁学原理,研究了光电导开关输出电流中的位移电流和传导电流,认为位移电流可以由内建电场变化和负载分压过程引起.内建电场变化引起的位移电流在大间隙光电导开关中可以忽略;负载分压引起的位移电流能够抑制光电导开关输出电流的变化.横向光电导开关的输出电流主要依赖电极吸收载流子形成的传导电流和负载分压引起的位移电流.建立了基于载流子输运过程与瞬态电磁过程的全电流模型.根据此模型得到了光电导开关瞬态电阻计算方法,与电导率模型相比,该方法可以更精确描述超快光电导开关的瞬态电阻.     

超快光电导开关的传输特性分析及优化方案

超快光电导开关输出的是超宽带的电脉冲信号,因此开关至负载的传输线路设计优劣对输出波形影响很大。本研究分析了光电导开关典型的同轴-微带传输结构,计算了线性工作模式下开关电阻瞬态变化在传输线路阻抗不连续处引起的电磁波反射,及其对输出脉冲波形和电压传输率产生的影响,然后与实测脉冲波形进行了对比,解释了肩峰现象。最后根据仿真结果提出了提高光电导开关传输特性的三种优化方案。     

光电导效应及其应用探究

光电导效应是一种内光电效应。本文简要介绍和分析了光电导效应及其应用,并对其前景进行了展望。     

GaAs光导开关超短电脉冲响应特性的研究

用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析。分别给出了在偏置电压和触发光能一定的条件下,超短电脉冲响应特性的变化规律;指出影响超短电脉冲响应特性的主要原因是由于缺陷能级的俘获作用,共面微带传输线对超短电脉冲波形不产生明显的影响。     

砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析

分析了高增益砷化镓光导开关中流注（即电流丝）一端不同辐射波长的自发辐射实验现象,导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系,拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型．计算结果表明,丝电流相同时流注自发辐射的其他峰值强度略小于890nm自发辐射强度．     

影响超快光电导开关关断特性的主次因素

超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定，而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验，分析了影响关断特性的主要因素和次要因素，认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用，其中，载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。     

非线性光导开关中的高场畴机制

应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是系统全面地描述非线性光导开关的物理机制的基础.     

一种用于高功率脉冲电源的闭合开关

在电热、电磁发射技术中，高功率脉冲电源占据着非常重要的位置，开关是高功率脉冲电源的重要组成部分。该文介绍了大功率空气开关 及主要结构特点，着重介绍了ＨＧ－１００型空气开关的设计及特性，分析了空气开关存在的问题及改进方向。研究表明，从触发脉冲加瞬间到电导等离子体开始形成阶段，决定着空气开关动作时间和稳定性；在间隙中形成高电导率的等离子体的速度决定了脉冲前沿的徒度；脉冲功率电源稳定工作的极限频率取决于