纳米晶ZrO_2(CaO)∶Er~(3+)的制备及发光性质研究

用化学共沉淀法制备了Er3+掺杂浓度不同、煅烧温度不同的纳米晶ZrO2(CaO)∶Er3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Er3+离子特征强室温荧光发射.同时观测到Er3+离子的上转换发射.讨论了上转换发射的跃迁机制,976 nm激发下的上转换过程是双光子过程.荧光强度与掺Er3+浓度关系研究表明:在相同条件下,用378nm荧光激发,分别测量了Er3+不同浓度800℃煅烧样品的发射谱,掺Er3+浓度达0.6%(摩尔分数)时达到最大,然后又随之降低.     

新型纳米固体超强酸SO4^2-／ZnO-M0O3酯催化性能的研究

利用纳米固体超强酸SO4^2-／ZnO-MoO3催化合成乙酸异戊酯的最佳反应条件，即反应时间1．8h，催化剂用量为酸质量的0．8％，酸醇比为1：1．2，验证实验产率为96．7％，且该实验反应时间短，无腐蚀无污染，催化剂可回收可重复利用．     

Co_3O_4超级电容器电极材料的制备及电化学性能研究

使用简单的化学沉积法制备出直接生长在泡沫镍上的前驱体Co(OH)2,之后经程序升温得到Co_3O_4超级电容器电极材料.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱和拉曼光谱对制备的电极材料进行了表征,并进行了电化学性能测试.结果表明,生成了前驱体Co(OH)2和Co_3O_4超级电容器电极材料,形貌为由纳米片组成的网状结构.该形貌结构易于电解质渗透和电荷转移,减小了电荷转移电阻,与前驱体Co(OH)2相比,Co_3O_4的电化学性能得到显著提高.在三电极体系下,电流密度为0.75 A/g时,Co_3O_4的比电容达到820.62 F/g,且循环稳定性较好,经过1 000次充放电循环后,比电容仍为初始比电容的95.6%.     

无粘结剂C-SiC-B4C系碳/陶复合材料的制备及高温抗氧化性质的研究

用不问配比的石油生焦、B4C.SiC混合磨粉，不加粘结剂模压成型、烧结制得C-SiC-B4C系碳/陶复合材料，在700-1200℃温度范围内对其抗氧化性能进行了测试，结果表明复合材料抗氧化性能的优劣与B4C含量，SiC/B4C含量比例和氧化测试温度有密切关系，并且首次提出了该复合材料的临界抗氧化温度概念及其影响因数。     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

二维Bi_2Se_3薄膜的制备及光电性能研究

二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_2Se_3是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO_2/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi_2Se_3薄膜,在此基础上构建了Bi_2Se_3光电探测器,测试结果表明Bi_2Se_3薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.     

高比电容Mn_2O_3/CRF电极材料的制备及性能研究

采用冷冻干燥有机气凝胶法制备碳气凝胶,利用沉积法在其表面负载Mn_2O_3制备Mn_2O_3/CRF复合材料,并通过调节沉积时间制得4种不同的Mn2O3/CRF复合材料,并考察了4种复合材料的电化学性能差异.结果表明,沉积时间为10 min的Mn_2O_3/CRF复合材料的比电容最大,且循环伏安曲线矩形的宽度最大,CV曲线覆盖面积最大,比电容高达375 F/g,表现出良好的电化学电容特性.     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.