共振光电子及俄歇电子出电势谱复合分析管的研制和应用

一、引言共振光电子出现电势谱(RPAPS)的主要特点是对杂质元素的分辨率均优于同样条件下的软x射线出现电势谱(SXAPS)并与二次离子谱仪(SIMS)相妣美,因此它是一种对表面杂质分析相当灵敏的有用的出现电势谱。俄歇电子出现电势谱是芯能级谱中灵敏度最离的一种出现电势谱,而三极式结构的俄歇电子出现电势谱又最适于各种场合和各种类型材料的分析,     

芯能级联合谱仪

芯能级谱仪是进行表面分析和固体能谱研究的一种现代大型精密仪器.为了解决国内科学研究及生产方面的需要,复旦大学物理系在中国科学院沈阳科学仪器厂的协助下试制了具有俄歇电子谱(AES)、俄歇出现电势谱(AEAPS)、软X射线出现电势谱(SXAPS)和消隐电势谱(DAPS)等四种功能的联合谱仪. 在金属的能谱研究方面,AES给出的是满带信息.SXAPS和AEAPS与激发及退     

软X射线出现电势谱在电真空工艺应用中的探讨

本文介绍了自制的封闭式软X射线出现电势谱仪,并将该谱仪用于电真空材料与工艺过程的分析。通过对4J-29可伐合金不同工艺处理后所测得的软X射线出现电势谱(SXAPS)进行分析对比,找到了利用软X射线出现电势谱作为监控可伐合金脱碳工艺质量的途径。此外,也运用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)对可伐合金进行了同样的分析,进一步证实了所得到的结论。     

LEED—DAPS装置球面栅的制造

一、引言球面栅作为阻滞型能量分析器,在早期的逆电位型俄歇电子谱仪(AES)中曾起过重要作用。尽管当前的俄歇电子谱仪中都采用了筒镜分析器和半球形能量分析器,但是在Germer型LEED装置和出现电势谱的一个重要分支—消隐电势谱(DAPS)中,球面栅仍然起着分选电子能量的重要作用。因此,球面栅的制造还是一个值得重视的重要工艺。由于球面栅既要求具有良好的电子透过性又要求获得均匀的电场,所以它必须用极细的金属丝密织而成。据目前公布的资料来看,镀金的Mo丝组成100目栅网,其透过率为85％,     

集成电路中铝在二氧化硅表面的扩散

在用扫描电子显微镜和俄歇电子能谱仪观测集成电路表面的时候,我们曾经看到集成电路中的铝沿着二氧化硅的表面扩散。根据铝俄歇电子的分布曲线,我们计算了铝在二氧化硅表面上的扩散系数和激活能。     

封闭式出现电势谱仪及其应用

一、引言七十年代期间,由于表面科学迅速发展的需要,研究固体表面组分、表面结构或表面原子的电子结构的各种谱仪不断出现.软X射线出现电势谱(SXAPS)就是其中之一.在出现电势谱仪中,用一定能量的电子轰击固体(靶)表面,然后用光电法测定所产生的软X射线强度与轰击电子能量之间的关系.大家知道,在这种软X射线中包含着     

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展

综述了俄歇电子能谱的新进展──角分布俄歇显微术。测量和展示俄歇电子的全角分布可给出浅表面原子的影象,借此可对样品表面原子、分子结构进行表征。理论认为这种原子形象是浅表面原子受较深层原子发射俄歇电子映照而成的,以Ｐｔ、Ｉ２为例,用相应理论教学模式模拟,所得结果和实验结果极相符合。角分布俄歇显微术在实践和理论上将俄歇电子能谱向前推进了一步。     

多孔薄膜型TiO2光催化剂及其环境净化研究

利用溶胶凝胶法在不锈钢以及玻璃载体表面制备了具有多孔结构的TiO2薄膜光催化剂;利用俄歇电子能谱。紫外光谱、X射线衍射以及透射电镜研究了薄膜催化剂的表面结构;利用有机染料和含甲醛空气研究了薄膜光催化剂的反应活性,获得了很好的结果。     

多孔薄膜型TiO_2光催化剂及其环境净化研究

利用溶胶凝胶法在不锈钢以及玻璃载体表面制备了具有多孔结构的TiO2 薄膜光催化剂 ;利用俄歇电子能谱、紫外光谱、X射线衍射以及透射电镜研究了薄膜催化剂的表面结构 ;利用有机染料和含甲醛空气研究了薄膜光催化剂的反应活性 ,获得了很好的结果     

合成硼,碳,氮体系化合物功能薄膜的结构性质

为探讨合成硼、碳、氮体系化合物功能薄膜结构性质，综合评述了Ｘ射线、电子衍射、高分辨电镜分析、红外光谱、拉曼光谱，以及俄歇电子谱和Ｘ射线光电子谱等方法对氮化硼、氮化碳和硼碳氮薄膜材料的结构性质的检测结果，指出以采用多种方法复合测定为宜；相互补充的成分、结构、特性等信息，会有助于薄膜结构研究的深化。     

一种新型阴极研究装置

介绍了一种新型的专为阴极研究设计的与俄歇能谱仪(AES)相连的脉冲激光沉积(PLD)装置,本装置可以实现阴极薄膜的快速制备,测量发射性能和原位分析表面成分。简述了此装置在研究阴极表面发射机制最新应用。     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

离子镀氮化钛膜层综合剖析

本文应 X 用射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、X 射线衍射(XRD)等技术,对用空心阴极离子镀法(HCD)生长的氮化钛膜层作了综合测试,对膜层的组分和结构作了分析,着重论述了外表面氧化膜及界面过渡层的产生和作用。由 XRD 分析得知,氮化钛晶粒中与衬底有良好共格关系的那些晶面平行于膜面生长。     

铝(210)表面的LEED,AES研究

采用低能电子绕射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)的方法,研究了铝(210)表面的弛豫和表面结构。按多童散射理论,使实验测得的和计算的LEED谱有较好的吻合。结果表明:铅(210)表面的弛豫仲展至表面五个原子层,且垂直于表面的驰豫较平行于表面的弛豫显著得多。最后用静电模型对这些结果进行了讨论。     

Ar原子内壳层激发态俄歇衰变过程

研究了Ar原子2p内壳层激发态的俄歇衰变过程.在全相对论框架下计算了相应的俄歇电子谱.计算结果与最新的实验结果符合很好.     

软X光激光In衰减膜的制备及测量

通过对制备工艺的摸索 ,制备出用于软X光激光实验的In衰减膜 ;利用α能谱测厚仪对In衰减膜的质量厚度进行了测量 ;通过俄歇电子谱并结合Ar离子刻蚀对In膜表面氧化及氧元素质量分数的深度分布进行了分析 .     

反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究

本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。     

MIS结构AES分析及电流输运对表面和界面依赖关系的研究

借助于俄歇电子能谱分析,结合氩离子溅射剥蚀,对全面积超薄铝膜的AI/S_iO_x/S_iMIS结构太阳电池的纵向组份分布进行了研究。结果表明,实际的纵向结构为AI/AI_2O_3(+S_i)/S_i。定性地分析了MIS结构中的电流输运对界面和表面的依赖关系从而解释了器件宏观电学参数的稳定性。     

氧化锌超微粒子薄膜的表面性质研究

用直流气体放电活化反应沉积的方法,制备了氧化锌超微粒子薄膜,并经AES成分分析及XRD物相结构鉴定,随制备条件不同,结构将明显改变。扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,粒子的粒径为88.5nm。用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)对超微柱子膜的表面成分此、表面电子态进行了研究,用Ar~+枪对样品表面进行了剥离,同时用AES作跟踪分析。结果表明,Zn/O比基本保持不变,C稍有减少。这和电子探针持续作用AES跟踪分析结果基本相同。样品表面的电子态是Zn2p_(1/2)、Zn2p_(3/2),Cls、Ols;粒径及基质对表面光电压谱有较大影响。     

稀土在含C1-介质中对铝合金孔蚀的缓蚀规律及机理研究

采用化学浸泡试验,动电位极化试验及俄歇电子能谱(AES)研究了14种三价稀土金属离子对LY12CZ铝合金在0.1mol.1-NaCI中性介质中孔蚀的缓蚀规律及机理,研究结果表明三价稀土金属离子缓蚀剂属于阴极沉淀型缓蚀剂,其缓蚀规律随原子序数的变化呈镧系‘四分组效应',其中Ce3+缓蚀性能最佳,铝合金表面的铈转化膜为多层结构.