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Na+,K+/Cl-,SO42-,NO3--H2O五元体系的卤水-矿物平衡研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在我国新疆罗布泊,吐鲁番等地区广泛分布含硝酸盐的盐湖,盐滩,近年来也发现一些小型的盐酸盐矿床。根据罗布泊等地区已发现的盐类矿物组合分析,地区盐湖的卤水-矿物应属K^+、Na^+/Cl^-,SO4^2-,NO3^--H2O五元水盐体系。本文用等温溶度法研究了该体系25℃时的卤水-矿物平衡,得到15个平衡点的数据(其中有4个是五元零变度点),绘制出等温相图,并对该相图的特征做了分析。说明了在9条相区界 相似文献
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南极洲伊利莎白公主地区冰雪中δ18O,Cl-,NO3-,Na+和Ca2+年层效应初探 总被引:6,自引:0,他引:6
对1996~1997年中国首次南极内陆冰盖考究获得的南极洲伊利莎白公主地区2个雪坑及50m雪芯样品的阴离子、阳离子和δ^18O进行对比分析,结果表明,在浅层雪坑内,Cl^-和Na^2+的浓度变化与δ^18O的变化异相;NO^-3的浓度变化和δ^18O的变化同相。这些变化呈现明显的季动波动,反映出良好的年层效应。随着深入的增加,δ^18O的年层效应在3m左右(约10a)逐渐被平滑;Cl^-,NO^- 相似文献
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Na+/H+逆向转运蛋白调节细胞内的离子内平衡, 在植物耐盐性起重要的作用. 本研究克隆一个大豆Na+/H+逆向转运蛋白的同源基因GmNHX2, 编码一条长534氨基酸的多肽并预测有10个可能的跨膜结构域. GmNHX2在大豆的根、茎和叶中表达, 但在根中的丰度最高, 受NaCl和PEG (polyethylene glycol)处理的诱导表达. GmNHX2与LeNHX2和AtNHX2的序列相似性高于AtNHX1和AtSOS1. 尽管系统发育分析将GmNHX2与细胞器(液泡和囊泡)逆向转运蛋白聚成一类, 但亚细胞定位的结果表明GmNHX2-EGFP (enhanced green flurescent protein)融合蛋白可能位于植物细胞的质膜或细胞器膜上. 与野生型植株相比, 异源表达GmNHX2的拟南芥植株在萌发和幼苗期都更加耐高浓度的NaCl. 这些结果暗示, GmNHX2是一个Na+/H+逆向转运蛋白同源物, 可能在盐胁迫下执行调节离子内平衡的功能. 相似文献
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E(s2)最优超饱和设计与BIB设计的对等关系 总被引:2,自引:0,他引:2
证明了大小为(n,m)=(2k+2,t(2k+1))(k≥2,t≥2,且当k为偶数时,t亦为偶数)的E(s^2)最优超饱和设计与BIB设计的对等关系,使得可以通过构造BIB设计来寻求E(s^2)最优的超饱和设计。 相似文献
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激光探针等离子体质谱法锆石微区207Pb/206Pb测定尝试 总被引:6,自引:0,他引:6
应用激光探针等离子体质谱法(LP-ICP-MS)测定了锆石微区的^207Pb/^206/Pb,所用仪器为VG Laser Probe和VG PQⅡ Turbo ICP-MS。采用Nd:YAG激光源,波长为1064nm。对已知锆石分析结果表明,LP-ICP-MS的^207Pb/^206Pb测定值与热电离质谱(TIMS)方法的测定值基本一致,本方法的空间分辨率为40 ̄50μm,Pb同位素的灵敏度为30 相似文献
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从经过盐胁迫的小麦抗盐突变体和野生型幼苗根部分离的液泡膜微囊,其依赖于ATP和PPi的H^+转运活力均有明显的增加,突变体的转运活力显著高于野生型。H^+转运活力以达到稳态时每毫克膜蛋白的荧光猝灭值表示。依赖于ATP的转运活力,突变体和野生型分别为1099和558;依赖于PPi的转运活力,突变体和野生型分别为358和228。 相似文献
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Na+/H+逆向转运蛋白在维持细胞质低的Na+浓度和pH稳态等生命活动过程中扮演重要角色, 然而, 到目前为止, 对原核微生物Na+/H+逆向转运蛋白的C末端亲水域的结构和功能还知之甚少. 我们曾从达坂喜盐芽孢杆菌(Halobacillus dabanensis) D-8菌株中克隆得到第一个中度嗜盐菌来源的Na+/H+逆向转运蛋白基因nhaH. 疏水性分析表明, NhaH的C末端亲水域只包含9个氨基酸残基(395PLIKKLGMI403), 大大短于与之高度同源的SynNhaP1和ApNhaP的C末端亲水域. 本研究采用PCR方法, 构建NhaH蛋白的C末端亲水域缺失突变体nhaHΔC. 耐盐性实验表明, C末端亲水域的缺失显著地抑制大肠杆菌缺陷株KNabc的互补能力. 基于荧光强度的翻转膜活性测定结果显示, NhaHΔC的Na+/H+和Li+/H+逆向转运蛋白活性显著低于NhaH, 而且前者的Na+/H+逆向转运蛋白活性向酸端偏移, 表明Na+/H+逆向转运蛋白NhaH短的C末端亲水域在阳离子结合、转运和pH感应上起重要作用. 相似文献
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通过对薄膜的光致发光谱的测量,研究了分层优化的ZnS:Er^3+薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷和种类及其在禁带中的能级位置。结果表明:ZnS:Er^3+体内除了作为发光中心的替位铒离子Er^2+外,主要的点缺陷是S空位Vs、Zn空平Vzn、浅施主Cls和Fs、深受主Cu^+等。S空位是双施主能级,Vs^1+和Vs^2+分别位于导带底1.36和2.36eV处;Zn空位是双受主能级,VZn^1-和 相似文献
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