SOI脊形光波导的设计与研制

利用有效折射率的数值解法,计算出了SOI脊形光波导的有效折射率.由此得到SOI脊形光波导传输单模光波时内外脊高b,h及脊宽W的尺寸.在此基础上研制了SOI光波导,测得其传导损耗为0.87dB/cm.     

近红外波段硅基石墨烯电光调制器研究进展

 近红外波段的电光调制器是未来光信号处理和计算系统中的关键功能元器件,硅基石墨烯电光调制器在结构尺寸、调制速率、调制带宽及大规模片上集成等方面具有诸多潜在优点而引起人们的广泛关注和重视。本文介绍了石墨烯的光电特性及光调制机理,结合石墨烯在近红外波段电光调制器中的研究及应用,综述了国内外近红外波段硅基石墨烯电光调制器的研究进展,重点叙述了条形波导结构、谐振结构、纳米梁结构的电光调制器的工作原理及各器件的特性,展望了硅基石墨烯电光调制器的研究方向。     

氧化物单模脊形光波导分束器的优化设计及制作

通过改进光波导的有效折射率法(EIM)方法,定义新的归一化参量,得出了脊形光波导模式归一化本征方程及单模条件的简单表达式.新的脊形光波导单模条件突破了以往理论对归一化外脊高(r)的限制,允许脊形光波导的参数r的取值进入r0.5的范围,据此设计制作了单模工作的氧化物脊形光波导.新定义的归一化参量对分析计算脊形光波导具有通用性,为优化设计脊形光波导及其单模结构参数提供了便利性和更大的灵活性.     

质子交换X切LiNbO_3光波导的光学特性及其电光调制研究

为了研究质子交换条件对光波导特性的影响,利用棱镜耦合m线法和IWKB(Inverse Wentzel-KramersBrillouin)法,研究了质子交换温度、交换时间和退火累积时间对光波导光学特性的影响。实验结果表明,在相同交换温度条件下,交换时间越长,波导表面折射率增量越大,波导深度越深;在相同交换时间条件下,温度越高,波导表面折射率增量越大,波导深度越深,温度对光波导的光学特性起重要作用。退火前波导折射率分布为阶跃型分布,退火后波导折射率为渐变型分布。在苯甲酸中掺入1%的苯甲酸锂、交换温度为230℃以及交换时间为45 min条件下可获得单模平面光波导。制作了X切Y传LiNbO_3单模条形光波导,并对单模条形光波导的电光调制进行了研究。结果表明,在半波电压范围内,随着调制电压的增加,光波导透射光相位增加,光波导透射光强随调制电压增加而减少。     

介质薄膜的厚度和折射率测量的实验研究

实验用m—line法测得三层平板波导在不同阶导模下的有效折射率，通过解光波导的色散方程，采用计算机编程拟合，有效的得出了介质薄膜的厚度和折射率，并给出了各阶模式的光场在波导中的分布．     

弯曲光子学波导定向耦合器

采用数值模拟的方法,利用光束传输法(BPM)研究了光波在弯曲型光子学波导耦合器中的动力学传输规律。发现波导的折射率调制深度、耦合器之间的间距、每个波导的弯曲振幅都对光波的传输行为有很大的影响。此结果为利用弯曲波导调节和控制光波传输,实现全光开关和定向耦合器提供了新的思路和方法。     

LiNbO3光纤型行波光调制器的有限元分析

提出一种光调制器———L iNbO3光纤型行波光调制器,在结构上与传统的L iNbO3波导型调制器不同,它用L iNbO3光纤代替L iNbO3波导传输光载波,衬底则由低介电常数的S iO2取代高介电常数的L iNbO3.采用有限元法对厚的对称电极进行分析,得到调制器微波等效折射率以及等效特征阻抗随电极宽度、厚度、两电极间距以及缓冲层厚度4个参数的变化规律.分析结果表明,与传统L iNbO3波导型调制器相比,L iNbO3光纤型行波光调制器在相速匹配方面表现出极大优越性,若仅考虑相速匹配,理论上可得到高达300 GHz.m的带宽长度积,远大于传统的波导型调制器的1~10 GHz.m的限制,彻底解决了一般L iNbO3波导型行波光调制器在相速匹配方面的困难,极大地提高了调制带宽,具有很大的应用前景.     

各向异性晶体通道波导的截止特性和单模条件…

在各向异性晶体通道波导中模式的电磁波理论和导模方程的有效折射率分析的基础上，将势阱模型、ＷＫＢ法和有效折射率法结合起来，分析了一维渐变折射率分布通道波导的模式本征 值；并分别对于阶跃型折射分布和渐变折射率的情况，讨论了各向异性晶体通道波导的截止特性和单模条件。     

Ag+-Na+离子交换波导的折射率分布分析

用热扩散法制备了Ag^ -Na^ 离子交换光波导，对实验所得光波导测量了有效折射率，用逆分析转移矩阵方法得到了它们的折射率分布．     

基于正切函数变换的改进型全域基展开法及其应用

基于正切函数变换,本文提出了改进型全域基展开法（MGBEM）,该方法将无限x-y平面映射成为单位平面,使单位平面边界上的电磁场自然为零,等效于自然界条件,因而避免了边界截断问题,消除了人工反向,提高了计算精度,另外,本方法导致的矩阵阶数小,有效高的计算效率,本文选用正弦函数作为展开基,并将MGBEM应用于二维光波导标量模分析,分别给出了掩坦矩阵光波导及脊形光波导的基模电场有效折射率及其电场分布。