功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究

本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.     

半导体器件失效分析研究

统计分析了引起半导体器件失效的一些主要原因,阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用.     

通过改变外形改善某设备电气检测可靠性的设计实例简介

简要介绍了外形设计对某设备电气检测性能的影响，并通过改变该设备外形达到彻底提高该设备的电气检测可靠性的一个实际案例说明了设备外形设计对于检测可靠性的影响。     

SCR在励磁系统中三相桥式全控整流电路上的应用

从20世纪50年代开始，电力半导体器件不断发展，从半控到全控，低电压到高电压，小功率到大功率。同时，由于电力半导体器件的调节质量高、动作快、调整方便、造价低、噪音低和维护方便等优点，它也应用于越来越多的领域。在电力系统中，电力半导体器件的应用就更加普遍。本只是对电力半导体器件SCR在电力系统励磁调节中的三相桥式全控整流电路上的应用进行分析。     

引人注目的变频调速技术

一、前言目前,国内外工业领域竞相开发节能、提高设备性能等技术,要求电动机具有最优特性、高速运转、可调速、节能、效率高、可靠性好。而实现上述要求的一条重要途径,就是有效地利用电力电子技术、半导体器件、新的控制技术,并发展、普及电动机变频调速技术。     

如何对电气自动化控制设备进行可靠性测试

如何进一步提高带有半导体器件的电气传动及自动化控制设备的可靠性一直是生产厂和用户十分关注的问题。对此,国家电控配电设备质量监督检验中心结合我国现状提出了电控及自动化设备的可靠性测试方法,以指导设计和工艺的改进。本文就此问题做以简单讨论。     

半导体器件的工艺及测试分析

半导体器件应用于不同的领域,其加工工艺和测试分析对于保证器件的性能具有重要意义。本文在分析了半导体器件生产工艺流程上,结合其测试发展现状和测试参数,对半导体器件的生产和测试基本问题进行了讨论,同时对其工艺设计过程及方法也进行了分析。     

宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，概述了半导体材料的划代，综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展，并展望了未来的发展方向和前景。     

电力半导体器件和装置的功率损耗研究

为了提高电力电子装置和电力半导体器件的运行可靠性 ,提出了估算电力半导体器件损耗和结温的热 -电联合计算方法。基于电力半导体器件的瞬态开关特性的测量 ,构造了器件精确的损耗数学模型 ,同时考虑了器件的结温对器件损耗的影响。在单个器件损耗模型的基础上分析了电力电子变换装置的损耗 ,分析了装置中器件及其散热系统组成的热阻网络及各器件的结温。最后设计了两类实验装置分别验证损耗计算的精度 ,与实验结果的对比表明该方法为合理地设计器件的散热系统、提高电力电子变换装置的效率提供了有效手段。     

一款矿用显示器屏支架的结构设计

针对矿用显示器安装屏支架在应用中的特殊性,本文提出了一种新型显示屏支架的设计方法和思路,主要包括:结构安装形式、外形结构形式、支架材质选择、塑件成型工艺以及结构可靠性等多方面。结果表明,根据新方法设计的产品,其结构先进,稳定可靠,外形美观,现已大批量使用在矿用产品上。     

扩散炉型等离子化学蒸汽淀积系统生长氮化硅膜的研究

为了进一步提高半导体器件的合格率和可靠性,集成电路管芯的表面钝化处理已成为半导体器件工作的重要课题之一. 由于铝硅合金最低共熔温度的限制,器件的表面最终钝化膜应在低温下淀积(<450℃).这就使得一些优质钝化材料,如阻挡可动离子沾污和抗湿气能力很强的高温GVD氮化硅,因淀积温度过高(700～900℃)而无法用于管芯蒸铝后的钝化工作中.为了     

PCD—1型晶体管热疲劳试验台

PCD—1型晶体管热疲劳试验台是杭州西湖电讯厂在分析研究国外同类设备的基础上研制而成的一种半导体器件可靠性试验专用设备,具有多种试验功能,比国外同类设备增加了控制试验管主要应力为目的的温控     

4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

 4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件，凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用，器件的可靠性问题成为新的研究热点。综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展，通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究，分析了器件性能退化机制。通过重复雪崩可靠性问题的研究，提出了一种可有效提升器件抗重复雪崩能力的终端方案。     

半导体器件快速筛选技术

为保证电子系统或整机的可靠性,常常要对半导体器件进行十几小时至几十小时乃至几百小时的全功率电老化。这种筛选方法在人力、物力上投入大,成本高,实际操作时困难多。而半导体器件快速筛选技术是对被筛选器件在短时间内（数秒钟至几十分钟）施加功率,借助于检测热敏参数在加功率前后的变化,按设定的数据淘汰不良产品。     

高性能非平面沟道场效应晶体管

半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化,改善器件的亚阈值特性,降低漏电流和衬底电流,提高击穿电压,从而抑制短沟道效应,提高器件的可靠性。     

Y型“七专”电路断腿质量攻关

半导体器件外引线的锈断(俗称断腿)严重影响了整机可靠性和国防重点工程建设。断腿问题与材质、外壳制造、器件制造、检测、包装、储存及使用等因素有关。解决断腿问题需要综合治理,需要冶金厂、管壳零件厂、器件厂、用户等共同努力。     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

用OCV细分干涉条纹技术的研究

本文介绍了一种采用光控变容二极管来细分干涉条纹技术。光控变容二极管(OVC)是一种新型半导体器件。用计算机系统采集并处理数据,能够计数和细分干涉条纹,并已获得较高的灵敏度(超过1/90条)。该技术的优点在于它的可靠性,经济性、简单而且速度高。     

基于Solid Edge的轿车外形设计

分析目前市场上流行车型外形设计的特点与发展现状,以Solid Edge软件三维造型功能和方法为基础,介绍如何利用Solid Edge完成轿车外形设计及所设计轿车的外形特点.     

功率器件芯片封装和静电放电失效分析

针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性.利用多种微分析手段,分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理.重点分析了静电放电(electrostatic discharge,ESD)导致的功率器件失效,引入了ESD电热理论模型.实验证明,该模型能快速准确地分析金属引线的抗ESD强度.