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从通道水平研究LaCl_3对萝卜液泡膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用膜片钳全液泡记录方式, 在萝卜液泡上成功地记录到慢液泡(SV)通道电流. 增大外液中钙离子的浓度, 记录到的电流信号也随之增大, 且激活电压向负电位方向移动. 外液中加入2.5 mmol/L LaCl3和4 mmol/L EGTA溶液时, SV电流明显被抑制; 而当不同浓度的LaCl3加入到电极内液中时发现, 高浓度的镧(>4×10-7 mol/L)对通道电流有强烈的抑制效应, 而低浓度的镧(≤4×10-7 mol/L)则促进通道电流, 这一促进效应为进一步研究稀土对植物生理活动的影响以及稀土微肥对农作物的增产效果在通道水平上提供了重要的依据. 相似文献
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近些年,过渡金属离子与一些小分子的气相反应研究是一相当活跃的领域.Clem mer等实验研究了Sc~ ,Ti~ ,V~ 与氨的反应.对脱H_2反应:M~ NH_3→M~ NH H_2,主要是通过氧化加成一个N-H键形成中间体H-M~ NH_2,此中间体对Sc~ 而言是单重态的,对Ti~ 而言是双重态.参与反应的离子,当它们的电子态不同,其反应活性也不同,他们用“自旋守恒”概念来解释.自旋守恒的关键是考虑插入中间体H-M~ -NH_2,比如:V~ 参加的反应,V~ 的4个价电子…-NH_2的基态必定为三重态,这样,V~ 的激发态a~3F比其基态a~5D反应活性高,因为激发态a~3F与比较稳定的中间体保持了相同的自旋. 相似文献
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通过室内腐蚀实验研究了模拟油田采出水溶液中粉砂对1wt%Cr(1Cr)和3wt%Cr(3Cr)油管钢CO2腐蚀行为的影响,结果表明,在100℃,CO2分压为0.5MPa,流速为1.5m/s时,无砂环境条件下两种低Cr油管钢均表现为全面腐蚀,但是表面较粗糙;加入粉砂后,1Cr钢的平均腐蚀速率增加了3倍,且发生了严重的深坑腐蚀,3Cr钢的平均腐蚀速率增加了1.6倍,表面出现了针状蚀点.利用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、能谱分析(energy dispersive spectroscopy,EDS)、X-射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和交流阻抗测试(electrical impedance spectroscopy,EIS)对两种环境条件下1Cr钢和3Cr钢的产物膜特性进行了测试和分析,结果表明,粉砂不会对CO2腐蚀产物膜造成切削破坏,而是夹杂在产物膜中,影响产物膜的致密性,不规则砂粒周围易形成离子扩散通道,使产物膜的保护性下降,腐蚀加剧. 相似文献
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在正常生理状态下,真核细胞内Ca~(2+)浓度为10~(-7)~10~(-6)mol/L,细胞外侧为10~(-3)mol/L,即细胞膜的两侧存在1000~10000倍的跨膜Ca~(2+)梯差。当细胞外信息跨膜传递时细胞外Ca~(2+)内流,胞浆中的Ca~(2+)浓度升高,细胞膜两侧的跨膜Ca~(2+)梯差降低约10倍,即膜内外两侧的跨膜Ca~(2+)梯差为100倍;而信息传递完成后胞浆中的Ca~(2+)会通过质膜上的Ca~(2+)-ATP酶或Na~+-Ca~(2+)交换运出细胞外以维持膜两侧合适的跨膜Ca~(2+)梯差。因此,细胞膜两侧的跨膜Ca~(2+)梯差在维持细胞正常功能中具有重要的生理意义。但这种跨膜Ca~(2+)梯差对膜结合蛋白,尤其是对参与构成信息跨膜转导体系的膜蛋白的结构与功能及其相互作用的影响尚未引起足够的重视。 相似文献
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稀土离子对DBS表面包覆的Fe2O3纳米微粒非线性光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体超微粒因其在光作用下产生局域浓度很高的载流子而导致显著的光发射和非线性光学响应,并且表面修饰能极大地改变半导体超微粒的这些特性。Fe_2O_3纳米微粒是一类重要的过渡金属半导体材料。文献报道表面包覆的Fe_2O_3纳米微粒溶胶具有较大的三阶非线性极化率,而未见有关稀土RE~(3 )掺杂的 Fe_2O_3纳米微粒溶胶的研究报道。本文采用胶体化学法首次制备了用DBS(十二烷基苯磺酸钠)包覆其表面的稀土RE~(3 )(RE=Ce,Pr,Sm,Tb)掺于Fe_2O_3晶格内的纳米微粒溶胶和附着于Fe_2O_3表面的纳米微粒溶胶。研究了它们与表面包覆的和裸的 Fe_2O_3纳米微粒以及体Fe_2O_3吸收光谱的差异。在Ar~ 488nm激光的作用下,采用Z-scan技术对上述四种纳米微粒的非线性光学特性进行研究。结果表明,与表面包覆的Fe_2O_3纳米微粒溶胶相比,表面包覆的稀土离子掺杂于Fe_2O_3晶格内的纳米微粒溶胶其三阶 相似文献
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磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层,利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析,结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应;15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。 相似文献