PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

常压化学气相淀积多晶硅的计算机模拟

推导出常压化学气相淀积多晶硅膜的计算机模拟算式，并进行了计算机模拟计算。在理论计算的基础上，用硅烷热分解，制备了均匀性较好的用于可控硅元件欧姆接触的多晶硅膜。     

掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析

在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况，模型的迁移率也是在Ｎ＝Ｎ＾＊处最小，其中Ｎ＾＊随晶粒的增大而减小；分析还表明，体电阻率在Ｎ＞Ｎ＾＊时对于精确估计迁移率的重要性，以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。     

PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜

采用射频等离子体增强化学气相沉积系统（RF-PECVD）以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频（13.56MHz）电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。     

PECVD法制备SiOxNy膜中组份对电学特性的影响

研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性的影响。     

大面积金刚石膜生长环境气氛的计算机模拟

建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子 体中的化学环境进行了模拟计算,并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比,发现计 算结果与实验结果基本上吻合．在模拟条件下ＣＨ基团可能是促使金刚石生长的主要活化基 因．模拟结果显示ＣＨ基因沿径向的均匀分布对大面积金刚石膜生长有较大的意义．     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

射频等离子体沉技术计算机模拟研究现状

阐述了计算机模拟在射频等离子体薄膜沉积技术中的重要地位，总结了几种常用的模拟方法并比较了各种方法的利弊和适用范围，展望了该技术发展的趋势。     

PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.     

射频PECVD方法生长含氢非晶碳膜的结构及摩擦学性能

利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的含氢非晶碳膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小;薄膜与不锈钢球对磨时显示出良好的抗磨减摩性能;薄膜的抗磨减摩性能同对磨件表面上形成的转移膜以及摩擦过程中薄膜结构的石墨化相关.     

射频等离子体放电动态过程的流体动力学模拟

用流体动力学方法研究了射频放电的动态演变过程．得到了粒子密度、电子能量和电场的动态分布图．通过对功率密度的推导和鞘层厚度的定量定义,发现两者之间存在一定的函数关系．此外,动态分布图还表明：放电的演变主要发生在鞘层内部,两鞘层的演变相差１８０°相位角,极板材料对放电有影响．     

常压下DBD等离子体聚合氟碳有机膜表征

通过等离子体增强化学沉积方法,在同轴圆柱形DBD反应器中利用一种新单体十四氟己烷常压下聚合获得氟碳颗粒膜;通过扫描电镜（SEM）,X光电子能谱膜（XPS）、傅立叶红外光谱（FTIR）表征膜的表面和团簇形态、化学和结构组成随着放电功率的减小,在基片表面形成的颗粒尺寸大且分布均匀性差,所获得膜中F／C和交联度分别为1．54和68．5％,要比低气压下获得的无定形氟碳聚合膜的交联度高出10％左右,氧元素的含量为5．53％,比低气压膜中氧的含量要高出2％～3％。     

汽相沉积薄膜过程的计算机模拟

利用计算机模拟给出汽相沉积薄膜的过程，计算出不同模型下的薄膜微观结构，并对薄膜微观结构特征进行了讨论     

Cu薄膜生长初期的计算机模拟

基于Monte Carlo模型, 在理想基底上设置100×100的二维方形格, 利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型, 并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律. 结果表明: 当沉积粒子数逐渐增加时, 基底表面的粒子团簇结构逐渐增大; 在温度不变的条件下, 随着最大迁移步数的增加, 团簇逐渐增大, 团簇数量逐渐减小, 且团簇分布逐渐稀疏; 温度升高使粒子聚集为岛状, 薄膜呈岛状生长.     

Experimental and Theoretical Study of Young Modulus in Micromachined Polysilicon Films

IntroductionThe development of microelectromechanicalsystems (MEMS) has achieved impressiveprogress with many new designs that couldpotentially lead to another industrial revolution.However,the long- term durability of the MEMSdevices,which requires a fun…     

全分布式分组无线网路由算法的计算机模拟

研究了全分布式分组无线网中的路由管理算法，应用Ｃ语言进行了计算机模拟，实现了节的入网，出网，移动等网络拓扑变化时的路由管理，并可在任何时候打印网络的路由信息，模拟结果验证了核算法的正确性。