PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究

用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量,分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系,以及退火的影响。     

气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用

对由SiH_4淀积多晶硅的质量输运过程进行动力学分析,建立了完整的淀积模型和速率表达式,并由该式讨论了气压对淀积速率和表观激活能的影响。指出,从常压至数乇,随气压降低淀积速率提高,表观激活能降低。特别设计了突出气压影响的实验,实验结果支持理论分析的结论。还讨论了气压降低对淀积质量的影响。     

电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布

利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13．56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压 85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布．通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围．     

PECVD淀积SiO2的应用

研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学

利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。     

立式冷壁反应器中化学气相淀积TiN涂层 Ⅰ.淀积参数对反应速率和涂层质量的影响

在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8～1.6,淀积速率15～60m~(-6)/h,显微硬度1800～2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。     

PECVD技术在可控硅生产中的应用

随着集成电路集成度的提高以及对半导体器件可靠性要求的不断提高,半导体器件表面的最终钝化具有日益重要的意义.近年来,低压化学蒸汽淀积(LPCVD)及等离子增强型化学蒸汽淀积(PECVD)薄膜技术的迅速发展和应用,使化学蒸汽淀积(CVD)技术的发展出现了一个重大突破,在降低生产成本、降低温度、提高效率、改进薄膜质量等方面显示了很大的优越性. 迄今,PECVD技术所生长的钝化膜在MOS器件、运算放大器中应用已有报导,但在可控硅生产中的应用尚少见.本文报导PECVD技术于可控硅生产工艺中的应用.本技术与原来的直流卧式溅射氧化硅工艺相比,节约了大量电力、人力、物力,效果亦佳.在可控硅的传统工艺中.例如在管芯上生长氧化硅薄膜,是利用溅射获得的,但直流高压溅     

影响p型α-Si∶H薄膜性能的因素研究

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷、硼烷、氢气为气源,在玻璃衬底上沉积氢化非晶硅薄膜.分析了气体的压强和射频功率两个参数对薄膜的沉积速率、折射率和晶化程度的影响.载流子的浓度随着射频功率的增加呈现先增加后下降的趋势;随着压强的增加,载流子的浓度出现先下降后增加的趋势;压强和射频功率对载流子迁移率的影响与对浓度的影响趋势相反.多次沉积薄膜后真空室的环境也对非晶硅薄膜的性质,如折射率、薄膜厚度、载流子浓度等造成影响.     

射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.     

MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究

分析了沉积薄膜厚度、PECVD的薄膜沉积温度、反应气体形成的杂质以及多层薄膜之间热应力匹配等因素对薄膜残余应力的影响.应用光刻分割聚酰亚胺(PI)牺牲层、分层生长氮化硅薄膜及快速热退火等工艺减小薄膜残余应力,成功生长出了合格的氮化硅薄膜.     

离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究

采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响.结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.     

压力脉动法探究U型还原室内床层流化特性

U型还原室是铁矿悬浮磁化焙烧炉的核心装置,其内部物料流化特性尚不明确.为此,搭建冷态试验系统,采用压力脉动法探讨了初始床层高度、松动风速及物料粒度对流化室内物料流化特性的影响,通过功率谱密度分析了流化机理.结果表明:松动风速和物料粒度是影响初始流化速度的主要因素,而初始床层高度影响不大;流化室内压力脉动随初始床层高度和松动风速增大而减小,随物料粒度增大而增大;功率谱分析揭示了气泡形成、聚并及破碎是导致压力脉动的根本原因.研究结果为悬浮磁化焙烧试验过程中操作参数的设计及优化提供了理论和数据支持.     

压强对PECVD制备碳纳米管的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.并通过扫描电镜拍摄其表征,系统、深入地研究了沉积压强对碳管形貌的影响.结果表明:沉积压强对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着重要作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳沉积压强是300 Pa.     

等离子体化学气相沉积工艺调控铜基-石墨烯复合薄膜材料微结构及电学热学性能研究

本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜，通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时，逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响，实现了对薄膜材料厚度和生长过程的准确控制.进一步研究发现，H₂与CH₄的气体比例严重影响了等离子体与基底表面的相互作用，并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变.通过工艺参数和气体配比的优化，实现了对薄膜表面结构的有效调节.当H₂/CH₄为1∶12时，薄膜的粗糙度最低，电子与声子的散射源被充分抑制，电导率和热导率分别达到8.3×10⁶ S/cm与158 W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产过程中的各项关键工艺参数，并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间的关联，为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据.     

垂直弹射系统弹射初始阶段内流场数值分析

针对燃气活塞弹射装置在垂直发射系统中的应用,采用计算流体软件Fluent的源项法,用UDF(用户自定义函数)编译来实现火药燃气的质量、动量、能量向高压室的注入,对弹射初始阶段高压室和低压室内燃气流场进行了数值分析,得出以下结论:高压室压力在破膜前快速上升,破膜后缓慢上升的趋势,在高压上下两端压力应力集中,低压室呈中间和两端压力应力集中现象,同时高压室形成的低速燃气经导管产生激波形成超声速燃气流撞击低压室,并分析了压力和速度对弹射装置的影响。计算结果表明,该方法能够较好地仿真弹射装置燃气流场的特性,为弹射装置优化设计和装药设计提供理论依据。     

PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。     

一种紊流油膜雾化燃烧系统的试验研究

利用螺旋进气道和非圆形燃烧室相配合，形成进气涡流，挤流，紊流及微波流等多种流动状态，实现以空间雾化为主，油膜蒸发燃烧为辅的燃烧过程，取得了提高功率，降低燃油消耗率，减小最高燃烧压力和压升率及改善ＮＯｘ排放的效果。     

PECVD法制备氢化非晶硅薄膜材料

采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.     

基于数值模拟的旋转燃烧室的性能分析

通过分析某型鱼雷燃烧室结构,建立旋转燃烧室的物理数学模型,利用Fluent软件对不同转速下的旋转燃烧室单组元喷雾燃烧过程进行仿真模拟,得到燃料质量分数场以及燃烧室内的压强分布,为燃烧室的结构优化提供理论依据.通过优化结构,缩小了燃烧室的体积,减小了燃烧室的质量,提高了燃烧室的性能.