钛靶膜厚度对中子管性能的影响

采用热蒸发技术利用钼丝作为灯丝,将纯钛蒸发到陶瓷靶上,得到了钛靶,并研究了钛膜厚度对中子管产额等性能的影响.对3支靶膜厚度(0.8,2.2和6.1μm)的中子管进行了对比,发现钛膜厚度为2.2μm时,中子管的产额最高.同时比较了3支中子管的老练及稳定性.     

在中子管上加装α粒子探测器

讨论了在中子管上加装α粒子探测器的一些问题，给出了在中子管上加装α粒子探测器的具体方法：用在玻璃表面涂闪烁材料（ＺｎＳ（Ａｇ））的方法制成了适合中子管制作工艺条件的α粒子探测器；并对α粒子探测器和带α粒子探测器的中子管的性能做了讨论。     

一种新型井下中子发生器

比较了商品氚－钛靶玻璃中子管和自成靶陶瓷中子管的性能，介绍了自成靶陶瓷中子管井下中发生器电路的特点。该中子发生器与阿特拉斯公司的２７２７型Ｃ／Ｏ比测井仪对接成功，开始批量测井。     

利用永久磁场抑制中子管中的电子电流

讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法．对Philip型中子管,用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1．33倍．     

中子管高温性能研究

报道了中子管耐温性能测试设备和方法。实验结果表明我们研制的高温陶瓷测井中子管的耐温指标已达到１５０℃。     

300千伏中子发生器的加速管

本文介绍了300千伏中子发生器的加速管,该中子发生器能产生3×10~(11)中子/秒的中子产额。     

靶钛膜处理对氘-氘及氘-氚中子管性能的影响

利用氘和氚充气真空系统和镀靶系统制备了不同靶膜厚度和充气量的系列中子管,其充气系统极限真空达到了1.5×10-6 Pa.利用微调阀可精确控制每次进入系统的氘和氚气体量.通过改变钛丝量和加热电流来控制靶膜厚度,采用3He中子监测仪监测系列中子管的产额、稳定性及老练特性.探讨了靶膜的多次处理对于中子管的老练、稳定性等指标的影响,为提高中子管性能提供了参考.     

带伴随α粒子探测器的密封中子发生器通过省级鉴定

带伴随α粒子探测器的密封中子发生器通过省级鉴定由我校物理系副研究员董艾平主持的吉林省科委项目“带伴随ａ粒子探测器的密封中子发生器”通过专家鉴定。该项目的核心带伴随ａ粒子探测器的测井中子管是一种全新的中子管，主要用于石油测井领域，与普通测井中子管相比有...     

中子管桌面实验台及其应用

报道一种模拟中子管工作状态的实验装置和方法，可以在动真空和静真空条件下较准确地选择中子管关键部件的尺寸，为中子管的研制提供可靠的实验数据。     

基于有限元分析中子管加速电场仿真研究

运用计算机仿真技术,对中子管的加速电极尺寸、加速间隙等参数进行了有限元分析.通过大量的仿真实验,得到电场的直观分布,发现电场分布特征可用于对中子管的优化与改进.     

强流中子管微波离子源磁场模式设计

根据强流中子管的特殊要求和微波离子源微波吸收及传输原理,设计出等离子腔结构,其对微波可无阻传输,对高压有隔离作用,又根据强流中子管微波离子源对磁场模式的要求给出多联线结构、双磁环结构、加导磁磁路磁场等多种磁场模式的设计结果及实验数据,并做应讨论。     

密封式中子管中电子电流形成过程

分析中子管中电子电流的形成过程．对于Philip型中子管,D 离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分．为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素．     

桶型3He中子探测器探测效率标定装置设计分析研究

基于后处理生产的³He中子探测器,开展了桶型中子探测效率标定装置的材料选择及功能结构设计分析,使用MCNP程序构建了装置及³He探测器的相关计算模型,根据生产过程及设计需求,分别分析了桶型中子探测效率标定装置慢化层的慢化效果,及不同位置多根³He管中子探测器的探测效率,并计算了源管、探测器上方及屏蔽体周围的剂量,结果表明该装置的慢化能力及屏蔽效果良好,放射性剂量水平满足辐射防护要求。     

球床堆锥底与卸料管对物理特性的影响

描述了具有锥形底和卸料管的球床式高温气冷堆的物理模型，网格划分及燃料球多次通过的模拟计算。通过模型的实例计算，分析了锥底和卸料管对物理参数的影响。对比有、无卸料管和雄底模型的计算结果表明，有效增殖因子、平均燃耗、最大功率密度及堆芯各流道的卸料球燃耗的差别较小。但是，在卸料管和锥底的局部功率分布、中子通量分布和温度分布仅仅在具有卸料管的锥底模型才能得到，这些结果对于进一步热工水力学分析及安全分析有着重要的意义。